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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
551IXKF40N60SCD1CoolMOS Energie MOSFET mit Reihe Schottky Diode und ultra schneller Antiparallel Diode in der Hochspannung ISOPLUS i4-PACIXYS Corporation
552IXKN40N60CoolMOS Energie MosfetIXYS Corporation
553IXKN40N60CCoolMOS Energie MosfetIXYS Corporation
554IXKN75N60CoolMOS Energie MosfetIXYS Corporation
555IXKN75N60CCoolMOS Energie MosfetIXYS Corporation
556IXKR40N60CoolMOS Energie MOSFET im Paket ISOPLUS247IXYS Corporation
557IXKR40N60CCoolMOS Energie MOSFET im Paket ISOPLUS247IXYS Corporation
558IXPD610Bus-Kompatibler Digital PWM SteuerpultIXYS Corporation
559IXSA10N60B2D1Schnell-IGBT mit DiodeIXYS Corporation
560IXSA15N120BS Reihe - Verbesserte SCSOA FähigkeitIXYS Corporation



561IXSH15N120BD1S Reihe - Verbesserte SCSOA FähigkeitIXYS Corporation
562IXSH24N60AU1HiPerFASTTM IGBT mit DiodeIXYS Corporation
563IXSH24N60U1HiPerFASTTM IGBT mit DiodeIXYS Corporation
564IXSH25N120AIGBTIXYS Corporation
565IXSH25N120AU1IGBT mit DiodeIXYS Corporation
566IXSH30N60AU1Niedriges VCE(sat) IGBT mit Diode Schnell-IGBT mit Diode Combi verpackt Fähigkeit des Kurzschluss-SOAIXYS Corporation
567IXSH30N60BSchnell-IGBTIXYS Corporation
568IXSH30N60BD1Schnell-IGBT mit DiodeIXYS Corporation
569IXSH30N60CSchnell-IGBTIXYS Corporation
570IXSH30N60CD1Fähigkeit Des Kurzschluss-SOAIXYS Corporation
571IXSH30N60U1Niedriges VCE(sat) IGBT mit Diode Schnell-IGBT mit Diode Combi verpackt Fähigkeit des Kurzschluss-SOAIXYS Corporation
572IXSH35N100ASchnell-IGBTIXYS Corporation
573IXSH35N120BIGBTIXYS Corporation
574IXSH40N60Schnell-IGBTIXYS Corporation
575IXSH40N60BSchnell-IGBTIXYS Corporation
576IXSH45N120Hochspannung, Niedriges VCE(sat) IGBTIXYS Corporation
577IXSH50N60BFähigkeit Des Kurzschluss-SOAIXYS Corporation
578IXSK30N60BD1Schnell-IGBT mit DiodeIXYS Corporation
579IXSK30N60CD1Fähigkeit Des Kurzschluss-SOAIXYS Corporation
580IXSK35N120BD1HOCHSPANNUNG IGBT MIT DIODEIXYS Corporation
581IXSM35N100ASchnell-IGBTIXYS Corporation
582IXSN35N120AU1Hochspannung 1 GBT mit DiodeIXYS Corporation
583IXSN55N120Hochspannung IGBTIXYS Corporation
584IXSN55N120AHochspannung IGBTIXYS Corporation
585IXSP10N60B2D1Schnell-IGBT mit DiodeIXYS Corporation
586IXSP15N120BS Reihe - Verbesserte SCSOA FähigkeitIXYS Corporation
587IXST15N120BD1S Reihe - Verbesserte SCSOA FähigkeitIXYS Corporation
588IXST30N60BSchnell-IGBTIXYS Corporation
589IXST30N60BD1Schnell-IGBT mit DiodeIXYS Corporation
590IXST30N60CSchnell-IGBTIXYS Corporation
591IXST30N60CD1Fähigkeit Des Kurzschluss-SOAIXYS Corporation
592IXST35N120BIGBTIXYS Corporation
593IXST40N60BSchnell-IGBTIXYS Corporation
594IXSX35N120BD1HOCHSPANNUNG IGBT MIT DIODEIXYS Corporation
595IXTA180N055TGraben-Gatter-Energie MosfetIXYS Corporation
596IXTA1N100Hochspannung MosfetIXYS Corporation
597IXTC26N50PPolarHV Energie MosfetIXYS Corporation
598IXTH10P50Standardenergie Mosfet P-Führung Verbesserung Modus-Lawine VeranschlagenIXYS Corporation
599IXTH10P60Standardenergie MosfetIXYS Corporation
600IXTH11N80MegaMOSFETIXYS Corporation



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