Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
691401 | M30L0R7000T0ZAQE | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
691402 | M30L0R7000T0ZAQF | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
691403 | M30L0R7000T0ZAQT | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
691404 | M30L0R7000XX | 128 Mbit (8Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß),Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-1.8V | ST Microelectronics |
691405 | M30L0R8000B0 | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691406 | M30L0R8000B0ZAQ | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691407 | M30L0R8000B0ZAQE | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691408 | M30L0R8000B0ZAQF | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691409 | M30L0R8000B0ZAQT | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691410 | M30L0R8000T0 | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691411 | M30L0R8000T0ZAQ | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691412 | M30L0R8000T0ZAQE | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691413 | M30L0R8000T0ZAQF | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691414 | M30L0R8000T0ZAQT | Blitz-Gedächtnis Des Versorgungsmaterial-256 Mbit (16Mb x16, Mehrfache Bank, Mehrebenen, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691415 | M30LW128D | 128 MBIT (ZWEI 64MBIT, X8/X16, KONSTANTER BLOCK, GRELLE GEDÄCHTNISSE) 3V VERSORGUNGSMATERIAL, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKT | ST Microelectronics |
691416 | M30LW128D110N1T | 128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
691417 | M30LW128D110N6T | 128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
691418 | M30LW128D110ZA1T | 128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
691419 | M30LW128D110ZA6 | 128 MBIT (ZWEI 64MBIT, X8/X16, KONSTANTER BLOCK, GRELLE GEDÄCHTNISSE) 3V VERSORGUNGSMATERIAL, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKT | ST Microelectronics |
691420 | M30LW128D110ZA6T | 128 MBIT (ZWEI 64MBIT, X8/X16, KONSTANTER BLOCK, GRELLE GEDÄCHTNISSE) 3V VERSORGUNGSMATERIAL, MEHRFACHES DATENSPEICHER-PRODUKT | ST Microelectronics |
691421 | M30LW128D110ZE1T | 128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
691422 | M30LW128D110ZE6T | 128 Mbit (zwei 64Mbit, x8/x16, konstanter Block, grelleGedächtnisse) 3V Versorgungsmaterial, mehrfaches Datenspeicher-Produkt | ST Microelectronics |
691423 | M30W0R6500T0 | 96 Mbit (64 + 32Mb, x16, Mehrfache Bank, Stoß, Grelle Gedächtnisse) 1.8V Versorgungsmaterial, Multi-Span Paket | ST Microelectronics |
691424 | M30W0R6500T0ZAQT | 96 Mbit (64 + 32Mb, x16, Mehrfache Bank, Stoß, Grelle Gedächtnisse) 1.8V Versorgungsmaterial, Multi-Span Paket | ST Microelectronics |
691425 | M30W0R7000B1 | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x 16, mehrfache Bank, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691426 | M30W0R7000B1ZAQF | Blitz-Gedächtnis des Versorgungsmaterial-128 Mbit (8Mb x 16, mehrfache Bank, Stoß) 1.8V | ST Microelectronics |
691427 | M3100 | 100V; 3.0A Hochspannungs Schottky-Gleichrichter. Für den Einsatz in Niederspannung, Hochfrequenz-Wechselrichter, Freilauf und Polaritätsschutz Anwendung | Diodes |
691428 | M312L1713CT0 | M312L1713CT0 DDR SDRAM 184pin DIMM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
691429 | M312L2828BT0 | M312L2828BT0 DDR SDRAM 184pin DIMM 128Mx72 DDR SDRAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
691430 | M312L2828CT0 | M312L2828CT0 DDR SDRAM 184pin DIMM 128Mx72 DDR SDRAM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
691431 | M312L2828ET0 | DDR SDRAM Eingetragenes Modul | Samsung Electronic |
691432 | M312L2920BG0 | DDR SDRAM Eingetragenes Modul | Samsung Electronic |
691433 | M312L2920BG0-A2 | DDR SDRAM Eingetragenes Modul | Samsung Electronic |
691434 | M312L2920BG0-B0 | DDR SDRAM Eingetragenes Modul | Samsung Electronic |
691435 | M312L2920BG0-CB3 | DDR SDRAM Eingetragenes Modul | Samsung Electronic |
691436 | M312L2920BT | DDR SDRAM Eingetragenes Modul | Samsung Electronic |
691437 | M312L2920BTS-A2 | DDR SDRAM Eingetragenes Modul | Samsung Electronic |
691438 | M312L2920BTS-CAA | DDR SDRAM Eingetragenes Modul | Samsung Electronic |
691439 | M312L2920MT0 | M312L2920MT0 DDR SDRAM 184pin DIMM Leistungsblatt | Samsung Electronic |
691440 | M312L2923BG0-A2 | DDR SDRAM Eingetragenes Modul | Samsung Electronic |
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