| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 257521 | BD544A | 60 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 257522 | BD544B | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 257523 | BD544B | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | TRSYS |
| 257524 | BD544B | 80 V PNP Silicon Power Transistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 257525 | BD544C | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 257526 | BD544C | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | TRSYS |
| 257527 | BD544C | 100 V, PNP Silizium-Leistungstransistor | TRANSYS Electronics Limited |
| 257528 | BD545 | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 257529 | BD545A | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 257530 | BD545B | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 257531 | BD545C | NPN SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 257532 | BD546 | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 257533 | BD546A | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 257534 | BD546B | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 257535 | BD546C | PNP SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Power Innovations |
| 257536 | BD550 | SILIKON-TRANSISTOR FÜR QUASI - ERGÄNZENDE SYMMETRIE-AUDIOVERSTÄRKER | General Electric Solid State |
| 257537 | BD550 | SILIKON-TRANSISTOR FÜR QUASI - ERGÄNZENDE SYMMETRIE-AUDIOVERSTÄRKER | General Electric Solid State |
| 257538 | BD550B | SILIKON-TRANSISTOR FÜR QUASI - ERGÄNZENDE SYMMETRIE-AUDIOVERSTÄRKER | General Electric Solid State |
| 257539 | BD550B | SILIKON-TRANSISTOR FÜR QUASI - ERGÄNZENDE SYMMETRIE-AUDIOVERSTÄRKER | General Electric Solid State |
| 257540 | BD611 | TRANSISTOREN DES NPN SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 257541 | BD611 | TRANSISTOREN DES PNP SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 257542 | BD6111FV | Regler LSIs > variable Ausgang Spannung negativer Ausgang Regler | ROHM |
| 257543 | BD6112FVM/GLS | Kommunikationen LSIs > negatives Spg.Versorgungsteil ICs für zellulares Telefon | ROHM |
| 257544 | BD612 | TRANSISTOREN DES PNP SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 257545 | BD613 | TRANSISTOREN DES NPN SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 257546 | BD613 | TRANSISTOREN DES PNP SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 257547 | BD614 | TRANSISTOREN DES PNP SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 257548 | BD615 | TRANSISTOREN DES NPN SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 257549 | BD615 | TRANSISTOREN DES PNP SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 257550 | BD6155FVM | Kommunikationen LSIs > DC/DC Konverter für LCD Hintergrundbeleuchtung | ROHM |
| 257551 | BD616 | TRANSISTOREN DES PNP SILIKON-EPIBASE | Siemens |
| 257552 | BD616LV4017AC-55 | Sehr niedriges Power/Voltage CMOS SRAM 256K X Bit 16 | Brilliance Semiconductor |
| 257553 | BD616LV4017AC-55 | Sehr niedriges Power/Voltage CMOS SRAM 256K X Bit 16 | Brilliance Semiconductor |
| 257554 | BD616LV4017AC-70 | Sehr niedriges Power/Voltage CMOS SRAM 256K X Bit 16 | Brilliance Semiconductor |
| 257555 | BD616LV4017AC-70 | Sehr niedriges Power/Voltage CMOS SRAM 256K X Bit 16 | Brilliance Semiconductor |
| 257556 | BD616LV4017ACG55 | Sehr niedriges Power/Voltage CMOS SRAM 256K X Bit 16 | Brilliance Semiconductor |
| 257557 | BD616LV4017ACG55 | Sehr niedriges Power/Voltage CMOS SRAM 256K X Bit 16 | Brilliance Semiconductor |
| 257558 | BD616LV4017ACG70 | Sehr niedriges Power/Voltage CMOS SRAM 256K X Bit 16 | Brilliance Semiconductor |
| 257559 | BD616LV4017ACG70 | Sehr niedriges Power/Voltage CMOS SRAM 256K X Bit 16 | Brilliance Semiconductor |
| 257560 | BD616LV4017ACP55 | Sehr niedriges Power/Voltage CMOS SRAM 256K X Bit 16 | Brilliance Semiconductor |
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