| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 689161 | M29W320ET90ZE6E | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-32 Mbit (4Mb x8 oder 2Mb x16, Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 689162 | M29W320ET90ZE6F | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-32 Mbit (4Mb x8 oder 2Mb x16, Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 689163 | M29W320ET90ZE6T | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-32 Mbit (4Mb x8 oder 2Mb x16, Aufladung Block) 3V | ST Microelectronics |
| 689164 | M29W40 | 4 MBIT (512KB X8 ODER 256KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | SGS Thomson Microelectronics |
| 689165 | M29W400 | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16/Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689166 | M29W400B | NICHT FÜR NEUES DESIGN - 4 MBIT (512KB X8 ODER 256KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | ST Microelectronics |
| 689167 | M29W400B | 4 Mbit (512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block) Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | SGS Thomson Microelectronics |
| 689168 | M29W400B | NICHT FÜR NEUES DESIGN - 4 MBIT (512KB X8 ODER 256KB X16, AUFLADUNG BLOCK) NIEDERSPANNUNG EINZELNES VERSORGUNGSMATERIAL-BLITZ-GEDÄCHTNIS | SGS Thomson Microelectronics |
| 689169 | M29W400B-100M1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689170 | M29W400B-100M1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689171 | M29W400B-100M5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689172 | M29W400B-100M5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689173 | M29W400B-100M6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689174 | M29W400B-100M6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689175 | M29W400B-100N1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689176 | M29W400B-100N1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689177 | M29W400B-100N5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689178 | M29W400B-100N5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689179 | M29W400B-100N6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689180 | M29W400B-100N6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689181 | M29W400B-100ZA1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689182 | M29W400B-100ZA1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689183 | M29W400B-100ZA5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689184 | M29W400B-100ZA5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689185 | M29W400B-100ZA6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689186 | M29W400B-100ZA6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689187 | M29W400B-120M1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689188 | M29W400B-120M1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689189 | M29W400B-120M5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689190 | M29W400B-120M5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689191 | M29W400B-120M6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689192 | M29W400B-120M6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689193 | M29W400B-120N1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689194 | M29W400B-120N1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689195 | M29W400B-120N5R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689196 | M29W400B-120N5TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689197 | M29W400B-120N6R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689198 | M29W400B-120N6TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689199 | M29W400B-120ZA1R | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
| 689200 | M29W400B-120ZA1TR | 4 Mbit 512Kb x8 oder 256Kb x16, Aufladung Block-Niederspannung einzelnes Versorgungsmaterial-Blitz-Gedächtnis | ST Microelectronics |
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