| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 691921 | M35080BN | 8 Kbit Serien-SPI Bus EEPROM Mit Zusätzlichen Registern | ST Microelectronics |
| 691922 | M35080FP | 3508 Reihe Mikrocontroller: OSD Steuerpulte | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691923 | M35080MN | 8 Kbit Serien-SPI Bus EEPROM Mit Zusätzlichen Registern | ST Microelectronics |
| 691924 | M35101 | 13.56 MHZ, ISO 14443, KONTAKTLOSES SPEICHERCHIP 2048-BIT EEPROM | ST Microelectronics |
| 691925 | M35101 | 13.56 MHZ, ISO 14443, KONTAKTLOSES SPEICHERCHIP 2048-BIT EEPROM | SGS Thomson Microelectronics |
| 691926 | M35101 | Kontaktloses Speicherchip 13.56 MHZ, 2048-bit Hohe Ausdauer EEPROM | SGS Thomson Microelectronics |
| 691927 | M35101-C20 | Kontaktloses Speicherchip 13.56 MHZ, 2048-bit Hohe Ausdauer EEPROM | ST Microelectronics |
| 691928 | M35101-C30 | Kontaktloses Speicherchip 13.56 MHZ, 2048-bit Hohe Ausdauer EEPROM | ST Microelectronics |
| 691929 | M35101-S4 | Kontaktloses Speicherchip 13.56 MHZ, 2048-bit Hohe Ausdauer EEPROM | ST Microelectronics |
| 691930 | M35101-W4 | Kontaktloses Speicherchip 13.56 MHZ, 2048-bit Hohe Ausdauer EEPROM | ST Microelectronics |
| 691931 | M35102 | 13.56 MHZ, ISO 14443, KONTAKTLOSES SPEICHERCHIP 2048-BIT EEPROM MIT 64-BIT EINZIGARTIGER SERIE IDENTIFIKATION | ST Microelectronics |
| 691932 | M35102 | 13.56 MHZ, ISO 14443, KONTAKTLOSES SPEICHERCHIP 2048-BIT EEPROM MIT 64-BIT EINZIGARTIGER SERIE IDENTIFIKATION | SGS Thomson Microelectronics |
| 691933 | M35102 | Kontaktloses Gedächtnis mit 64-bit einzigartiger Serie Identifikation 13.56 MHZ, 2048-bit hohe Ausdauer EEPROM | SGS Thomson Microelectronics |
| 691934 | M35102-C20 | Kontaktloses Speicherchip mit 64-bit einzigartiger Serie Identifikation 13.56 MHZ, 2048-bit hohe Ausdauer EEPROM | ST Microelectronics |
| 691935 | M35102-C30 | Kontaktloses Speicherchip mit 64-bit einzigartiger Serie Identifikation 13.56 MHZ, 2048-bit hohe Ausdauer EEPROM | ST Microelectronics |
| 691936 | M35102-S4 | Kontaktloses Speicherchip mit 64-bit einzigartiger Serie Identifikation 13.56 MHZ, 2048-bit hohe Ausdauer EEPROM | ST Microelectronics |
| 691937 | M35102-W4 | Kontaktloses Speicherchip mit 64-bit einzigartiger Serie Identifikation 13.56 MHZ, 2048-bit hohe Ausdauer EEPROM | ST Microelectronics |
| 691938 | M35500 | FLD(VFD) STEUERPULT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691939 | M35500ADP | FLD(VFD) STEUERPULT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691940 | M35500AFP | FLD(VFD) STEUERPULT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691941 | M35500BGP | FLD(VFD) STEUERPULT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691942 | M35501FP | FLD(VFD) STELLE EXPANDER | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691943 | M35502AFP | FLD STEUERPULT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 691944 | M35B32 | 32 Kbit SPI-Bus Serielles EEPROM, 256-Byte-Seite, schnelle Programmierung | ST Microelectronics |
| 691945 | M35B32-WDW6TP | 32 Kbit SPI-Bus Serielles EEPROM, 256-Byte-Seite, schnelle Programmierung | ST Microelectronics |
| 691946 | M35B32-WMC6TG | 32 Kbit SPI-Bus Serielles EEPROM, 256-Byte-Seite, schnelle Programmierung | ST Microelectronics |
| 691947 | M35B32-WMN3TP/K | 32 Kbit SPI-Bus Serielles EEPROM, 256-Byte-Seite, schnelle Programmierung | ST Microelectronics |
| 691948 | M35B32-WMN6TP | 32 Kbit SPI-Bus Serielles EEPROM, 256-Byte-Seite, schnelle Programmierung | ST Microelectronics |
| 691949 | M35SP-11NK | Dünnster Körper unter der vorbildlichen Reihe mit Durchmesser 35 | Mitsumi Electric |
| 691950 | M3669 | Minigröße der getrennten Halbleiterelemente | SINYORK |
| 691951 | M366F040(8)4DT1-C EDO MODE WITHOUT BUFFE | 4MB x 64 DRAM DIMM mit 4MB x 16, 4KB u. 8KB erneuern 3.3V Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 691952 | M366F080(8)3DJ3-C EDO MODE WITHOUT BUFFE | 8M x 64 DRAM DIMM mit 8Mx8, 8K u. 4K erneuern, 3.3V Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 691953 | M366F080(8)3DJ3-C MODE WITHOUT BUFFER | 8M x 64 DRAM DIMM mit 8Mx8, 8K u. 4K erneuern, 3.3V Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 691954 | M366S0424DTS | 4M x 64 SDRAM DIMM, die auf 8M x 8, 4Banks basieren, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD Serienanwesenheit ermitteln | Samsung Electronic |
| 691955 | M366S0424DTS | 4M x 64 SDRAM DIMM, die auf 8M x 8, 4Banks basieren, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD Serienanwesenheit ermitteln | Samsung Electronic |
| 691956 | M366S0424ETS | 4Mx64 SDRAM DIMM basiert auf 4Mx16, 4Banks, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 691957 | M366S0424FTS | 4Mx64 SDRAM DIMM basiert auf 4Mx16, 4Banks, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 691958 | M366S0823DTS | 8M x 64 SDRAM DIMM, die auf 8M x 8, 4Banks basieren, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD Serienanwesenheit ermitteln | Samsung Electronic |
| 691959 | M366S0823DTS | 8M x 64 SDRAM DIMM, die auf 8M x 8, 4Banks basieren, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD Leistungsblatt | Samsung Electronic |
| 691960 | M366S0823DTS | 8M x 64 SDRAM DIMM, die auf 8M x 8, 4Banks basieren, 4K erneuern, synchrone DRAMs 3.3V mit SPD Leistungsblatt | Samsung Electronic |
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