| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 598401 | K2010E | Hohe Zuverlässigkeit Optokoppler, Isolation 5000V, CTR = 60 bis 600% | Cosmo Electronics |
| 598402 | K2011 | WENN Filter für intercarrier Anwendung (WENN = 38.0 MHZ Standard-B/G-CCIR, D/K-OIRT) | etc |
| 598403 | K202 | Photocoupler(These Fotokupplungen bestehen aus dem ausstrahlenden zwei Galliumarsenidinfrared) | Kondenshi Corp |
| 598404 | K202 | Photocoupler(These Fotokupplungen bestehen aus dem ausstrahlenden zwei Galliumarsenidinfrared) | Kodenshi Corp |
| 598405 | K204 | Photocoupler(These Fotokupplungen bestehen aus dem ausstrahlenden zwei Galliumarsenidinfrared) | Kondenshi Corp |
| 598406 | K204 | Photocoupler(These Fotokupplungen bestehen aus dem ausstrahlenden zwei Galliumarsenidinfrared) | Kodenshi Corp |
| 598407 | K210 | DIODEN SEHR NIEDERSPANNUNG, NIEDRIGES DURCHSICKERN DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER | Knox Semiconductor Inc |
| 598408 | K21100B1EB1 | Einphasig-Brücke | Microsemi |
| 598409 | K21100Z1EB1 | 3 Phase Brücke | Microsemi |
| 598410 | K21120B1EB1 | Einphasig-Brücke | Microsemi |
| 598411 | K21120Z1EB1 | 3 Phase Brücke | Microsemi |
| 598412 | K21160B1EB1 | Einphasig-Brücke | Microsemi |
| 598413 | K21160Z1EB1 | 3 Phase Brücke | Microsemi |
| 598414 | K2120B1EB1 | Einphasig-Brücke | Microsemi |
| 598415 | K2120Z1EB1 | 3 Phase Brücke | Microsemi |
| 598416 | K2139 | MOS Fangen Effekt-Transistor auf | NEC |
| 598417 | K214 | Nom Zenerspannung: 2,4V; 250mW; gemessen von 1000-3000Hz; niedrigen Niveau Zenerdiode, sehr niedrige Spannung, geringer Leck | Knox Semiconductor Inc |
| 598418 | K2140B1EB1 | Einphasig-Brücke | Microsemi |
| 598419 | K2140Z1EB1 | 3 Phase Brücke | Microsemi |
| 598420 | K2141 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 598421 | K2160B1EB1 | Einphasig-Brücke | Microsemi |
| 598422 | K2160Z1EB1 | 3 Phase Brücke | Microsemi |
| 598423 | K2180B1EB1 | Einphasig-Brücke | Microsemi |
| 598424 | K2180Z1EB1 | 3 Phase Brücke | Microsemi |
| 598425 | K220 | Silikon-Bilaterale Spannung Ausgelöster Schalter | Ceramate |
| 598426 | K2200E70 | ausgelöster Schalter des Silikons bilaterale Spannung | Teccor Electronics |
| 598427 | K2200F1 | ausgelöster Schalter des Silikons bilaterale Spannung | Teccor Electronics |
| 598428 | K2200G | ausgelöster Schalter des Silikons bilaterale Spannung | Teccor Electronics |
| 598429 | K2200S | ausgelöster Schalter des Silikons bilaterale Spannung | Teccor Electronics |
| 598430 | K240 | DIODEN SEHR NIEDERSPANNUNG, NIEDRIGES DURCHSICKERN DES NIEDRIGEN NIVEAU-ZENER | Knox Semiconductor Inc |
| 598431 | K240 | Silicon bilateralen Spannung ausgelöst Schalter. Bruchspannung 220V (min) bis 250V (max). | Ceramate |
| 598432 | K2400E70 | ausgelöster Schalter des Silikons bilaterale Spannung | Teccor Electronics |
| 598433 | K2400F1 | ausgelöster Schalter des Silikons bilaterale Spannung | Teccor Electronics |
| 598434 | K2400G | ausgelöster Schalter des Silikons bilaterale Spannung | Teccor Electronics |
| 598435 | K2400S | ausgelöster Schalter des Silikons bilaterale Spannung | Teccor Electronics |
| 598436 | K2401F1 | ausgelöster Schalter des Silikons bilaterale Spannung | Teccor Electronics |
| 598437 | K246 | SCHALTUNG N-CHANNEL ENERGIE MOS FET INDUSTRIELLER GEBRAUCH | NEC |
| 598438 | K246 | Silikon-Ausbreitungswiderstand-Temperaturfühler im verbleiten Plastikminipaket | Siemens |
| 598439 | K246 | N-Führung Mos-FET | Fuji Electric |
| 598440 | K246 | Ultrahoch-Geschwindigkeit Schaltung Anwendungen | SANYO |
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