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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
701K4E660812E, K4E640812EESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
702K4E660812E, K4E640812EESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
703K4E660812E-JC/LESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
704K4E660812E-TC/LESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
705K4E661611D, K4E641611DESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
706K4E661612BESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
707K4E661612B-LESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
708K4E661612B-TCESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
709K4E661612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
710K4E661612B-TC504M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
711K4E661612B-TC604M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
712K4E661612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, de baja potenciaSamsung Electronic
713K4E661612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potenciaSamsung Electronic
714K4E661612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, la fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, de baja potenciaSamsung Electronic
715K4E661612CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
716K4E661612C-45ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
717K4E661612C-50ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
718K4E661612C-60ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
719K4E661612C-LESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
720K4E661612C-L45ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
721K4E661612C-L50ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
722K4E661612C-L60ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
723K4E661612C-TESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
724K4E661612C-T45ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
725K4E661612C-T50ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
726K4E661612C-T60ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
727K4E661612C-TCESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
728K4E661612C-TC45ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
729K4E661612C-TC50ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
730K4E661612C-TC60ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
731K4E661612C-TL45ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
732K4E661612C-TL50ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
733K4E661612C-TL60ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
734K4E661612DCOPITA DEL CMOSSamsung Electronic
735K4E661612D, K4E641612DESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
736K4E661612D, K4E641612DESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
737K4E661612E, K4E641612EESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
738K4E661612E, K4E641612EESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos fuera de la hoja de datosSamsung Electronic
739K4F151611ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
740K4F151611DESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
741K4F151611D-J1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 1K ciclo de actualización.Samsung Electronic
742K4F151611D-T1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 1K ciclo de actualización.Samsung Electronic
743K4F151612DESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
744K4F151612D-J1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 1K.Samsung Electronic
745K4F151612D-T1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 1K.Samsung Electronic
746K4F16(7)0811(2)DESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
747K4F160411C-B504M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
748K4F160411C-B604M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
749K4F160411C-F504M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
750K4F160411C-F604M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
751K4F160411DESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
752K4F160411D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.Samsung Electronic
753K4F160411D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.Samsung Electronic
754K4F160412C-B504M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
755K4F160412C-B604M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
756K4F160412C-F504M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
757K4F160412C-F604M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic



758K4F160412DESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
759K4F160412D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K.Samsung Electronic
760K4F160412D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K.Samsung Electronic
761K4F160811DESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
762K4F160811D-B2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.Samsung Electronic
763K4F160811D-F2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 2K ciclo de actualización.Samsung Electronic
764K4F160812DESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
765K4F160812D-B2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K.Samsung Electronic
766K4F160812D-F2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización de 2K.Samsung Electronic
767K4F170411C-B504M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
768K4F170411C-B604M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
769K4F170411C-F504M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
770K4F170411C-F604M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
771K4F170411DESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
772K4F170411D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización.Samsung Electronic
773K4F170411D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización.Samsung Electronic
774K4F170412C-B504M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
775K4F170412C-B604M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
776K4F170412C-F504M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
777K4F170412C-F604M x 4 bits CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
778K4F170412DESPOLÓN dinámico de los 4M x 4Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
779K4F170412D-B4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K.Samsung Electronic
780K4F170412D-F4M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K.Samsung Electronic
781K4F170811DESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
782K4F170811D-B2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización.Samsung Electronic
783K4F170811D-F2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización.Samsung Electronic
784K4F170812DESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
785K4F170812D-B2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K.Samsung Electronic
786K4F170812D-F2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K.Samsung Electronic
787K4F171611DESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
788K4F171611D-J1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización.Samsung Electronic
789K4F171611D-T1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización.Samsung Electronic
790K4F171612DESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
791K4F171612D-J1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K.Samsung Electronic
792K4F171612D-T1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K.Samsung Electronic
793K4F640412DESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
794K4F640412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 4K refrescar ciclo.Samsung Electronic
795K4F640412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 4K refrescar ciclo.Samsung Electronic
796K4F640811BESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
797K4F640811B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
798K4F640811B-JC-508M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
799K4F640811B-JC-608M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
800K4F640811B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic

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