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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
688801M29W160DT90N6TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688802M29W160DT90N6T16 Mbit 2Mb x8 oder x16 1Mb, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688803M29W160DT90ZA1TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
688804M29W160DT90ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
688805M29W160DT90ZA1T16 Mbit 2Mb x8 oder x16 1Mb, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688806M29W160DT90ZA6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
688807M29W160DT90ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder 1Mb x16, Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis des Aufladung Block-3VST Microelectronics
688808M29W160DT90ZA6T16 Mbit 2Mb x8 oder x16 1Mb, Boot Block 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688809M29W160EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688810M29W160EBBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688811M29W160EB70N1BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688812M29W160EB70N1TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688813M29W160EB70N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688814M29W160EB70N670ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688815M29W160EB70N6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688816M29W160EB70N6E70ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688817M29W160EB70N6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
688818M29W160EB70N6F70ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688819M29W160EB70N6TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics



688820M29W160EB70N6T70ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688821M29W160EB70ZA6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688822M29W160EB70ZA670ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688823M29W160EB70ZA6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688824M29W160EB70ZA6E70ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688825M29W160EB70ZA6FBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688826M29W160EB70ZA6F70ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688827M29W160EB70ZA6TBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
688828M29W160EB70ZA6T70ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688829M29W160EB90N1BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688830M29W160EB90N6BLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688831M29W160EB90N690ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688832M29W160EB90N6ABLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688833M29W160EB90N6ATBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688834M29W160EB90N6EBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688835M29W160EB90N6E90ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688836M29W160EB90N6FBlitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
688837M29W160EB90N6F90ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688838M29W160EB90N6TBLITZ-GEDÄCHTNIS DES VERSORGUNGSMATERIAL-16 MBIT (2MB X8 ODER 1MB X16, AUFLADUNG BLOCK) 3VST Microelectronics
688839M29W160EB90N6T90ns; V (in / out): -0,6 bis + 0,6V; 16Mbit (2MB x 8 oder 1 MB x 16, Boot-Block) 3V Versorgungs Flash-SpeicherSGS Thomson Microelectronics
688840M29W160EB90ZA6Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-16 Mbit (2Mb x8 oder 1Mb x16, Aufladung Block) 3VST Microelectronics
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