| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 51801 | 2SB1085 | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
| 51802 | 2SB1085A | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP | ROHM |
| 51803 | 2SB1085A | PAQUETE GRABADO DEL TRANSISTOR DE ENERGÍA PARA EL USO CON UNA MÁQUINA DE COLOCACIÓN AUTOMÁTICA | ROHM |
| 51804 | 2SB1091 | Transistor Del Silicio PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 51805 | 2SB1091 | Triple Del Silicio PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 51806 | 2SB1091 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 51807 | 2SB1093 | TRANSISTOR DEL SILICIO DARLINGTON DE PNP | NEC |
| 51808 | 2SB1094 | Transistor del silicio | NEC |
| 51809 | 2SB1096 | Coloree La Salida Vertical De la Desviación de la TV | Unknow |
| 51810 | 2SB1101 | PAR COMPLEMENTARIO DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA CON 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
| 51811 | 2SB1102 | PAR COMPLEMENTARIO DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA BAJA CON 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
| 51812 | 2SB1103 | Transistor Del Silicio PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 51813 | 2SB1103 | Triple Del Silicio PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 51814 | 2SB1103 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 51815 | 2SB1108 | Velocidad media que cambia par complementario con 2SD1608 | Panasonic |
| 51816 | 2SB1109 | SILICIO PNP EPITAXIAL (AMPLIFICADOR DE ALTO VOLTAJE DE LA FRECUENCIA BAJA) | Hitachi Semiconductor |
| 51817 | 2SB1110 | SILICIO PNP EPITAXIAL (AMPLIFICADOR DE ALTO VOLTAJE DE LA FRECUENCIA BAJA) | Hitachi Semiconductor |
| 51818 | 2SB1114 | Transistor del silicio | NEC |
| 51819 | 2SB1114-T1 | Transistor del silicio | NEC |
| 51820 | 2SB1114-T2 | Transistor del silicio | NEC |
| 51821 | 2SB1115 | MOLDE DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP MINI | NEC |
| 51822 | 2SB1115 | 60 V, 2 A, 2 W transistor de silicio | EIC discrete Semiconductors |
| 51823 | 2SB1115-T1 | Transistor del silicio | NEC |
| 51824 | 2SB1115-T2 | Transistor del silicio | NEC |
| 51825 | 2SB1115A | MOLDE DE LA ENERGÍA EPITAXIAL DEL TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP MINI | NEC |
| 51826 | 2SB1115A | 80 V, 2 A, 2 W transistor de silicio | EIC discrete Semiconductors |
| 51827 | 2SB1115A-T1 | Transistor del silicio | NEC |
| 51828 | 2SB1115A-T2 | Transistor del silicio | NEC |
| 51829 | 2SB1116 | Transistor del silicio | NEC |
| 51830 | 2SB1116 | Amplificador de audio de potencia frecuencia de conmutación de velocidad media. Tensión colector-base: VCBO = -60V. Tensión de colector-emisor: VCEO = -50V. Tensión emisor-base Vebo = -6V. Disipación del colector: Pc (máx) = 0,75W. | USHA India LTD |
| 51831 | 2SB1116(C)-T | Transistor del silicio | NEC |
| 51832 | 2SB1116-T | Transistor del silicio | NEC |
| 51833 | 2SB1116-T/JD | Transistor del silicio | NEC |
| 51834 | 2SB1116-T/JM | Transistor del silicio | NEC |
| 51835 | 2SB1116/JD | Transistor del silicio | NEC |
| 51836 | 2SB1116/JM | Transistor del silicio | NEC |
| 51837 | 2SB1116A | Transistor del silicio | NEC |
| 51838 | 2SB1116A | Amplificador de audio de potencia frecuencia de conmutación de velocidad media. Tensión colector-base VCBO = -80V. Tensión de colector-emisor VCEO = -60V. Tensión emisor-base Vebo = -6V. Disipación del colector Pc (máx) = 0,75W. | USHA India LTD |
| 51839 | 2SB1116A-T | Transistor del silicio | NEC |
| 51840 | 2SB1116A-T/JD | Transistor del silicio | NEC |
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