Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
51721 | 2SB1016 | DESVIACIÓN VERTICAL DEL AMPLIFICADOR EPITAXIAL DEL SILICIO TRANSISTOR(POWER DE PNP HECHA SALIR) | Wing Shing Computer Components |
51722 | 2SB1016A | USOS EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
51723 | 2SB1017 | 2SB1017 | Unknow |
51724 | 2SB1018A | USOS ACTUALES DIFUNDIDOS TRIPLES DE LA CONMUTACIÓN DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR ALTOS (PROCESO DEL PCT). USOS DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA. | TOSHIBA |
51725 | 2SB1019 | 2SB1019 | Unknow |
51726 | 2SB1020 | 7A; 30W; V (CEO): 100v; PNP Darlington transistor | TOSHIBA |
51727 | 2SB1020A | CONMUTACIÓN DIFUNDIDA TRIPLE DE LA ALTA ENERGÍA DEL TIPO DEL SILICIO PNP DEL TRANSISTOR (ENERGÍA DE DARLINGTON), IMPULSIÓN DEL MARTILLO, USOS DE LA IMPULSIÓN DEL MOTOR DEL PULSO | TOSHIBA |
51728 | 2SB1021 | 2SB1021 | Unknow |
51729 | 2SB1021 | 7A; 30W; V (CEO): 80V; PNP Darlington transistor | TOSHIBA |
51730 | 2SB1022 | 2SB1022 | Unknow |
51731 | 2SB1022 | 7A; 30W; V (CEO): 60V; PNP Darlington transistor | TOSHIBA |
51732 | 2SB1023 | 2SB1023 | TOSHIBA |
51733 | 2SB1024 | 2SB1024 | TOSHIBA |
51734 | 2SB1025 | Transistor Del Silicio PNP | Hitachi Semiconductor |
51735 | 2SB1025 | Silicio PNP Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
51736 | 2SB1025 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
51737 | 2SB1026 | Transistor Del Silicio PNP | Hitachi Semiconductor |
51738 | 2SB1026 | Silicio PNP Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
51739 | 2SB1026 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
51740 | 2SB1027 | Transistor Del Silicio PNP | Hitachi Semiconductor |
51741 | 2SB1027 | Silicio PNP Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
51742 | 2SB1028 | Transistor Del Silicio PNP | Hitachi Semiconductor |
51743 | 2SB1028 | Silicio PNP Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
51744 | 2SB1028 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
51745 | 2SB1030 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
51746 | 2SB1030A | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
51747 | 2SB1031 | CONMUTACIÓN ACTUAL EPITAXIAL DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA DEL SILICIO NPN ALTA | Hitachi Semiconductor |
51748 | 2SB1031K | PAR COMPLEMENTARIO DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA CON 2SD1435K | Hitachi Semiconductor |
51749 | 2SB1032 | Triple Del Silicio PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
51750 | 2SB1032 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
51751 | 2SB1032(K) | Transistor Del Silicio PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
51752 | 2SB1032K | Triple Del Silicio PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
51753 | 2SB1033 | AMPLIFICADOR DE ENERGÍA EPITAXIAL DE LA FRECUENCIA DEL SILICIO TRANSISTOR(LOW DE PNP) | Wing Shing Computer Components |
51754 | 2SB1034 | 2SB1034 | TOSHIBA |
51755 | 2SB1035 | 2SB1035 | Unknow |
51756 | 2SB1035 | 900MW de plomo transistor PNP marco, máxima calificación: -25V VCEO, -1A Ic, 55-300 hFE. 2SD1447 Complementaria | Isahaya Electronics Corporation |
51757 | 2SB1036 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
51758 | 2SB1037 | Coloree La Salida Vertical de la TV, Usos Sanos De la Salida | SANYO |
51759 | 2SB1041 | TRANSISTORES A 92CL TO-92ls MRT | ROHM |
51760 | 2SB1041 | TRANSISTOR GRABADO ENERGÍA DEL PAQUETE 1.2W DISEÑADO PARA EL USO CON UNA COLOCACIÓN AUTOMÁTICA MECHINE | ROHM |
| | | |