| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 23121 | 1N5258 | SILIKON 500 mW ZENER DIODEN | Microsemi |
| 23122 | 1N5258 | PLANARE ZENER DIODEN DES SILIKON- | Semtech |
| 23123 | 1N5258 | DIODEN DES SILIKON-0.5W PLANARE ZENER | Shanghai Sunrise Electronics |
| 23124 | 1N5258 | Pd = 500mW, Vz = 36V Zenerdiode | MCC |
| 23125 | 1N5258A | 36 V, 3,4 mA, Zenerdiode | Leshan Radio Company |
| 23126 | 1N5258A | Zener Voltage Regulator Diode | Microsemi |
| 23127 | 1N5258A (DO-35) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 23128 | 1N5258A (DO7) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 23129 | 1N5258AUR-1 | Metallurgisch verbunden Glasoberflächenmontage 500 mW Zener. Nenn Zenerspannung 36 V Toleranz + -10%. | Microsemi |
| 23130 | 1N5258B | Silikon Zener Dioden | Vishay |
| 23131 | 1N5258B | Zener Dioden | Diodes |
| 23132 | 1N5258B | Zener Dioden für stabilisiertes Spg.Versorgungsteil | Hitachi Semiconductor |
| 23133 | 1N5258B | 500mw Epitaxial- Zener Diode | Comchip Technology |
| 23134 | 1N5258B | ZENER DIODE 2.4 VOLT DURCH 200VOLTS 500ML, 5% TOLERANZ | Central Semiconductor |
| 23135 | 1N5258B | Zener Diode | Formosa MS |
| 23136 | 1N5258B | 1N52 REIHE ZENER DIODEN | Leshan Radio Company |
| 23137 | 1N5258B | Spannung Reglerdioden | Philips |
| 23138 | 1N5258B | 500MW 5% DO-35 ZENER DIODE | Rectron Semiconductor |
| 23139 | 1N5258B | TECHNISCHE SPEZIFIKATIONEN DER GLASDIODEN DES SILIKON-ZENER | DC Components |
| 23140 | 1N5258B | Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
| 23141 | 1N5258B | Diodes>Zener | Renesas |
| 23142 | 1N5258B | 36.0V 500 mW Zener Diode | Continental Device India Limited |
| 23143 | 1N5258B | 500 Milliwatt Glas Silizium Zenerdiode Zenerspannung 36V | Motorola |
| 23144 | 1N5258B | Zener Voltage Regulator Diode | Microsemi |
| 23145 | 1N5258B (DO-35) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 23146 | 1N5258B (DO7) | Zener Spannung Regler-Diode | Microsemi |
| 23147 | 1N5258B-G | Zener Diodes, PD=0.5Watts, VZ=36V | Comchip Technology |
| 23148 | 1N5258B-LCC3 | ZENER SPANNUNG REGLER-DIODE IM HERMETISCHEN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG PAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 23149 | 1N5258BUR-1 | Metallurgisch verbunden Glasoberflächenmontage 500 mW Zener. Nenn Zenerspannung 36 V Toleranz + -5%. | Microsemi |
| 23150 | 1N5258B_T50A | Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
| 23151 | 1N5258B_T50R | Zener Diode | Fairchild Semiconductor |
| 23152 | 1N5258C | 36 V, 3,4 mA, Zenerdiode | Leshan Radio Company |
| 23153 | 1N5258D | 36 V, 3,4 mA, Zenerdiode | Leshan Radio Company |
| 23154 | 1N5258UR-1 | Metallurgisch verbunden Glasoberflächenmontage 500 mW Zener. Nenn Zenerspannung 36 V. | Microsemi |
| 23155 | 1N5259 | ZENER DIODEN | General Semiconductor |
| 23156 | 1N5259 | Silikon Planare Zener Dioden | Honey Technology |
| 23157 | 1N5259 | PLANARE ZENER DIODEN DES SILIKON- | GOOD-ARK Electronics |
| 23158 | 1N5259 | 500 mW Zener Diode 2.4 bis 200 Volt | Micro Commercial Components |
| 23159 | 1N5259 | ZENER SPANNUNG REGLER-DIODE IM HERMETISCHEN KERAMISCHEN OBERFLÄCHENEINFASSUNG PAKET FÜR HOHE ZUVERLÄSSIGKEIT ANWENDUNGEN | SemeLAB |
| 23160 | 1N5259 | PLANARE ZENER DIODEN DES SILIKON- | Surge Components |
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