| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 691401 | M30L0R7000T0ZAQE | 128 Mbit (8Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión), Memoria Del Flash De la Fuente 1.8V | ST Microelectronics |
| 691402 | M30L0R7000T0ZAQF | 128 Mbit (8Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión), Memoria Del Flash De la Fuente 1.8V | ST Microelectronics |
| 691403 | M30L0R7000T0ZAQT | 128 Mbit (8Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión), Memoria Del Flash De la Fuente 1.8V | ST Microelectronics |
| 691404 | M30L0R7000XX | 128 Mbit (8Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión), Memoria Del Flash De la Fuente 1.8V | ST Microelectronics |
| 691405 | M30L0R8000B0 | 256 Memoria Del Flash De la Fuente De Mbit (16Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691406 | M30L0R8000B0ZAQ | 256 Memoria Del Flash De la Fuente De Mbit (16Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691407 | M30L0R8000B0ZAQE | 256 Memoria Del Flash De la Fuente De Mbit (16Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691408 | M30L0R8000B0ZAQF | 256 Memoria Del Flash De la Fuente De Mbit (16Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691409 | M30L0R8000B0ZAQT | 256 Memoria Del Flash De la Fuente De Mbit (16Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691410 | M30L0R8000T0 | 256 Memoria Del Flash De la Fuente De Mbit (16Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691411 | M30L0R8000T0ZAQ | 256 Memoria Del Flash De la Fuente De Mbit (16Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691412 | M30L0R8000T0ZAQE | 256 Memoria Del Flash De la Fuente De Mbit (16Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691413 | M30L0R8000T0ZAQF | 256 Memoria Del Flash De la Fuente De Mbit (16Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691414 | M30L0R8000T0ZAQT | 256 Memoria Del Flash De la Fuente De Mbit (16Mb x16, Banco, De niveles múltiples Múltiples, Explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691415 | M30LW128D | 128 FUENTE DE MBIT (DOS 64MBIT, X8/X16, BLOQUE UNIFORME, MEMORIAS DE DESTELLO) 3CV, PRODUCTO DE MEMORIA MÚLTIPLE | ST Microelectronics |
| 691416 | M30LW128D110N1T | 128 fuente de Mbit (dos 64Mbit, x8/x16, bloque uniforme, memorias de destello) 3V, producto de memoria múltiple | ST Microelectronics |
| 691417 | M30LW128D110N6T | 128 fuente de Mbit (dos 64Mbit, x8/x16, bloque uniforme, memorias de destello) 3V, producto de memoria múltiple | ST Microelectronics |
| 691418 | M30LW128D110ZA1T | 128 fuente de Mbit (dos 64Mbit, x8/x16, bloque uniforme, memorias de destello) 3V, producto de memoria múltiple | ST Microelectronics |
| 691419 | M30LW128D110ZA6 | 128 FUENTE DE MBIT (DOS 64MBIT, X8/X16, BLOQUE UNIFORME, MEMORIAS DE DESTELLO) 3CV, PRODUCTO DE MEMORIA MÚLTIPLE | ST Microelectronics |
| 691420 | M30LW128D110ZA6T | 128 FUENTE DE MBIT (DOS 64MBIT, X8/X16, BLOQUE UNIFORME, MEMORIAS DE DESTELLO) 3CV, PRODUCTO DE MEMORIA MÚLTIPLE | ST Microelectronics |
| 691421 | M30LW128D110ZE1T | 128 fuente de Mbit (dos 64Mbit, x8/x16, bloque uniforme, memorias de destello) 3V, producto de memoria múltiple | ST Microelectronics |
| 691422 | M30LW128D110ZE6T | 128 fuente de Mbit (dos 64Mbit, x8/x16, bloque uniforme, memorias de destello) 3V, producto de memoria múltiple | ST Microelectronics |
| 691423 | M30W0R6500T0 | 96 Fuente De Mbit (64 + 32Mb, x16, Banco Múltiple, Explosión, Memorias De destello) 1.8V, Paquete De la Multi-Viruta | ST Microelectronics |
| 691424 | M30W0R6500T0ZAQT | 96 Fuente De Mbit (64 + 32Mb, x16, Banco Múltiple, Explosión, Memorias De destello) 1.8V, Paquete De la Multi-Viruta | ST Microelectronics |
| 691425 | M30W0R7000B1 | 128 memoria del flash de la fuente de Mbit (8Mb x 16, banco múltiple, explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691426 | M30W0R7000B1ZAQF | 128 memoria del flash de la fuente de Mbit (8Mb x 16, banco múltiple, explosión) 1.8V | ST Microelectronics |
| 691427 | M3100 | 100V; 3.0A alta tensión de barrera Schottky rectificador. Para su uso en baja tensión, convertidores de alta frecuencia, rueda libre y aplicación de protección de polaridad | Diodes |
| 691428 | M312L1713CT0 | Hoja De Datos de M312L1713CT0 DDR SDRAM El 184pin DIMM | Samsung Electronic |
| 691429 | M312L2828BT0 | Hoja De Datos de M312L2828BT0 DDR SDRAM El 184pin DIMM 128Mx72 DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 691430 | M312L2828CT0 | Hoja De Datos de M312L2828CT0 DDR SDRAM El 184pin DIMM 128Mx72 DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 691431 | M312L2828ET0 | Módulo Registrado SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691432 | M312L2920BG0 | Módulo Registrado SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691433 | M312L2920BG0-A2 | Módulo Registrado SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691434 | M312L2920BG0-B0 | Módulo Registrado SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691435 | M312L2920BG0-CB3 | Módulo Registrado SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691436 | M312L2920BT | Módulo Registrado SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691437 | M312L2920BTS-A2 | Módulo Registrado SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691438 | M312L2920BTS-CAA | Módulo Registrado SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
| 691439 | M312L2920MT0 | Hoja De Datos de M312L2920MT0 DDR SDRAM El 184pin DIMM | Samsung Electronic |
| 691440 | M312L2923BG0-A2 | Módulo Registrado SDRAM de DDR | Samsung Electronic |
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