Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
1 | 128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE) | 128Mx72 SDRAM DIMM con PLL y registro basado en 128Mx4 apilado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs con la presencia serial Detec del SPD | Samsung Electronic |
2 | 128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE) | 128Mx72 SDRAM DIMM con PLL y el registro basados en 128Mx4 apilado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs con la hoja de datos del SPD | Samsung Electronic |
3 | 128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE) | 128Mx72 SDRAM DIMM con PLL y el registro basados en 128Mx4 apilado, 4Banks 8K Ref., 3.3V SDRAMs con la hoja de datos del SPD | Samsung Electronic |
4 | 16L102DA4 | MÓDULO DE EXHIBICIÓN FLUORESCENTE DEL VACÍO | Samsung Electronic |
5 | 16T202DA1J | MÓDULO DE EXHIBICIÓN FLUORESCENTE DEL VACÍO | Samsung Electronic |
6 | 20S207DA4 | MÓDULO DE EXHIBICIÓN FLUORESCENTE DEL VACÍO | Samsung Electronic |
7 | 256MBDDRSDRAM | DDRSDRAMSpecificationVersion0.3 | Samsung Electronic |
8 | 2N3903 | transistor epitaxial del silicio del npn | Samsung Electronic |
9 | 2N3905 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
10 | 2N4123 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
11 | 2N4124 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
12 | 2N4125 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
13 | 2N4126 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
14 | 2N5086 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
15 | 2N5089 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
16 | 2N5210 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
17 | 2N5400 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
18 | 2N5401 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
19 | 2N5550 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
20 | 2N6427 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DARLINGTON DE NPN | Samsung Electronic |
21 | 2N6428 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
22 | 2N6428A | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
23 | 2N6516 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
24 | 2N6517 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
25 | 2N6518 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
26 | 2N6519 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
27 | 2N6520 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
28 | 62256 | ESPOLÓN bajo de los parásitos atmosféricos de la energía Cmos del pedacito 32Kx8 | Samsung Electronic |
29 | B772 | PNP (CONMUTACIÓN BAJA DE LA VELOCIDAD DEL AMPLIFICADOR DE ENERGÍA DE LA FRECUENCIA AUDIO) | Samsung Electronic |
30 | BCW30 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
31 | BCW32 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
32 | BCW33 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
33 | BCW60A | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
34 | BCW60B | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
35 | BCW60C | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
36 | BCW60D | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
37 | BCW61A | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
38 | BCW61B | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
39 | BCW61C | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
40 | BCW61D | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
41 | BCW69 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
42 | BCW70 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
43 | BCW71 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
44 | BCW72 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
45 | BCX70G | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
46 | BCX70H | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
47 | BCX70J | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
48 | BCX70K | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
49 | BCX71G | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
50 | BCX71H | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
51 | BCX71J | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
52 | BCX71K | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE PNP | Samsung Electronic |
53 | BL8531H | 12 Pedacito 10MSPS ADC | Samsung Electronic |
54 | BL8531H-ADC | 12 Pedacito 10MSPS ADC | Samsung Electronic |
55 | BU406 | 400 V, 7 A, transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
56 | BU406H | 400 V, 7 A, transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
57 | BU407 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
58 | BU407H | 330 V, 7 A, transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
59 | BU408 | 400 V, 7 A, transistor NPN de silicio epitaxial | Samsung Electronic |
60 | BU806 | 400 V, 8 A, de silicio epitaxial transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
61 | BU807 | 400 V, 8 A, de silicio epitaxial transistor NPN Darlington | Samsung Electronic |
62 | C9658 | MICROCONTROLADOR | Samsung Electronic |
63 | CL10B224 | Condensador De cerámica De múltiples capas | Samsung Electronic |
64 | CL21C220 | Condensador De cerámica De múltiples capas | Samsung Electronic |
65 | CM-1429 | Esquema circular del PWB | Samsung Electronic |
66 | CM-1829 | Esquema circular del PWB | Samsung Electronic |
67 | CM1419 | 8-2 Esquema circular del PWB | Samsung Electronic |
68 | CM1429 | 8-2 Esquema circular del PWB | Samsung Electronic |
69 | CM1819 | 8-2 Esquema circular del PWB | Samsung Electronic |
70 | CM1829 | 8-2 Esquema circular del PWB | Samsung Electronic |
71 | CM1829-1429 | Esquema circular del PWB | Samsung Electronic |
72 | CMOS DRAM | Modo de EDO, x4 y diagrama que mide el tiempo del dispositivo x8 | Samsung Electronic |
73 | CMOS SDRAM | Operaciones Del Dispositivo del Cmos SDRAM | Samsung Electronic |
74 | CW5322X | SDH104 | Samsung Electronic |
75 | DA22497 | EXTREMO DELANTERO DE FM | Samsung Electronic |
76 | DA22497D | EXTREMO DELANTERO DE FM | Samsung Electronic |
77 | DDRSDRAM | Versión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
78 | DDRSDRAM1111 | Versión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
79 | DIRECT RDRAM | Operación Directa Del Dispositivo de RDRAM™ | Samsung Electronic |
80 | DS_K1S161611A | memoria de acceso al azar del Uni-Transistor del pedacito 1Mx16 | Samsung Electronic |
81 | DS_K1S16161CA | memoria de acceso al azar del Uni-Transistor del modo de la página del pedacito 1Mx16 | Samsung Electronic |
82 | DS_K4D263238D | el 1M x 32Bit x 4 bancos dobla COPITA síncrona de la tarifa de datos con el estroboscópico de los datos y el DLL bidireccionales | Samsung Electronic |
83 | DS_K4S161622D | 1M x 16 SDRAM | Samsung Electronic |
84 | DS_K4S161622E | 1M x 16 SDRAM | Samsung Electronic |
85 | DS_K6F1016U4C | ESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía bajaestupenda del pedacito de 64K x16 y de la baja tensión Cmos | Samsung Electronic |
86 | DS_K6F2008U2E | ESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito 256Kx8 y de la baja tensión Cmos | Samsung Electronic |
87 | DS_K6F2016U4E | ESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito de 128K x16 y de la baja tensión Cmos | Samsung Electronic |
88 | DS_K6F3216T6M | ESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito x16 de los 2M y de la baja tensión Cmos | Samsung Electronic |
89 | DS_K6F4016U6G | ESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito 256Kx16 y de la baja tensión Cmos | Samsung Electronic |
90 | DS_K6F8016U6B | ESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito de 512K x16 y de la baja tensión Cmos | Samsung Electronic |
91 | DS_K6F8016U6C | ESPOLÓN lleno de los parásitos atmosféricos de la energía baja estupenda del pedacito de 512K x16 y de la baja tensión Cmos | Samsung Electronic |
92 | DS_K6X8008C2B | ESPOLÓN de los parásitos atmosféricos de la energía baja del pedacito 1Mx8 y de la baja tensión Cmos | Samsung Electronic |
93 | DS_K6X8008TBN | CMOS SRAM | Samsung Electronic |
94 | DS_K6X8016C3B | 64Kx36 Y 64Kx32-Bit Explosión Canalizada Síncrona SRAM | Samsung Electronic |
95 | DS_K7A803600B | 256Kx36 | Samsung Electronic |
96 | DS_K7B803625B | 256Kx36 Y 512Kx18-Bit Explosión Síncrona SRAM | Samsung Electronic |
97 | DS_K7M323625M | 1Mx36 Y 2Mx18 Fluir-Por NtRAM | Samsung Electronic |
98 | DS_K7M803625B | 256Kx36 Y 512Kx18-Bit Atraviesan NtRAM | Samsung Electronic |
99 | DS_K7N163601A | 512Kx36 Y NtRAM Canalizado 1Mx18 | Samsung Electronic |
100 | DS_K7N323601M | 1Mx36 Y NtRAM Canalizado 2Mx18-Bit | Samsung Electronic |
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