| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 259081 | BF392 | 1.000W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 250V Vceo, 1.000A Ic, 25-0 hFE | Continental Device India Limited |
| 259082 | BF393 | NPN SILIKON-PLANARE TRANSISTOREN | Micro Electronics |
| 259083 | BF393 | Hochspannungstransistor(NPN) | Motorola |
| 259084 | BF393 | Hochspannungstransistors(NPN) | Motorola |
| 259085 | BF393 | Transistor-Silikon-Plastik NPN | ON Semiconductor |
| 259086 | BF393 | 0.625W High Voltage NPN Plastic Leaded Transistor. 300V Vceo, 0,500A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 259087 | BF393-D | HochspannungsSilikon Des TRANSISTOR-NPN | ON Semiconductor |
| 259088 | BF393ZL1 | Transistor-Silikon-Plastik NPN | ON Semiconductor |
| 259089 | BF397 | PNP SILIKON-TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 259090 | BF398 | PNP SILIKON-TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 259091 | BF39931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259092 | BF39931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259093 | BF39933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259094 | BF39933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259095 | BF40931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259096 | BF40931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259097 | BF410 | LOW-NOISE N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOR FÜR RF ANWENDUNGEN | Siemens |
| 259098 | BF410A | LOW-NOISE N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOR FÜR RF ANWENDUNGEN | Siemens |
| 259099 | BF410A | Transistoren des N-Führung Silikons fangen-effect | Philips |
| 259100 | BF410B | LOW-NOISE N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOR FÜR RF ANWENDUNGEN | Siemens |
| 259101 | BF410B | Transistoren des N-Führung Silikons fangen-effect | Philips |
| 259102 | BF410C | LOW-NOISE N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOR FÜR RF ANWENDUNGEN | Siemens |
| 259103 | BF410C | Transistoren des N-Führung Silikons fangen-effect | Philips |
| 259104 | BF410D | LOW-NOISE N-CHANNEL VERZWEIGUNG fangen-EFFECT TRANSISTOR FÜR RF ANWENDUNGEN | Siemens |
| 259105 | BF410D | Transistoren des N-Führung Silikons fangen-effect | Philips |
| 259106 | BF414 | NPN Silikon Rf Transistor | Infineon |
| 259107 | BF414 | Tranzystor wielkiej cz?otliwo.ci | Ultra CEMI |
| 259108 | BF414 | NPN Silikon Rf Transistor (für lärmarme, Basisschaltung VHF und FM Stadien) | Siemens |
| 259109 | BF419 | NPN Hochspannungstransistor | Philips |
| 259110 | BF41931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259111 | BF41931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 259112 | BF420 | NPN Hochspannungstransistoren | Philips |
| 259113 | BF420 | KLEINER TRANSISTOR DES SIGNAL-NPN | ST Microelectronics |
| 259114 | BF420 | Hochspannungstransistor | Korea Electronics (KEC) |
| 259115 | BF420 | Kleine Signal-Transistoren (NPN) | General Semiconductor |
| 259116 | BF420 | NPN Silikon-Transistor mit hohem Reve... | Infineon |
| 259117 | BF420 | SILIKON-PLANARER EPITAXIAL- TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 259118 | BF420 | KLEINER TRANSISTOR DES SIGNAL-NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 259119 | BF420 | NPN Silikon-Transistoren Mit Hoher Rückspannung (NPN Silikon-Transistoren Mit Hoher Rückspannung) | Siemens |
| 259120 | BF420 | Hochspannungstransistors(NPN) | Motorola |
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