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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
317321CMMR-06SMD Universeller Gleichrichter EinzelnCentral Semiconductor
317322CMMR-10SMD Universeller Gleichrichter EinzelnCentral Semiconductor
317323CMMSH1-40SMD Schottky Diode EinzelnCentral Semiconductor
317324CMMT4910.500W General Purpose NPN SMD-Transistor. 60V Vceo, 1.000A Ic, 100-300 hFE. Ergänzende CMMT591Continental Device India Limited
317325CMMT4930.500W General Purpose NPN SMD-Transistor. 100V Vceo, 1.000A Ic, 20 hFE. Ergänzende CMMT593Continental Device India Limited
317326CMMT495NPN SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTORContinental Device India Limited
317327CMMT5910.500W General Purpose PNP SMD-Transistor. 60V Vceo, 1.000A Ic, 100-300 hFE. Ergänzende CMMT491Continental Device India Limited
317328CMMT591A0.500W General Purpose PNP SMD-Transistor. 40V Vceo, 1.000A Ic, 300 hFE.Continental Device India Limited
317329CMOD2004ULTRAmini. OBERFLÄCHENEINFASSUNG HOCHSPANNUNGSSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
317330CMOD4448ULTRAminiTM SCHNELLSCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
317331CMOD6001ULTRAmini. OBERFLÄCHENEINFASSUNG NIEDRIGE DURCHSICKERN-SCHALTUNG DIODECentral Semiconductor
317332CMOD6263ULTRAmini. HOCHSPANNUNGSSCHOTTKY DIODECentral Semiconductor
317333CMOS 3.0 VOLT-ONLY, SIMULTANEOUS READ/WR64 Megabit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit)Advanced Micro Devices
317334CMOS DRAMEDO Modus, Vorrichtung x4 und x8 zeitliche Regelung DiagrammSamsung Electronic
317335CMOS SDRAMCmos SDRAM Vorrichtung BetriebeSamsung Electronic
317336CMOS-61.0-MICRON CMOS GATTERANORDNUNGENNEC
317337CMOS-6A1.0-MICRON CMOS GATTERANORDNUNGENNEC
317338CMOS-6V1.0-MICRON CMOS GATTERANORDNUNGENNEC
317339CMOS-6X1.0-MICRON CMOS GATTERANORDNUNGENNEC



317340CMOSH-3ULTRAminiTM OBERFLÄCHE EINFASSUNG SCHOTTKY DIODENCentral Semiconductor
317341CMOSH-4ESMD Schottky Diode Einzeln: Stark GegenwärtigCentral Semiconductor
317342CMOSH2-4LSMD Schottky Diode Einzeln: Niedriges VFCentral Semiconductor
317343CMOZ10LULTRAmini. DIODE DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317344CMOZ10VULTRAmini. ZENER DIODE 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317345CMOZ11LULTRAmini. DIODE DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317346CMOZ11VULTRAmini. ZENER DIODE 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317347CMOZ12LULTRAmini. DIODE DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317348CMOZ12VULTRAmini. ZENER DIODE 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317349CMOZ13LULTRAmini. DIODE DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317350CMOZ13VULTRAmini. ZENER DIODE 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317351CMOZ15LULTRAmini. DIODE DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317352CMOZ15VULTRAmini. ZENER DIODE 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317353CMOZ16LULTRAmini. DIODE DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317354CMOZ16VULTRAmini. ZENER DIODE 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317355CMOZ18LULTRAmini. DIODE DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317356CMOZ18VULTRAmini. ZENER DIODE 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317357CMOZ20LULTRAmini. DIODE DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317358CMOZ20VULTRAmini. ZENER DIODE 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317359CMOZ22LULTRAmini. DIODE DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
317360CMOZ22VULTRAmini. ZENER DIODE 2.4 VOLT BIS 43 VOLT 350MW, 5% TOLERANZCentral Semiconductor
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