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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
259041BF258Propósito General de 1.000W NPN metal puede transistor. 250V VCEO, 0.100A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
259042BF259Czêstotliwo¶ci del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259043BF259Mocy krzemowy del ¶redniej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci del wielkiejUltra CEMI
259044BF259AMPLIFICADOR VIDEO DE ALTO VOLTAJE DE NPNMicro Electronics
259045BF259AMPLIFICADORES VIDEO DE ALTO VOLTAJESGS Thomson Microelectronics
259046BF259Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
259047BF259AMPLIFICADORES VIDEO DE ALTO VOLTAJEST Microelectronics
259048BF259Propósito General de 1.000W NPN metal puede transistor. 300V VCEO, 0.100A Ic, 25 hFE.Continental Device India Limited
259049BF314Czêstotliwo¶ci del wielkiej de TranzystorUltra CEMI
259050BF314TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
259051BF324Transistor medio de la frecuencia de PNPPhilips
259052BF324TRANSISTOR DEL RF DEL SILICIO DE PNPSiemens
259053BF333Favorable Serie De la ElecciónNational Semiconductor
259054BF337Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la SeñalCentral Semiconductor
259055BF3506TVPUENTE LLENO DE LA RECTIFICACIÓN 50-60cHzSGS Thomson Microelectronics
259056BF3506TVPUENTE LLENO DE LA RECTIFICACIÓN 50-60cHzST Microelectronics
259057BF3510TVPUENTE LLENO DE LA RECTIFICACIÓN 50-60hzST Microelectronics
259058BF3510TVPUENTE LLENO DE LA RECTIFICACIÓN 50-60cHzSGS Thomson Microelectronics
259059BF355Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB



259060BF355Dispositivo Bipolar de NPNSemeLAB
259061BF362TRANSISTORES DEL RF DEL SILICIO DE NPNSiemens
259062BF363TRANSISTORES DEL RF DEL SILICIO DE NPNSiemens
259063BF36931LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259064BF36931LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259065BF36933LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259066BF36933LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259067BF370Transistor medio de la frecuencia de NPNPhilips
259068BF370R0.500W alto voltaje NPN Transistor de plástico con plomo. 15V VCEO, 0.100A Ic, 40 hFE.Continental Device India Limited
259069BF37931ELA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259070BF37931ELA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259071BF37933LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259072BF37933LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259073BF38931LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259074BF38931LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259075BF38933LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259076BF38933LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOSetc
259077BF391TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
259078BF391Propósito General de 1.000W NPN Transistor Plástico con plomo. 200V VCEO, 1.000A Ic, 25-0 hFEContinental Device India Limited
259079BF392TRANSISTORES PLANAR DEL SILICIO DE NPNMicro Electronics
259080BF392Transistors(NPN) De alto voltajeMotorola
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