| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 53641 | 2SC2833A | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53642 | 2SC2833A | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Verzweigung MESA | Unknow |
| 53643 | 2SC2833A | Si NPN triple diffundiert. High-Speed-Switching. | Panasonic |
| 53644 | 2SC2834 | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Unknow |
| 53645 | 2SC2834 | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Unknow |
| 53646 | 2SC2834A | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Unknow |
| 53647 | 2SC2834A | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Verzweigung MESA Art | Unknow |
| 53648 | 2SC2837 | Transistor Des Silikon-NPN | Sanken |
| 53649 | 2SC2837 | ENERGIE TRANSISTORS(10A, 150v, 100w) | MOSPEC Semiconductor |
| 53650 | 2SC2839 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor HF Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 53651 | 2SC2840 | NPN Epitaxial- Planare Art Silikon-Transistor | SANYO |
| 53652 | 2SC2840 | NPN Epitaxial- Planare Art Silikon-Transistor | SANYO |
| 53653 | 2SC2841 | Si NPN triple diffundiert Mesa. High-Speed ??Leistungsschalt. | Panasonic |
| 53654 | 2SC2845 | EPITAXIAL- PLANARES DES SILIKON-NPN | Panasonic |
| 53655 | 2SC2845 | EPITAXIAL- PLANARES DES SILIKON-NPN | Panasonic |
| 53656 | 2SC2851 | Transistoren (Vorwähler-Führer durch Applications und Funktionen) | Panasonic |
| 53657 | 2SC2853 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53658 | 2SC2853 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 53659 | 2SC2853 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53660 | 2SC2854 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53661 | 2SC2854 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 53662 | 2SC2855 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53663 | 2SC2855 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 53664 | 2SC2856 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53665 | 2SC2856 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 53666 | 2SC2856 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53667 | 2SC2857 | NPN Dreifache Zerstreute Planare Silikon-Transistor Hoch-Spannung Treiber-Anwendungen | SANYO |
| 53668 | 2SC2859 | Epitaxial- (PCT Prozeß) Tonfrequenz-niedrige Endverstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen des Transistor-Silikon-NPN, die Anwendungen schalten | TOSHIBA |
| 53669 | 2SC2860 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Panasonic |
| 53670 | 2SC2860 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Panasonic |
| 53671 | 2SC2869 | Niedriger Geräusch-Verstärker VHF u. UHFDES bandes | NEC |
| 53672 | 2SC2869 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 53673 | 2SC2869 | Niedriger Geräusch-Verstärker VHF u. UHFDES bandes | NEC |
| 53674 | 2SC2869 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 53675 | 2SC2873 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-PNP (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Energie Schaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 53676 | 2SC2878 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN für die daempfenden und zugeschalteten Anwendungen | TOSHIBA |
| 53677 | 2SC2879 | EPITAXIAL- PLANARE ART 2~30MHZ SSB LINEARE ENDVERSTÄRKER-ANWENDUNGEN (NIEDRIGER VERSORGUNGSMATERIAL-SPANNUNG GEBRAUCH) DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 53678 | 2SC2880 | Dreifache zerstreute Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Hochspannungsschaltung Anwendungen | TOSHIBA |
| 53679 | 2SC2881 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Spannung Verstärker-Anwendungen Endverstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 53680 | 2SC2882 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Endverstärker-Anwendungen Spannung Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
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