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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
178411N4577ALow-Level-temperaturkompensierte Zener Referenzdiode. Max Spannung 0.020 V.Motorola
178421N4577A-1SPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178431N4577A-16.4 NOMINALE ZENER SPANNUNG DES VOLT-+ 5%Compensated Devices Incorporated
178441N4577AUR-1TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODENCompensated Devices Incorporated
178451N4578SPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178461N4578SPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178471N45786.4 NOMINALE ZENER SPANNUNG DES VOLT-+ 5%Compensated Devices Incorporated
178481N4578Low-Level-temperaturkompensierte Zener Referenzdiode. Max Spannung 0,005 V.Motorola
178491N4578-1SPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178501N4578ASPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178511N4578ASPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178521N4578A6.4 NOMINALE ZENER SPANNUNG DES VOLT-+ 5%Compensated Devices Incorporated
178531N4578ALow-Level-temperaturkompensierte Zener Referenzdiode. Max Spannung 0.010 V.Motorola
178541N4578A-1SPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178551N4578A-16.4 NOMINALE ZENER SPANNUNG DES VOLT-+ 5%Compensated Devices Incorporated
178561N4578AUR-1TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODENCompensated Devices Incorporated
178571N4579SPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178581N4579SPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178591N45796.4 NOMINALE ZENER SPANNUNG DES VOLT-+ 5%Compensated Devices Incorporated



178601N4579Low-Level-temperaturkompensierte Zener Referenzdiode. Max Spannung 0.002 V.Motorola
178611N4579-1SPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178621N4579ASPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178631N4579ASPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178641N4579A6.4 NOMINALE ZENER SPANNUNG DES VOLT-+ 5%Compensated Devices Incorporated
178651N4579ALow-Level-temperaturkompensierte Zener Referenzdiode. Max Spannung 0,005 V.Motorola
178661N4579A-1SPANNUNG Zener Des Bezugs0tcMicrosemi
178671N4579A-16.4 NOMINALE ZENER SPANNUNG DES VOLT-+ 5%Compensated Devices Incorporated
178681N4579AUR-1TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODENCompensated Devices Incorporated
178691N457AHohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-DiodeNational Semiconductor
178701N457AKleine Signal-DiodeFairchild Semiconductor
178711N457ASignal-oder Computer-DiodeMicrosemi
178721N457ASILIKON-DIODECentral Semiconductor
178731N457ASILIKON-DIODECentral Semiconductor
178741N457A60 V, 500 mW niedrigen LeckdiodeBKC International Electronics
178751N457ATRHohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-DiodeFairchild Semiconductor
178761N457A_T50RHohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-DiodeFairchild Semiconductor
178771N457TRHohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-DiodeFairchild Semiconductor
178781N457_T50RHohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-DiodeFairchild Semiconductor
178791N458Hohe Leitfähigkeit-Niedrige Durchsickern-DiodeNational Semiconductor
178801N458125 V, 500 mW niedrigen LeckdiodeBKC International Electronics
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