| 811 | 2SC5010-T1 | STIFTE ULTRA SUPERMINIFORM DES NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-3 | NEC |
| 812 | 2SC5010-T1_-T2 | NPN Silikon-Transistor epitaktischen Typ | NEC |
| 813 | 2SC5011 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 814 | 2SC5011-T1 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 815 | 2SC5011-T1_-T2 | NPN Silikon-Transistor epitaktischen Typ | NEC |
| 816 | 2SC5011-T2 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 817 | 2SC5012 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 818 | 2SC5012-T1 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 819 | 2SC5012-T1_-T2 | NPN Silikon-Transistor epitaktischen Typ | NEC |
| 820 | 2SC5012-T2 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 821 | 2SC5013 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 822 | 2SC5013-T1 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 823 | 2SC5013-T1_-T2 | NPN Silikon-Transistor epitaktischen Typ | NEC |
| 824 | 2SC5013-T2 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 825 | 2SC5014 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 826 | 2SC5014-T1 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 827 | 2SC5014-T1_-T2 | NPN Silikon-Transistor epitaktischen Typ | NEC |
| 828 | 2SC5014-T2 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 829 | 2SC5015 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 830 | 2SC5015-T1 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 831 | 2SC5015-T1_-T2 | NPN Silikon-Transistor epitaktischen Typ | NEC |
| 832 | 2SC5015-T2 | STIFTE SUPERMINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN HOCHFREQUENZSILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 833 | 2SC5177 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 834 | 2SC5177-T1 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 835 | 2SC5177-T2 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 836 | 2SC5178 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 837 | 2SC5178-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 838 | 2SC5178-T2 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 839 | 2SC5178R | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 840 | 2SC5178R-T1 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 841 | 2SC5178R-T2 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 842 | 2SC5179 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM KLEINEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 843 | 2SC5179-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM KLEINEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 844 | 2SC5179-T2 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM KLEINEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 845 | 2SC5180 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 846 | 2SC5180-T1 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 847 | 2SC5180-T2 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 848 | 2SC5181 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM ULTRA SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 849 | 2SC5181-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM ULTRA SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 850 | 2SC5182 | NPS EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 851 | 2SC5182-T1 | NPS EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 852 | 2SC5182-T2 | NPS EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 853 | 2SC5183 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 854 | 2SC5183-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 855 | 2SC5183-T2 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IN DEN 4-STIFTEN MINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 856 | 2SC518383R | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 857 | 2SC518383R | OBERFLÄCHENEINFASSUNG NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 858 | 2SC5183R | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 859 | 2SC5183R-T1 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 860 | 2SC5183R-T2 | Hohe fT, High-Gain-Transistor | NEC |
| 861 | 2SC5184 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 862 | 2SC5184-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 863 | 2SC5184-T2 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 864 | 2SC5185 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 865 | 2SC5185-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 866 | 2SC5185-T2 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 867 | 2SC5186 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM ULTRA SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 868 | 2SC5186-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR IM ULTRA SUPERMINI-MOLD PAKET FÜR LOW-NOISE MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 869 | 2SC5191 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 870 | 2SC5191-T1 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 871 | 2SC5191-T2 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 872 | 2SC5192 | MIKROWELLE STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN SILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 873 | 2SC5192-T1 | MIKROWELLE STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN SILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 874 | 2SC5192-T2 | MIKROWELLE STIFTE MINIFORM NIEDRIGES DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN SILIKON-EPITAXIAL- DES TRANSISTOR-4 | NEC |
| 875 | 2SC5192R | Niederspannungsantrieb, Hochfrequenz-Transistor | NEC |
| 876 | 2SC5192R-T1 | Niederspannungsantrieb, Hochfrequenz-Transistor | NEC |
| 877 | 2SC5192R-T2 | Niederspannungsantrieb, Hochfrequenz-Transistor | NEC |
| 878 | 2SC5193 | MIKROWELLE NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-VERTRAG DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MINIFORM | NEC |
| 879 | 2SC5193-T1 | MIKROWELLE NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-VERTRAG DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MINIFORM | NEC |
| 880 | 2SC5193-T2 | MIKROWELLE NIEDRIGER SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-VERTRAG DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN MINIFORM | NEC |
| 881 | 2SC5194 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 882 | 2SC5194-T1 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 883 | 2SC5194-T2 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 884 | 2SC5195 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 885 | 2SC5195-T1 | MIKROWELLE NIEDRIGES SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR DES GERÄUSCH-VERSTÄRKER-NPN | NEC |
| 886 | 2SC5288 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR FÜR L-BAND LOW-POWER VERSTÄRKER | NEC |
| 887 | 2SC5288-T1 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR FÜR L-BAND LOW-POWER VERSTÄRKER | NEC |
| 888 | 2SC5289 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR FÜR L-BAND LOW-POWER VERSTÄRKER | NEC |
| 889 | 2SC5289-T1 | Mobilkommunikation Sendeleistungsverstärker | NEC |
| 890 | 2SC5336 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR-NIEDRIGER HOCHFREQUENZVERZERRUNGSVERSTÄRKER | NEC |
| 891 | 2SC5336-T1 | High-Gain-Transistor | NEC |
| 892 | 2SC5337 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR-NIEDRIGER HOCHFREQUENZVERZERRUNGSVERSTÄRKER | NEC |
| 893 | 2SC5337-T1 | Neue Kraft mini (ein Produkt mit Gewinn verbesserte der 2SC4536) | NEC |
| 894 | 2SC5338 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR-NIEDRIGER HOCHFREQUENZVERZERRUNGSVERSTÄRKER | NEC |
| 895 | 2SC5338-T1 | High-Gain-Transistor | NEC |
| 896 | 2SC5369 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR FÜR MIKROWELLE VERSTÄRKUNG | NEC |
| 897 | 2SC5369-T1 | Mikrowelle Lärm reduziert Verstärker / Verstärker mit hoher Verstärkung | NEC |
| 898 | 2SC5408 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR FÜR MIKROWELLE HIGH-GAIN VERSTÄRKUNG | NEC |
| 899 | 2SC5408-T1 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR FÜR MIKROWELLE HIGH-GAIN VERSTÄRKUNG | NEC |
| 900 | 2SC5409 | NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR FÜR MIKROWELLE HIGH-GAIN VERSTÄRKUNG | NEC |
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