| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 51801 | 2SB1085 | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
| 51802 | 2SB1085A | Transistor Planar Epitaxial Do Silicone de PNP | ROHM |
| 51803 | 2SB1085A | PACOTE GRAVADO DO TRANSISTOR DE PODER PARA O USO COM UMAMÁQUINA DE COLOCAÇÃO AUTOMÁTICA | ROHM |
| 51804 | 2SB1091 | Transistor Do Silicone PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 51805 | 2SB1091 | Triplo Do Silicone PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 51806 | 2SB1091 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 51807 | 2SB1093 | TRANSISTOR DO SILICONE DARLINGTON DE PNP | NEC |
| 51808 | 2SB1094 | Transistor do silicone | NEC |
| 51809 | 2SB1096 | Colora A Saída Vertical Da Deflexão da Tevê | Unknow |
| 51810 | 2SB1101 | PAR COMPLEMENTAR DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA COM 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
| 51811 | 2SB1102 | PAR COMPLEMENTAR DO AMPLIFICADOR DE PODER DA FREQÜÊNCIA BAIXA COM 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
| 51812 | 2SB1103 | Transistor Do Silicone PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 51813 | 2SB1103 | Triplo Do Silicone PNP Difundido | Hitachi Semiconductor |
| 51814 | 2SB1103 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 51815 | 2SB1108 | Velocidade média que comuta o par complementar com 2SD1608 | Panasonic |
| 51816 | 2SB1109 | SILICONE PNP EPITAXIAL (AMPLIFICADOR DE ALTA TENSÃO DA FREQÜÊNCIA BAIXA) | Hitachi Semiconductor |
| 51817 | 2SB1110 | SILICONE PNP EPITAXIAL (AMPLIFICADOR DE ALTA TENSÃO DA FREQÜÊNCIA BAIXA) | Hitachi Semiconductor |
| 51818 | 2SB1114 | Transistor do silicone | NEC |
| 51819 | 2SB1114-T1 | Transistor do silicone | NEC |
| 51820 | 2SB1114-T2 | Transistor do silicone | NEC |
| 51821 | 2SB1115 | DO PODER EPITAXIAL DO TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP MOLDE MINI | NEC |
| 51822 | 2SB1115 | 60 V, 2 A, 2 W transistor de silício | EIC discrete Semiconductors |
| 51823 | 2SB1115-T1 | Transistor do silicone | NEC |
| 51824 | 2SB1115-T2 | Transistor do silicone | NEC |
| 51825 | 2SB1115A | DO PODER EPITAXIAL DO TRANSISTOR DO SILICONE DE PNP MOLDE MINI | NEC |
| 51826 | 2SB1115A | 80 V, 2 A, 2 W transistor de silício | EIC discrete Semiconductors |
| 51827 | 2SB1115A-T1 | Transistor do silicone | NEC |
| 51828 | 2SB1115A-T2 | Transistor do silicone | NEC |
| 51829 | 2SB1116 | Transistor do silicone | NEC |
| 51830 | 2SB1116 | Amplificador de potência de áudio freqüência de comutação de velocidade média. Tensão colector-base: Vcbo = -60V. Tensão coletor-emissor: VCEO = -50V. Tensão emissor-base Vebo = -6V. Dissipação Collector: Pc (max) = 0,75W. | USHA India LTD |
| 51831 | 2SB1116(C)-T | Transistor do silicone | NEC |
| 51832 | 2SB1116-T | Transistor do silicone | NEC |
| 51833 | 2SB1116-T/JD | Transistor do silicone | NEC |
| 51834 | 2SB1116-T/JM | Transistor do silicone | NEC |
| 51835 | 2SB1116/JD | Transistor do silicone | NEC |
| 51836 | 2SB1116/JM | Transistor do silicone | NEC |
| 51837 | 2SB1116A | Transistor do silicone | NEC |
| 51838 | 2SB1116A | Amplificador de potência de áudio freqüência de comutação de velocidade média. Tensão coletor-base de Vcbo = -80V. Tensão coletor-emissor VCEO = -60V. Tensão emissor-base Vebo = -6V. Dissipação Collector Pc (max) = 0,75W. | USHA India LTD |
| 51839 | 2SB1116A-T | Transistor do silicone | NEC |
| 51840 | 2SB1116A-T/JD | Transistor do silicone | NEC |
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