| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 31561 | 1N825 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31562 | 1N825 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31563 | 1N825 | TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN | Compensated Devices Incorporated |
| 31564 | 1N825 | Spannung Bezugsdioden | Philips |
| 31565 | 1N825 | BEZUGSDIODEN DES TEMPERATURECOMPENSATED SILIKON-ZENER 6.2 V, 400 mW | Motorola |
| 31566 | 1N825 (DO35) | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31567 | 1N825-1 | AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN 6.2 U. 6.55 VOLT-TEMPERATUR | Microsemi |
| 31568 | 1N825A | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31569 | 1N825A | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31570 | 1N825A | TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN | Compensated Devices Incorporated |
| 31571 | 1N825A | Spannung Bezugsdioden | Philips |
| 31572 | 1N825A | BEZUGSDIODEN DES TEMPERATURECOMPENSATED SILIKON-ZENER 6.2 V, 400 mW | Motorola |
| 31573 | 1N825A | Verbleite Zener Diode Temperatur Glich Aus | Central Semiconductor |
| 31574 | 1N825A (DO35) | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31575 | 1N825AUR | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31576 | 1N825AUR-1 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31577 | 1N825UR | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich Oberflächeneinfassung Zener Bezugsdioden Aus | Microsemi |
| 31578 | 1N825UR | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich Oberflächeneinfassung Zener Bezugsdioden Aus | Microsemi |
| 31579 | 1N825UR-1 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31580 | 1N826 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31581 | 1N826 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31582 | 1N826 | TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN | Compensated Devices Incorporated |
| 31583 | 1N826 (DO35) | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31584 | 1N826-1 | AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN 6.2 U. 6.55 VOLT-TEMPERATUR | Microsemi |
| 31585 | 1N826A | AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN 6.2 U. 6.55 VOLT-TEMPERATUR | Microsemi |
| 31586 | 1N826UR | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich Oberflächeneinfassung Zener Bezugsdioden Aus | Microsemi |
| 31587 | 1N826UR | Eine 6.2 U. 6.55 Volt-Temperatur Glich Oberflächeneinfassung Zener Bezugsdioden Aus | Microsemi |
| 31588 | 1N827 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31589 | 1N827 | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31590 | 1N827 | TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN | Compensated Devices Incorporated |
| 31591 | 1N827 | Spannung Bezugsdioden | Philips |
| 31592 | 1N827 | BEZUGSDIODEN DES TEMPERATURECOMPENSATED SILIKON-ZENER 6.2 V, 400 mW | Motorola |
| 31593 | 1N827 (DO35) | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31594 | 1N827-1 | AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN 6.2 U. 6.55 VOLT-TEMPERATUR | Microsemi |
| 31595 | 1N827A | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31596 | 1N827A | SPANNUNG Zener Des Bezugs0tc | Microsemi |
| 31597 | 1N827A | TEMPERATUR AUSGEGLICHENE ZENER BEZUGSDIODEN | Compensated Devices Incorporated |
| 31598 | 1N827A | Spannung Bezugsdioden | Philips |
| 31599 | 1N827A | BEZUGSDIODEN DES TEMPERATURECOMPENSATED SILIKON-ZENER 6.2 V, 400 mW | Motorola |
| 31600 | 1N827A | Verbleite Zener Diode Temperatur Glich Aus | Central Semiconductor |
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