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IRF722 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-MOSFET, 400V, 2.8A Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF721F1, IRF721, IRF722F1, IRF723, IRF720F1, |
Download IRF722 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 344 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF322, IRF320-323, IRF321, IRF320, IRF323, |
Download IRF722 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
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TRANSISTOREN N-CHANNEL | Download IRF722 datasheet von International Rectifier |
pdf 558 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF720, |
Download IRF722 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
IRF721F1 | Ansicht IRF722 zu unserem Katalog | IRF7220 |