| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 57841 | 2SD1975A | Planare Verstärkung hohe Energie type(For dreifache Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN) | Panasonic |
| 57842 | 2SD1976 | Transistor Des Silikon-NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57843 | 2SD1976 | Dreifaches Des Silikon-NPN Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 57844 | 2SD1976 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 57845 | 2SD1977 | PNP EPITAXIAL/NPN SILIKON-DREIERGRUPPE DIFUSSED TRANSISTOR-TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER | Unknow |
| 57846 | 2SD1977 | PNP EPITAXIAL/NPN SILIKON-DREIERGRUPPE DIFUSSED TRANSISTOR-TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER | Unknow |
| 57847 | 2SD1978 | Transistor Des Silikon-NPN Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57848 | 2SD1978 | Silikon NPN Epitaxial-, Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 57849 | 2SD1978 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 57850 | 2SD1979 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 57851 | 2SD1979G | Silikon-NPN Epitaxial- planare Art | Panasonic |
| 57852 | 2SD1980 | Transistoren > Mittlere Energie Zweipoliges Transistors(0.5W-1.0W) | ROHM |
| 57853 | 2SD1981 | NPN Epitaxial- Planare Silikon Darlington Transistor-Treiber-Anwendungen | SANYO |
| 57854 | 2SD1985 | Planare Verstärkung Energie type(For dreifache Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN) | Panasonic |
| 57855 | 2SD1985A | Planare Verstärkung Energie type(For dreifache Diffusion (Zerstäubung) des Silikons NPN) | Panasonic |
| 57856 | 2SD1990 | Silikon-NPN Dreifach-Zerstreute Planare Art-/ Energie Schaltung | Panasonic |
| 57857 | 2SD1991 | Transistor - Silikon-NPN Epitaxial- Planare Art | Panasonic |
| 57858 | 2SD1991A | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 57859 | 2SD1992 | Transistor - Silikon-NPN Epitaxial- Planare Art | Panasonic |
| 57860 | 2SD1992A | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 57861 | 2SD1993 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 57862 | 2SD1994 | Transistor - Silikon-NPN Epitaxial- Planare Art - für die Niederfrequenz Leistungsverstärkung und Antriebs, Komplementärpaar mit 2SB1322 und 2SB1322A | Panasonic |
| 57863 | 2SD1994A | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 57864 | 2SD1995 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 57865 | 2SD1996 | Differentielle Vorrichtung - differentieller Transistor - Allgemein-verwenden Sie Niedrig-Frequenz Amplifires | Panasonic |
| 57866 | 2SD1997 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Kompakte Bewegungstreiber-Anwendungen | SANYO |
| 57867 | 2SD1998 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Kompakte Bewegungstreiber-Anwendungen | SANYO |
| 57868 | 2SD1999 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistor-Kompakte Bewegungstreiber-Anwendungen | SANYO |
| 57869 | 2SD200 | NPN DREIFACHE ZERSTREUTE FERNSEHAPPARAT DES PLANAREN SILIKON-TRANSISTOR(COLOR HORIZONTALE OUTPUT-ANWENDUNGEN) | Wing Shing Computer Components |
| 57870 | 2SD2000 | Starkstromgerät - Energie Transistoren - Allgemein-Zweck Energie Verstärkung | Panasonic |
| 57871 | 2SD2004 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57872 | 2SD2004 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57873 | 2SD2005 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57874 | 2SD2005 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57875 | 2SD2006 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57876 | 2SD2006 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57877 | 2SD2007 | TO-92L/TO-92LS/MRT Transistoren | ROHM |
| 57878 | 2SD2008 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57879 | 2SD2008 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
| 57880 | 2SD2009 | ENERGIE DES PAKET-1.2W NAHM DEN TRANSISTOR AUF, DER FÜR GEBRAUCH MIT EINER AUTOMATISCHEN PLAZIERUNG MECHINE BESTIMMT WAR | ROHM |
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