|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 29385 | 29386 | 29387 | 29388 | 29389 | 29390 | 29391 | 29392 | 29393 | 29394 | 29395 | >>
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
1175561STP10NA40ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1175562STP10NA40FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INST Microelectronics
1175563STP10NA40FIALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-INSGS Thomson Microelectronics
1175564STP10NB20N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUSPOWERMESH MOSFETST Microelectronics
1175565STP10NB20N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1175566STP10NB20N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUSPOWERMESH MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1175567STP10NB20FPN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUSPOWERMESH MOSFETST Microelectronics
1175568STP10NB20FPN-CHANNEL VERBESSERUNG MODUSPOWERMESH MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1175569STP10NB20FPN - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1175570STP10NB50N-CHANNEL 500V - 0.55 OHM - 10.6A - TO-220 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
1175571STP10NB50N - FÜHRUNG 500V - 0.55Ohms - 10.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1175572STP10NB50FPN - FÜHRUNG 500V - 0.55Ohms - 10.6A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1175573STP10NB50FPN-CHANNEL 500V - 0.55 OHM - 10.6A - TO-220 POWERMESH MOSFETST Microelectronics
1175574STP10NB60SFPN-CHANNEL 10A 600V TO-220 POWERMWSH IGBTST Microelectronics
1175575STP10NC50N-CHANNEL 500V - 0.48 OHM - 10A - TO-220/TO-220FP POWERMESH MOSFETST Microelectronics
1175576STP10NC50N - FÜHRUNG 500V - 0.48Ohms - 10A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1175577STP10NC50N-CHANNEL 500V - 0.48 OHM - 10A - TO-220/TO-220FP POWERMESH MOSFETSGS Thomson Microelectronics
1175578STP10NC50FPN-CHANNEL 500V - 0.48 OHM - 10A - TO-220/TO-220FP POWERMESH MOSFETST Microelectronics
1175579STP10NC50FPN-CHANNEL 500V - 0.48 OHM - 10A - TO-220/TO-220FP POWERMESH MOSFETSGS Thomson Microelectronics



1175580STP10NC50FPN - FÜHRUNG 500V - 0.48Ohms - 10A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
1175581STP10NK60ZN-CHANNEL 600V - 0.65 OHM - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1175582STP10NK60ZN-CHANNEL 600V 0.65 ENERGIE MOSFET DES OHM-10A ZENER-PROTECTED SUPERMESHSGS Thomson Microelectronics
1175583STP10NK60ZFPN-CHANNEL 600V - 0.65 OHM - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1175584STP10NK60ZFPN-CHANNEL 600V 0.65 ENERGIE MOSFET DES OHM-10A ZENER-PROTECTED SUPERMESHSGS Thomson Microelectronics
1175585STP10NK70ZN-CHANNEL 700 V - 0.75 OHM - 8.6 Ein TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MosfetST Microelectronics
1175586STP10NK70ZFPN-CHANNEL 700 V - 0.75 OHM - 8.6 Ein TO-220/TO-220FP ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MosfetST Microelectronics
1175587STP10NK80ZN-CHANNEL 800V - 0.78 OHM - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1175588STP10NK80ZFPN-CHANNEL 800V - 0.78 OHM - 9A TO-220/TO-220FP/TO-247 ZENER-PROTECTED SUPERMESH ENERGIE MOSFETST Microelectronics
1175589STP10NM50NN-Kanal 500 V, 0,53 Ohm, 7 A TO-220 MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
1175590STP10NM60NN-Kanal 600 V, 0,53 Ohm, 10 A, TO-220 MDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
1175591STP10NM60NDN-Kanal 600 V, 0,57 Ohm, 8 A, TO-220 FDmesh (TM) II Power MOSFETST Microelectronics
1175592STP10NM65NN-Kanal 650V - 0.43Y - 9A - TO-220 / FP IPAK - DPAKN-Kanal 650V - 0.43Y - 9A - TO-220 / FP IPAK - Generation MDmesh DPAKSecondST Microelectronics
1175593STP10P6F6P-Kanal 60 V, 0,13 Ohm typ., 10 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1175594STP110N10F7N-Kanal 100 V, 5,1 mOhm typ., 110 A, STripFET (TM) VII DeepGATE Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1175595STP110N55F6N-Kanal-55 V, 4,5 mOhm typ., 110 A STripFET F6 Power MOSFET in einem TO-220-GehäuseST Microelectronics
1175596STP11N52K3N-Kanal 525 V, 0,41 Ohm, 10 A SuperMESH3 (TM) Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1175597STP11N65M2N-Kanal 650 V, 0,6 Ohm typ., 7 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1175598STP11N65M5N-Kanal 650 V, 0,43 Ohm, 9 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220-GehäuseST Microelectronics
1175599STP11NB40N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUSPOWERMESH MOSFETST Microelectronics
1175600STP11NB40N - FÜHRUNG 400V - 0.48Ohm - 10.7A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MosfetSGS Thomson Microelectronics
Datenblaetter Gefunden :: 1351360Seite: << | 29385 | 29386 | 29387 | 29388 | 29389 | 29390 | 29391 | 29392 | 29393 | 29394 | 29395 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com