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 | OBSOLETO - Power transistor de efecto campo | Transferencia Directa IRF640 datasheet de ON Semiconductor |
PDF 139 kb |
 | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Transferencia Directa IRF640 datasheet de Philips |
pdf 100 kb |
 | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF640PBF, |
Transferencia Directa IRF640 datasheet de International Rectifier |
pdf 184 kb |
 | N - CANAL 200V - Los 0.150Ohm - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF640FP, |
Transferencia Directa IRF640 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 112 kb |
| N-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp | Transferencia Directa IRF640 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 112 kb |
 | N-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp | Transferencia Directa IRF640 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 373 kb |
 | 18A, 200V, 0,180 Ohmios, N-Channel MOSFET de potencia Otros con el mismo archivo para el datasheet: RF1S640SM, |
Transferencia Directa IRF640 datasheet de Intersil |
pdf 67 kb |
 | 1Å, 200V, 0,180 Ohmios, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Transferencia Directa IRF640 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 135 kb |
| IRF634STRR | Vista IRF640 a nuestro catálogo | IRF640-D |