| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 255921 | BD138-6 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | Siemens |
| 255922 | BD138-6 | 12.500W de conmutación PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40-100 hFE. Complementaria BD137-6 | Continental Device India Limited |
| 255923 | BD13810S | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255924 | BD13810STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255925 | BD13816S | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255926 | BD13816STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255927 | BD1386S | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255928 | BD1386STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255929 | BD139 | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255930 | BD139 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | ST Microelectronics |
| 255931 | BD139 | Mocy del du¿ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 255932 | BD139 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 255933 | BD139 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 255934 | BD139 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 255935 | BD139 | Transistores de energía de NPN | Philips |
| 255936 | BD139 | Transistor Medio Plástico Del Silicio NPN De la Energía | Motorola |
| 255937 | BD139 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 255938 | BD139 | Energía 1.Ä 80V NPN | ON Semiconductor |
| 255939 | BD139 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 - 250 hFE. BD140 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 255940 | BD139-10 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 255941 | BD139-10 | Transistores de energía de NPN | Philips |
| 255942 | BD139-10 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | ST Microelectronics |
| 255943 | BD139-10 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 63-160 hFE. BD140-10 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 255944 | BD139-16 | Transistores de energía de NPN | Philips |
| 255945 | BD139-16 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | ST Microelectronics |
| 255946 | BD139-16 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 100-250 hFE. BD140-16 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 255947 | BD139-25 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 160-400 hFE. BD140-25 Complementaria | Continental Device India Limited |
| 255948 | BD139-6 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE NPN | Siemens |
| 255949 | BD139-6 | 12.500W de conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40-100 hFE. Complementaria BD140-6 | Continental Device India Limited |
| 255950 | BD13910S | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255951 | BD13910STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255952 | BD13916S | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255953 | BD13916STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255954 | BD1396S | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255955 | BD1396STU | Transistor Epitaxial Del Silicio de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 255956 | BD140 | Transistor Epitaxial Del Silicio de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 255957 | BD140 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | ST Microelectronics |
| 255958 | BD140 | Mocy del du¿ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 255959 | BD140 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 255960 | BD140 | TRANSISTORES DEL SILICIO DE PNP | SGS Thomson Microelectronics |
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