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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
897561MP4005Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN&PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897562MP400540 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 VoltMicro Commercial Components
897563MP400540A, 50V ultraschnelle Wiederherstellung GleichrichterMCC
897564MP4006Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN&PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897565MP4009Dreifache zerstreute Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb. Induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897566MP40140 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 VoltMicro Commercial Components
897567MP40140A, 100V ultra schnelle Wiederherstellung GleichrichterMCC
897568MP401040 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 VoltMicro Commercial Components
897569MP401040A, 1000V ultra schnelle Wiederherstellung GleichrichterMCC
897570MP4013Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897571MP4015Dreifache zerstreute Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb. Induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897572MP40240 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 VoltMicro Commercial Components
897573MP40240A, 200V ultra schnelle Wiederherstellung GleichrichterMCC
897574MP4020Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897575MP4021Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897576MP4024Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897577MP4025Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (darlington Energie Transistor 4 1) im hohe Energie Schaltung Anwendungen Hammer-Antrieb, im Impuls-Bewegungs-Antrieb und in der induktive Belastung SchaltungTOSHIBA
897578MP40440 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 VoltMicro Commercial Components
897579MP40440A, 400V ultra schnelle Wiederherstellung GleichrichterMCC



897580MP40640 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 VoltMicro Commercial Components
897581MP40640A, 600V ultra schnelle Wiederherstellung GleichrichterMCC
897582MP40840 Ampere einphasig-Brückengleichrichter 50 bis 1000 VoltMicro Commercial Components
897583MP40840A, 800V ultra schnelle Wiederherstellung GleichrichterMCC
897584MP4101Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb. Induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897585MP4104Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897586MP4202FÜHRUNG MOS ART Des ENERGIE MOS Fet MODUL-SILIKON-NTOSHIBA
897587MP4203FÜHRUNG MOS ART Des TOSHIBA ENERGIE MOS Fet MODUL-SILIKON-PTOSHIBA
897588MP4207N U. P FÜHRUNG MOS ART (HOHE ENERGIE SCHNELLSCHALTUNG ANWENDUNGEN, H - SCHALTEN Sie TREIBER)TOSHIBA
897589MP4208Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-P (L2-pi-MOSV 4 1) hohe Energie in den Schnellschaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897590MP4209Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) hohe Energie in den Schnellschaltung Anwendungen. Für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-TreiberTOSHIBA
897591MP4210Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-TreiberTOSHIBA
897592MP4211Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-TreiberTOSHIBA
897593MP4212Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N&P (L2-pi-MOSV 4 1) hohe Energie im Schnellschaltung Anwendungen H-Schalter TreiberTOSHIBA
897594MP4301Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897595MP4303Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897596MP4304Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-NPN (hoher Gewinenergie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897597MP4305Epitaxial- Art des Energie Transistor-Modul-Silikon-PNP (Darlington Energie Transistor 4 1) in den hohe Energie Schaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897598MP4403FÜHRUNG MOS ART Des TOSHIBA ENERGIE MOS Fet MODUL-SILIKON-NTOSHIBA
897599MP4410Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen. Hammer-Antrieb, Impuls-Bewegungs-Antrieb und induktive Belastung Schaltung.TOSHIBA
897600MP4411Führung MOS Art des Energie MOS FET Modul-Silikon-N (L2-pi-MOSV 4 1) in der hohen Energie, Schnellschaltung Anwendungen für Drucker-Kopf-Stift Treiber und Impuls-Bewegungstreiber für Solenoid-TreiberTOSHIBA
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