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| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 518161 | HYE18L256160BC-75 | DRAMs für bewegliche Anwendungen | Infineon |
| 518162 | HYE18L256160BF-7.5 | Sehr niedrige Energie SDRAM optimiert für die batteriebetriebenen, Handanwendungen | Infineon |
| 518163 | HYE18L256160BF-75 | DRAMs für bewegliche Anwendungen | Infineon |
| 518164 | HYE18P16161AC | 16M Asynchronous/Page CellularRAM | Infineon |
| 518165 | HYE18P16161AC-60 | GEDÄCHTNIS-SPEKTRUM | Infineon |
| 518166 | HYE18P16161AC-70 | Spezialgebiet DRAMs - 1Mx16, VGBGA-48; Vorhandenes 2Q04 | Infineon |
| 518167 | HYE18P16161AC-85 | Spezialgebiet DRAMs - 1Mx16, VFBGA-48; Vorhandenes 2Q04 | Infineon |
| 518168 | HYE18P16161ACL70 | 16M Asynchronous/Page CellularRAM | Infineon |
| 518169 | HYE18P16161ACL85 | 16M Asynchronous/Page CellularRAM | Infineon |
| 518170 | HYE18P32160AC | 32M Synchroner Stoß CellularRAM | Infineon |
| 518171 | HYE18P32160AC-125 | 32M Synchroner Stoß CellularRAM | Infineon |
| 518172 | HYE18P32160AC-15 | Spezialgebiet DRAMs - 2Mx16, VFBGA-54; Vorhandenes 2Q04 | Infineon |
| 518173 | HYE18P32160AC-96 | 32M Synchroner Stoß CellularRAM | Infineon |
| 518174 | HYE18P32160ACL125 | 32M Synchroner Stoß CellularRAM | Infineon |
| 518175 | HYE18P32160ACL15 | 32M Synchroner Stoß CellularRAM | Infineon |
| 518176 | HYE18P32160ACL96 | 32M Synchroner Stoß CellularRAM | Infineon |
| 518177 | HYE18P32161AC | 32M Asynchronous/Page CellularRAM | Infineon |
| 518178 | HYE18P32161AC-70 | Spezialgebiet DRAMs - 2Mx16, VGBGA-48; Vorhandenes 2Q04 | Infineon |
| 518179 | HYE18P32161AC-85 | Spezialgebiet DRAMs - 2Mx16, VGBGA-48; Vorhandenes 2Q04 | Infineon |
| 518180 | HYE18P32161ACL70 | 32M Asynchronous/Page CellularRAM | Infineon |
| 518181 | HYE18P32161ACL85 | 32M Asynchronous/Page CellularRAM | Infineon |
| 518182 | HYE25L128160AC-7.5 | Spezialgebiet DRAMs - 128M (8Mx16) 133MHz 3-3-3 Ext. Temp | Infineon |
| 518183 | HYE25L128160AC-75 | 128-MBIT SYNCHRONER LOW-POWER DRAM IN DEN CHIPSIZE PAKETEN | Infineon |
| 518184 | HYE25L128160AC-8 | 128-MBIT SYNCHRONER LOW-POWER DRAM IN DEN CHIPSIZE PAKETEN | Infineon |
| 518185 | HYE25L256160AC | Beweglich-RAM 256-Mbit | Infineon |
| 518186 | HYE25L256160AC-7.5 | Spezialgebiet DRAMs - 256M (16Mx16) 133MHz 3-3-3 Ext. Temp. | Infineon |
| 518187 | HYE25L256160AC-75 | Beweglich-RAM 256-Mbit | Infineon |
| 518188 | HYE25L256160AC-8 | Beweglich-RAM 256-Mbit | Infineon |
| 518189 | HYE25L256160AF | Beweglich-RAM 256MBit | Infineon |
| 518190 | HYE25L256160AF-7.5 | Sehr niedrige Energie SDRAM optimiert für die batteriebetriebenen, Handanwendungen | Infineon |
| 518191 | HYE25L256160AF-75 | Beweglich-RAM 256MBit | Infineon |
| 518192 | HYE25L512160AC-7.5 | Spezialgebiet DRAMs - 512M (32Mx16)133MHz 3-3-3 Ext. Temp. | Infineon |
| 518193 | HYF33DS512800ATC | GEDÄCHTNIS-SPEKTRUM | Infineon |
| 518194 | HYM321000GS-50 | 1M x 32 Bit DRAM Modul | Infineon |
| 518195 | HYM321000GS-50 | 1M x dynamisches RAM 32-Bit Modul 2M x 16-Bit dynamisches RAM Modul | Siemens |
| 518196 | HYM321000GS-60 | 1M x 32 Bit DRAM Modul | Infineon |
| 518197 | HYM321000GS-60 | 1M x dynamisches RAM 32-Bit Modul 2M x 16-Bit dynamisches RAM Modul | Siemens |
| 518198 | HYM321000S | 1M x dynamisches RAM 32-Bit Modul 2M x 16-Bit dynamisches RAM Modul | Siemens |
| 518199 | HYM321000S-50 | 1M x 32 Bit DRAM Modul | Infineon |
| 518200 | HYM321000S-50 | 1M x dynamisches RAM 32-Bit Modul 2M x 16-Bit dynamisches RAM Modul | Siemens |
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