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K4E151612D-T Fabricado cerca: |
1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 1K. Otros con el mismo archivo para el datasheet: K4E171612D-J, K4E171611D-J, K4E151612D-J, K4E151611D-T, K4E151611D-J, |
Transferencia Directa K4E151612D-T datasheet de Samsung Electronic |
pdf 552 kb |
K4E151612D-J | Vista K4E151612D-T a nuestro catálogo | K4E16(7)0411(2)D |