| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 898961 | MPS2369A | Schaltung Transistoren | ON Semiconductor |
| 898962 | MPS2369A | NPN Hochgeschwindigkeits gesättigten Schalter. | Fairchild Semiconductor |
| 898963 | MPS2369ARLRA | Schalttransistoren | ON Semiconductor |
| 898964 | MPS2369ARLRM | Schalttransistoren | ON Semiconductor |
| 898965 | MPS2369ARLRP | Schaltung Transistoren | ON Semiconductor |
| 898966 | MPS2369AZL1 | Schalttransistoren | ON Semiconductor |
| 898967 | MPS2369RLRA | Schaltung Transistoren | ON Semiconductor |
| 898968 | MPS2369RLRP | Schalttransistoren | ON Semiconductor |
| 898969 | MPS2369ZL1 | Schalttransistoren | ON Semiconductor |
| 898970 | MPS2711 | NPN Silizium planare epitaktische Transistor | Micro Electronics |
| 898971 | MPS2712 | NPN Silizium planare epitaktische Transistor | Micro Electronics |
| 898972 | MPS2716 | NPN Silizium planare epitaktische Transistor | Micro Electronics |
| 898973 | MPS2906 | Planar passi epitaktischen PNP Silikon-Transistor. -40 V, -350mA. | General Electric Solid State |
| 898974 | MPS2906A | Planar passi epitaktischen PNP Silikon-Transistor. -40 V, -350mA. | General Electric Solid State |
| 898975 | MPS2907 | Universelle Transistoren | Motorola |
| 898976 | MPS2907 | 0.625W Schalt PNP Plastic Leaded Transistor. 40V Vceo, 0.600A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
| 898977 | MPS2907 | Planar passi epitaktischen PNP Silikon-Transistor. -40 V, -350mA. | General Electric Solid State |
| 898978 | MPS2907 | 60 V, 600 mA, PNP Siliziumepitaxieschicht Transistor | Samsung Electronic |
| 898979 | MPS2907-D | Universelles Silikon Der Transistor-PNP | ON Semiconductor |
| 898980 | MPS2907A | KLEINE SIGNAL-TRANSISTOREN (PNP) | General Semiconductor |
| 898981 | MPS2907A | Universelle Transistoren | Motorola |
| 898982 | MPS2907A | Kleiner Signal-Universeller Zweck PNP | ON Semiconductor |
| 898983 | MPS2907A | PNP (UNIVERSELLER TRANSISTOR) | Samsung Electronic |
| 898984 | MPS2907A | 0.625W Schalt PNP Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 0.600A Ic, 75 hFE. | Continental Device India Limited |
| 898985 | MPS2907A | Planar passi epitaktischen PNP Silikon-Transistor. -40 V, -350mA. | General Electric Solid State |
| 898986 | MPS2907A-D | Universelles Silikon Der Transistor-PNP | ON Semiconductor |
| 898987 | MPS2907ARL | Kleiner Signal-Universeller Zweck PNP | ON Semiconductor |
| 898988 | MPS2907ARL1 | Kleiner Signal-Universeller Zweck PNP | ON Semiconductor |
| 898989 | MPS2907ARLRA | Kleiner Signal-Universeller Zweck PNP | ON Semiconductor |
| 898990 | MPS2907ARLRE | Kleiner Signal-Universeller Zweck PNP | ON Semiconductor |
| 898991 | MPS2907ARLRM | Kleiner Signal-Universeller Zweck PNP | ON Semiconductor |
| 898992 | MPS2907ARLRP | Kleiner Signal-Universeller Zweck PNP | ON Semiconductor |
| 898993 | MPS2907AZL1 | Kleiner Signal-Universeller Zweck PNP | ON Semiconductor |
| 898994 | MPS2923 | NPN Silizium planare epitaktische Transistor | Micro Electronics |
| 898995 | MPS2924 | NPN Kleiner Signal-Zweck-Verstärker | Fairchild Semiconductor |
| 898996 | MPS2924 | NPN Silizium planare epitaktische Transistor | Micro Electronics |
| 898997 | MPS2925 | PNP SILIKON-PLANARE EPITAXIAL- TRANSISTOREN | Micro Electronics |
| 898998 | MPS3390 | VERSTÄRKER-TRANSISTOR | Motorola |
| 898999 | MPS3390 | NPN Silizium planare epitaktische Transistor | Micro Electronics |
| 899000 | MPS3391 | VERSTÄRKER-TRANSISTOR | Motorola |
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