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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
6401KM48C2000BK-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6402KM48C2000BK-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6403KM48C2000BKL-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6404KM48C2000BKL-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6405KM48C2000BKL-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6406KM48C2000BS-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6407KM48C2000BS-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6408KM48C2000BS-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6409KM48C2000BSL-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6410KM48C2000BSL-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6411KM48C2000BSL-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6412KM48C2100BESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
6413KM48C2100BK-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6414KM48C2100BK-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6415KM48C2100BK-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6416KM48C2100BKL-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6417KM48C2100BKL-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6418KM48C2100BKL-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6419KM48C2100BS-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6420KM48C2100BS-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6421KM48C2100BS-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6422KM48C2100BSL-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6423KM48C2100BSL-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6424KM48C2100BSL-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6425KM48C8004BESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
6426KM48C8004BK-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 45nsSamsung Electronic
6427KM48C8004BK-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 50nsSamsung Electronic
6428KM48C8004BK-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 60nsSamsung Electronic
6429KM48C8004BS-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 45nsSamsung Electronic
6430KM48C8004BS-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 50nsSamsung Electronic
6431KM48C8004BS-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 60nsSamsung Electronic
6432KM48C8104BESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
6433KM48C8104BK-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 45nsSamsung Electronic
6434KM48C8104BK-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 50nsSamsung Electronic
6435KM48C8104BK-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 60nsSamsung Electronic
6436KM48C8104BS-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 45nsSamsung Electronic
6437KM48C8104BS-58M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 50nsSamsung Electronic
6438KM48C8104BS-68M x 8bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 60nsSamsung Electronic
6439KM48L16031BT128CMb DDR SDRAMSamsung Electronic
6440KM48L16031BT-F0128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 100 MHz, velocidad de 10 ns.Samsung Electronic
6441KM48L16031BT-FY128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns.Samsung Electronic
6442KM48L16031BT-FZ128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns.Samsung Electronic
6443KM48L16031BT-G(F)0Versión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
6444KM48L16031BT-G(F)YVersión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
6445KM48L16031BT-G(F)ZVersión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
6446KM48L16031BT-G(L)0Versión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
6447KM48L16031BT-G(L)YVersión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
6448KM48L16031BT-G(L)ZVersión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
6449KM48L16031BT-G0128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 100 MHz, velocidad de 10 ns.Samsung Electronic
6450KM48L16031BT-GY128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns.Samsung Electronic
6451KM48L16031BT-GZ128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns.Samsung Electronic
6452KM48S16030los 4M x 8Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
6453KM48S16030Alos 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6454KM48S16030AT-G/F10128Mbit SDRAM los 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancosSamsung Electronic
6455KM48S16030AT-G/F8128Mbit SDRAM los 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancosSamsung Electronic
6456KM48S16030AT-G/FA128Mbit SDRAM los 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancosSamsung Electronic
6457KM48S16030AT-G/FH128Mbit SDRAM los 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancosSamsung Electronic



6458KM48S16030AT-G/FL128Mbit SDRAM los 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancosSamsung Electronic
6459KM48S16030Blos 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6460KM48S16030BT-G/F10128Mbit SDRAM los 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancosSamsung Electronic
6461KM48S16030BT-G/F8128Mbit SDRAM los 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancosSamsung Electronic
6462KM48S16030BT-G/FA128Mbit SDRAM los 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancosSamsung Electronic
6463KM48S16030BT-G/FH128Mbit SDRAM los 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancosSamsung Electronic
6464KM48S16030BT-G/FL128Mbit SDRAM los 4M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de4 bancosSamsung Electronic
6465KM48S16030T-G/F10los 4M x 8Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
6466KM48S16030T-G/F8los 4M x 8Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
6467KM48S16030T-G/FHlos 4M x 8Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
6468KM48S16030T-G/FLlos 4M x 8Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
6469KM48S8030los 2M x 8Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
6470KM48S8030los 2M x 8Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
6471KM48S8030Clos 2M x 8Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
6472KM48S8030CT-G/FAlos 2M x 8Bit x COPITA síncrona de 4 bancosSamsung Electronic
6473KM48S8030CT-G_F102M x 8bit x 4 bancos de DRAM síncrona, fuente de alimentación de 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6474KM48S8030CT-G_F72M x 8bit x 4 bancos de DRAM síncrona, fuente de alimentación de 3.3V, LVTTL, 143MHzSamsung Electronic
6475KM48S8030CT-G_F82M x 8bit x 4 bancos de DRAM síncrona, fuente de alimentación de 3.3V, LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
6476KM48S8030CT-G_FH2M x 8bit x 4 bancos de DRAM síncrona, fuente de alimentación de 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6477KM48S8030CT-G_FL2M x 8bit x 4 bancos de DRAM síncrona, fuente de alimentación de 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6478KM48S8030D64Mbit SDRAM los 2M x 8Bit x COPITA síncrona LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6479KM48S8030DT-G_F82M x 8bit x 4 bancos de DRAM síncrona, fuente de alimentación de 3.3V, LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
6480KM48S8030DT-G_FA2M x 8bit x 4 bancos de DRAM síncrona, fuente de alimentación de 3.3V, LVTTL, 133MHzSamsung Electronic
6481KM48S8030DT-G_FH2M x 8bit x 4 bancos de DRAM síncrona, fuente de alimentación de 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6482KM48S8030DT-G_FL2M x 8bit x 4 bancos de DRAM síncrona, fuente de alimentación de 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6483KM48V2000BESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
6484KM48V2000BK-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6485KM48V2000BK-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6486KM48V2000BK-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6487KM48V2000BKL-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6488KM48V2000BKL-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6489KM48V2000BKL-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6490KM48V2000BS-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6491KM48V2000BS-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6492KM48V2000BS-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6493KM48V2000BSL-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6494KM48V2000BSL-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6495KM48V2000BSL-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6496KM48V2100BESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
6497KM48V2100BK-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6498KM48V2100BK-62M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6499KM48V2100BK-72M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6500KM48V2100BKL-52M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic

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