| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 259041 | BF258 | 1.000W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 250V Vceo, 0.100A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 259042 | BF259 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 259043 | BF259 | Tranzystor krzemowy redniej mocy, wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 259044 | BF259 | NPN HOCHSPANNUNGSVIDEOVERSTÄRKER | Micro Electronics |
| 259045 | BF259 | HOCHSPANNUNGSVIDEOVERSTÄRKER | SGS Thomson Microelectronics |
| 259046 | BF259 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 259047 | BF259 | HOCHSPANNUNGSVIDEOVERSTÄRKER | ST Microelectronics |
| 259048 | BF259 | 1.000W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 300V Vceo, 0.100A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 259049 | BF314 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 259050 | BF314 | NPN SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 259051 | BF324 | PNP mittlerer Frequenztransistor | Philips |
| 259052 | BF324 | PNP SILIKON-RF TRANSISTOR | Siemens |
| 259053 | BF333 | Prowahl-Reihe | National Semiconductor |
| 259054 | BF337 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 259055 | BF3506TV | VOLLE BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZ | SGS Thomson Microelectronics |
| 259056 | BF3506TV | VOLLE BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZ | ST Microelectronics |
| 259057 | BF3510TV | VOLLE BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZ | ST Microelectronics |
| 259058 | BF3510TV | VOLLE BRÜCKE DER KORREKTUR-50-60HZ | SGS Thomson Microelectronics |
| 259059 | BF355 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 259060 | BF355 | Zweipolige NPN Vorrichtung | SemeLAB |
| 259061 | BF362 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
| 259062 | BF363 | NPN SILIKON-RF TRANSISTOREN | Siemens |
| 259063 | BF36931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259064 | BF36931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259065 | BF36933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259066 | BF36933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259067 | BF370 | NPN mittlerer Frequenztransistor | Philips |
| 259068 | BF370R | 0.500W High Voltage NPN Plastic Leaded Transistor. 15V Vceo, 0.100A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
| 259069 | BF37931E | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259070 | BF37931E | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259071 | BF37933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259072 | BF37933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259073 | BF38931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259074 | BF38931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259075 | BF38933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259076 | BF38933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259077 | BF391 | NPN SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Micro Electronics |
| 259078 | BF391 | 1.000W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 200V Vceo, 1.000A Ic, 25-0 hFE | Continental Device India Limited |
| 259079 | BF392 | NPN SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Micro Electronics |
| 259080 | BF392 | Hochspannungstransistors(NPN) | Motorola |
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