| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 12241 | 1812HXXX | Hochspannungs-MLC Span | AVX Corporation |
| 12242 | 1812JAXXX | Hochspannungs-MLC Span | AVX Corporation |
| 12243 | 1812JXXX | Hochspannungs-MLC Span | AVX Corporation |
| 12244 | 1812KXXX | Hochspannungs-MLC Span | AVX Corporation |
| 12245 | 1812L | Oberflächeneinfassung Ptc | Littelfuse |
| 12246 | 1812L050 | Oberflächeneinfassung Ptc | Littelfuse |
| 12247 | 1812L075 | Oberflächeneinfassung Ptc | Littelfuse |
| 12248 | 1812L110 | Oberflächeneinfassung Ptc | Littelfuse |
| 12249 | 1812L125 | Oberflächeneinfassung Ptc | Littelfuse |
| 12250 | 1812L150 | Oberflächeneinfassung Ptc | Littelfuse |
| 12251 | 1812L160 | Oberflächeneinfassung Ptc | Littelfuse |
| 12252 | 1812L200 | Oberflächeneinfassung Ptc | Littelfuse |
| 12253 | 1812L260 | Oberflächeneinfassung Ptc | Littelfuse |
| 12254 | 1812N102XXX | Mehrschichtige Keramische Span-Kondensator-Produkte NPO, X7R, Y5V | American Accurate Components |
| 12255 | 1812N104XXX | Mehrschichtige Keramische Span-Kondensator-Produkte NPO, X7R, Y5V | American Accurate Components |
| 12256 | 1812SXXX | Hochspannungs-MLC Span | AVX Corporation |
| 12257 | 1812WXXX | Hochspannungs-MLC Span | AVX Corporation |
| 12258 | 1812XXX | Hochspannungs-MLC Span | AVX Corporation |
| 12259 | 1815 | NPN Zwecktransistor | Philips |
| 12260 | 1815 | Tonfrequenz-Verstärker U. Hochfrequenzoszillator | Fairchild Semiconductor |
| 12261 | 1815 | Tonfrequenz-Universelle Verstärker-Anwendungen Des Silikon-NPN Epitaxail Type(for) | TOSHIBA |
| 12262 | 18153 | Axialzuleitung Drosselspulen | C&D Technologies |
| 12263 | 18154 | Axialzuleitung Drosselspulen | C&D Technologies |
| 12264 | 18155 | Axialzuleitung Drosselspulen | C&D Technologies |
| 12265 | 1819-35 | 35 W, 28 V, 1750-1850 MHz gemeinsamen Basis-Transistor | GHz Technology |
| 12266 | 1819AB12 | 12 W, 25 V, 1808-1880 MHz gemeinsamen Emitter-Transistor | GHz Technology |
| 12267 | 1819AB25 | 25 W, 25 V, 1808-1880 MHz gemeinsamen Emitter-Transistor | GHz Technology |
| 12268 | 1819AB35 | 35 W, 25 V, 1808-1880 MHz gemeinsamen Emitter-Transistor | GHz Technology |
| 12269 | 1819AB4 | 4 W, 25 V, 1808-1880 MHz gemeinsamen Emitter-Transistor | GHz Technology |
| 12270 | 181NQ035 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 12271 | 181NQ035 | 35V 180A Schottky getrennte Diode in einem Hälfte-Pak D-67 Paket | International Rectifier |
| 12272 | 181NQ040 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 12273 | 181NQ040 | 40V 180A Schottky getrennte Diode in einem Hälfte-Pak D-67 Paket | International Rectifier |
| 12274 | 181NQ045 | Schottky Gleichrichter | Microsemi |
| 12275 | 181NQ045 | 45V 180A Schottky getrennte Diode in einem Hälfte-Pak D-67 Paket | International Rectifier |
| 12276 | 181NQ045R | 45V 180A Schottky DISCR. (R) Diode in einem Hälfte-Pak D-67 Paket | International Rectifier |
| 12277 | 181RKI | PHASE STEUERTHYRISTOREN Bolzen-Version | International Rectifier |
| 12278 | 181RKI100 | PHASE STEUERTHYRISTOREN | International Rectifier |
| 12279 | 181RKI100S90 | Phasensteuerung Thyristor | International Rectifier |
| 12280 | 181RKI40 | PHASE STEUERTHYRISTOREN | International Rectifier |
| | | |
