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IRF513 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 3.5A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF510, IRF511, IRF512, |
Download IRF513 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 173 kb |
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N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETs | Download IRF513 datasheet von Supertex Inc |
pdf 77 kb |
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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 80V, 4.9A | Download IRF513 datasheet von Harris Semiconductor |
pdf 74 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5 A 60-100V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF510-513, |
Download IRF513 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 156 kb |
IRF512 | Ansicht IRF513 zu unserem Katalog | IRF520 |