| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 259081 | BF392 | Scopo 1.000W generale NPN transistor di plastica piombo. 250V Vceo, 1.000A Ic, 25-0 hFE | Continental Device India Limited |
| 259082 | BF393 | TRANSISTORI PLANARI DEL SILICONE DI NPN | Micro Electronics |
| 259083 | BF393 | Transistor(NPN) Ad alta tensione | Motorola |
| 259084 | BF393 | Transistors(NPN) Ad alta tensione | Motorola |
| 259085 | BF393 | Plastica NPN Del Silicone Del Transistore | ON Semiconductor |
| 259086 | BF393 | 0.625W ad alta tensione NPN transistor di plastica piombo. 300V Vceo, nominale 0,500A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 259087 | BF393-D | Silicone Ad alta tensione Del Transistore NPN | ON Semiconductor |
| 259088 | BF393ZL1 | Plastica NPN Del Silicone Del Transistore | ON Semiconductor |
| 259089 | BF397 | TRANSISTORE DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
| 259090 | BF398 | TRANSISTORE DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
| 259091 | BF39931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 259092 | BF39931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 259093 | BF39933 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 259094 | BF39933 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 259095 | BF40931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 259096 | BF40931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 259097 | BF410 | TRANSISTORE A basso rumore Di Field-effect della GIUNZIONE Della N-scanalatura PER LE APPLICAZIONI di Rf | Siemens |
| 259098 | BF410A | TRANSISTORE A basso rumore Di Field-effect della GIUNZIONE Della N-scanalatura PER LE APPLICAZIONI di Rf | Siemens |
| 259099 | BF410A | transistori di field-effect del silicone della N-scanalatura | Philips |
| 259100 | BF410B | TRANSISTORE A basso rumore Di Field-effect della GIUNZIONE Della N-scanalatura PER LE APPLICAZIONI di Rf | Siemens |
| 259101 | BF410B | transistori di field-effect del silicone della N-scanalatura | Philips |
| 259102 | BF410C | TRANSISTORE A basso rumore Di Field-effect della GIUNZIONE Della N-scanalatura PER LE APPLICAZIONI di Rf | Siemens |
| 259103 | BF410C | transistori di field-effect del silicone della N-scanalatura | Philips |
| 259104 | BF410D | TRANSISTORE A basso rumore Di Field-effect della GIUNZIONE Della N-scanalatura PER LE APPLICAZIONI di Rf | Siemens |
| 259105 | BF410D | transistori di field-effect del silicone della N-scanalatura | Philips |
| 259106 | BF414 | Transistore Del Silicone Rf di NPN | Infineon |
| 259107 | BF414 | Tranzystor wielkiej czestotliwosci | Ultra CEMI |
| 259108 | BF414 | Transistore del silicone rf di NPN (per le fasi di VHF della base a basso rumore e comune e di FM) | Siemens |
| 259109 | BF419 | Transistore ad alta tensione di NPN | Philips |
| 259110 | BF41931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 259111 | BF41931 | LA MONOFASE MODELLATA GETTA UN PONTE SU 0.8 AMPÈRE - 1.5 AMPÈRE | etc |
| 259112 | BF420 | Transistori ad alta tensione di NPN | Philips |
| 259113 | BF420 | PICCOLO TRANSISTORE DEL SEGNALE NPN | ST Microelectronics |
| 259114 | BF420 | Transistore Ad alta tensione | Korea Electronics (KEC) |
| 259115 | BF420 | Piccoli Transistori Del Segnale (NPN) | General Semiconductor |
| 259116 | BF420 | Transistore del silicone di NPN con alto Reve... | Infineon |
| 259117 | BF420 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE | Micro Electronics |
| 259118 | BF420 | PICCOLO TRANSISTORE DEL SEGNALE NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 259119 | BF420 | Transistori Del Silicone di NPN Con Alta Tensione D'inversione (Transistori Del Silicone di NPN Con Alta Tensione D'inversione) | Siemens |
| 259120 | BF420 | Transistors(NPN) Ad alta tensione | Motorola |
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