Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
897561 | MP4005 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN&PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897562 | MP4005 | 40 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 Volt | Micro Commercial Components |
897563 | MP4005 | 40A, 50V ultraschnelle Wiederherstellung Gleichrichter | MCC |
897564 | MP4006 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN&PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897565 | MP4009 | Dreifache zerstreute Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb. Induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897566 | MP401 | 40 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 Volt | Micro Commercial Components |
897567 | MP401 | 40A, 100V ultra schnelle Wiederherstellung Gleichrichter | MCC |
897568 | MP4010 | 40 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 Volt | Micro Commercial Components |
897569 | MP4010 | 40A, 1000V ultra schnelle Wiederherstellung Gleichrichter | MCC |
897570 | MP4013 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897571 | MP4015 | Dreifache zerstreute Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb. Induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897572 | MP402 | 40 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 Volt | Micro Commercial Components |
897573 | MP402 | 40A, 200V ultra schnelle Wiederherstellung Gleichrichter | MCC |
897574 | MP4020 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897575 | MP4021 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897576 | MP4024 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897577 | MP4025 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (darlington Energie Transistor 4 1) im hohe Energie Schaltung Anwendungen Hammer-Antrieb, im Impuls-Bewegungs-Antrieb und in der induktive Belastung Schaltung | TOSHIBA |
897578 | MP404 | 40 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 Volt | Micro Commercial Components |
897579 | MP404 | 40A, 400V ultra schnelle Wiederherstellung Gleichrichter | MCC |
897580 | MP406 | 40 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 Volt | Micro Commercial Components |
897581 | MP406 | 40A, 600V ultra schnelle Wiederherstellung Gleichrichter | MCC |
897582 | MP408 | 40 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 Volt | Micro Commercial Components |
897583 | MP408 | 40A, 800V ultra schnelle Wiederherstellung Gleichrichter | MCC |
897584 | MP4101 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb. Induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897585 | MP4104 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897586 | MP4202 | FÜHRUNG MOS ART Des ENERGIE MOS Fet MODUL-SILIKON-N | TOSHIBA |
897587 | MP4203 | FÜHRUNG MOS ART Des TOSHIBA ENERGIE MOS Fet MODUL-SILIKON-P | TOSHIBA |
897588 | MP4207 | N U. P FÜHRUNG MOS ART (HOHE ENERGIE SCHNELLSCHALTUNG ANWENDUNGEN, H - SCHALTEN Sie TREIBER) | TOSHIBA |
897589 | MP4208 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-P (L2-pi-MOSV 4 1) hohe Energie in den Schnellschaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897590 | MP4209 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) hohe Energie in den Schnellschaltung Anwendungen. Für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-Treiber | TOSHIBA |
897591 | MP4210 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-Treiber | TOSHIBA |
897592 | MP4211 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-Treiber | TOSHIBA |
897593 | MP4212 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N&P (L2-pi-MOSV 4 1) hohe Energie im Schnellschaltung Anwendungen H-Schalter Treiber | TOSHIBA |
897594 | MP4301 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897595 | MP4303 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897596 | MP4304 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (hoher Gewinenergie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897597 | MP4305 | Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897598 | MP4403 | FÜHRUNG MOS ART Des TOSHIBA ENERGIE MOS Fet MODUL-SILIKON-N | TOSHIBA |
897599 | MP4410 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung. | TOSHIBA |
897600 | MP4411 | Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-Treiber | TOSHIBA |
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