| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 275161 | BUZ111SE3045A | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 275162 | BUZ111SE3046 | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 275163 | BUZ111SL | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 275164 | BUZ111SL | Transistor de energía de SIPMOS (nivel dv/dt Avalancha-clasificado de la lógica del modo del realce del canal de N clasificado) | Siemens |
| 275165 | BUZ111SLE3045A | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 275166 | BUZ11A | N-canal 50V - 0,045 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 2Ã To-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 275167 | BUZ11A | N - CANAL 50V - Los 0.04Öhm - Mosfet De 2Ã To-220 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 275168 | BUZ11A | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275169 | BUZ11AL | Transistor de energía de SIPMOS (nivel Avalancha-clasificado de la lógica del modo del realce del canal de N) | Siemens |
| 275170 | BUZ11S2 | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275171 | BUZ11_R4941 | 30A, 50V, Los 0.040Ohm, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 275172 | BUZ12 | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275173 | BUZ12A | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275174 | BUZ12AL | Transistor de energía de SIPMOS (nivel Avalancha-clasificado de la lógica del modo del realce del canal de N) | Siemens |
| 275175 | BUZ14 | grados principales | Siemens |
| 275176 | BUZ15 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE SIPMOS | Siemens |
| 275177 | BUZ15 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE SIPMOS | Siemens |
| 275178 | BUZ15 | TRANSISTOR DE ENERGÍA DE SIPMOS | Siemens |
| 275179 | BUZ17 | grados principales | Siemens |
| 275180 | BUZ171 | Transistor De Energía Del P-Canal SIPMOS | Infineon |
| 275181 | BUZ171 | Transistor de energía de SIPMOS (avalancha del modo del realce del canal de P clasificada) | Siemens |
| 275182 | BUZ172 | Transistor De Energía Del P-Canal SIPMOS | Infineon |
| 275183 | BUZ172 | Transistor de energía de SIPMOS (avalancha del modo del realce del canal de P clasificada) | Siemens |
| 275184 | BUZ172E3045A | Transistor De Energía Del P-Canal SIPMOS | Infineon |
| 275185 | BUZ173 | Transistor De Energía Del P-Canal SIPMOS | Infineon |
| 275186 | BUZ173 | Transistor de energía de SIPMOS (avalancha del modo del realce del canal de P clasificada) | Siemens |
| 275187 | BUZ173E3045A | Transistor De Energía Del P-Canal SIPMOS | Infineon |
| 275188 | BUZ18 | grados principales | Siemens |
| 275189 | BUZ20 | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 275190 | BUZ20 | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275191 | BUZ20 | Mosfet De la Energía Del 1À/100V/0,200 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 275192 | BUZ201 | grados principales | Siemens |
| 275193 | BUZ202 | GRADOS PRINCIPALES | Siemens |
| 275194 | BUZ205 | Transistor de energía de SIPMOS (modo FREDFET del realce del canal de N) | Siemens |
| 275195 | BUZ206 | grados principales | Siemens |
| 275196 | BUZ20STS | Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 275197 | BUZ21 | Transistor de energía de SIPMOS (modo del realce del canal de N Avalancha-clasificado) | Siemens |
| 275198 | BUZ21 | Mosfet De la Energía De 19A/De 100V/0,100 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 275199 | BUZ21 L | Mosfet De la Energía, 100V, TO-220, RDSon=0.085 Ohmio,21A, LL | Infineon |
| 275200 | BUZ21 SMD | Accione Mosfet, 100V, d²pak, RDSon=0.085 Ohmio, 21A, NL | Infineon |
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