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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
6401KM48C2000BK-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6402KM48C2000BK-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6403KM48C2000BKL-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6404KM48C2000BKL-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6405KM48C2000BKL-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6406KM48C2000BS-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6407KM48C2000BS-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6408KM48C2000BS-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6409KM48C2000BSL-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6410KM48C2000BSL-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6411KM48C2000BSL-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6412KM48C2100BRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
6413KM48C2100BK-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6414KM48C2100BK-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6415KM48C2100BK-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6416KM48C2100BKL-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6417KM48C2100BKL-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6418KM48C2100BKL-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6419KM48C2100BS-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6420KM48C2100BS-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6421KM48C2100BS-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6422KM48C2100BSL-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
6423KM48C2100BSL-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
6424KM48C2100BSL-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
6425KM48C8004BRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
6426KM48C8004BK-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 45nsSamsung Electronic
6427KM48C8004BK-5RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 50nsSamsung Electronic
6428KM48C8004BK-6RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 60nsSamsung Electronic
6429KM48C8004BS-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 45nsSamsung Electronic
6430KM48C8004BS-5RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 50nsSamsung Electronic
6431KM48C8004BS-6RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 60nsSamsung Electronic
6432KM48C8104BRAM dinâmica de 8M x 8bit CMOS com dados prolongados para foraSamsung Electronic
6433KM48C8104BK-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 45nsSamsung Electronic
6434KM48C8104BK-5RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 50nsSamsung Electronic
6435KM48C8104BK-6RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 60nsSamsung Electronic
6436KM48C8104BS-45RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 45nsSamsung Electronic
6437KM48C8104BS-5RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 50nsSamsung Electronic
6438KM48C8104BS-6RAM dinâmica 8M x 8bit CMOS com dados estendidos para fora, 5V, 60nsSamsung Electronic
6439KM48L16031BT128MB DDR SDRAMSamsung Electronic
6440KM48L16031BT-F0128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 100 MHz, a velocidade de 10 ns.Samsung Electronic
6441KM48L16031BT-FY128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 133 MHz, a velocidade de 7,5 ns.Samsung Electronic
6442KM48L16031BT-FZ128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 133 MHz, a velocidade de 7,5 ns.Samsung Electronic
6443KM48L16031BT-G(F)0Versão 0.61 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
6444KM48L16031BT-G(F)YVersão 0.61 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
6445KM48L16031BT-G(F)ZVersão 0.61 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
6446KM48L16031BT-G(L)0Versão 1.0 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
6447KM48L16031BT-G(L)YVersão 1.0 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
6448KM48L16031BT-G(L)ZVersão 1.0 Da Especificação de DDR SDRAMSamsung Electronic
6449KM48L16031BT-G0128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 100 MHz, a velocidade de 10 ns.Samsung Electronic
6450KM48L16031BT-GY128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 133 MHz, a velocidade de 7,5 ns.Samsung Electronic
6451KM48L16031BT-GZ128 Mb DDR SDRAM. Versão 0.61, freq operacional. 133 MHz, a velocidade de 7,5 ns.Samsung Electronic
6452KM48S160304M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
6453KM48S16030A4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6454KM48S16030AT-G/F10128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6455KM48S16030AT-G/F8128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6456KM48S16030AT-G/FA128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6457KM48S16030AT-G/FH128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic



6458KM48S16030AT-G/FL128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6459KM48S16030B4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6460KM48S16030BT-G/F10128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6461KM48S16030BT-G/F8128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6462KM48S16030BT-G/FA128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6463KM48S16030BT-G/FH128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6464KM48S16030BT-G/FL128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6465KM48S16030T-G/F104M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
6466KM48S16030T-G/F84M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
6467KM48S16030T-G/FH4M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
6468KM48S16030T-G/FL4M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
6469KM48S80302M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
6470KM48S80302M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
6471KM48S8030C2M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
6472KM48S8030CT-G/FA2M x 8Bit x DRAM synchronous de 4 bancosSamsung Electronic
6473KM48S8030CT-G_F102M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6474KM48S8030CT-G_F72M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 143MHzSamsung Electronic
6475KM48S8030CT-G_F82M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
6476KM48S8030CT-G_FH2M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6477KM48S8030CT-G_FL2M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6478KM48S8030D64Mbit SDRAM 2M x 8Bit x DRAM synchronous LVTTL de 4 bancosSamsung Electronic
6479KM48S8030DT-G_F82M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 125MHzSamsung Electronic
6480KM48S8030DT-G_FA2M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 133MHzSamsung Electronic
6481KM48S8030DT-G_FH2M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6482KM48S8030DT-G_FL2M x 8bit x 4 bancos DRAM síncrona, fonte de alimentação 3.3V, LVTTL, 100MHzSamsung Electronic
6483KM48V2000BRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
6484KM48V2000BK-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6485KM48V2000BK-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6486KM48V2000BK-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6487KM48V2000BKL-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6488KM48V2000BKL-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6489KM48V2000BKL-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6490KM48V2000BS-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6491KM48V2000BS-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6492KM48V2000BS-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6493KM48V2000BSL-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6494KM48V2000BSL-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6495KM48V2000BSL-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6496KM48V2100BRAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com modalidade rápida da páginaSamsung Electronic
6497KM48V2100BK-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
6498KM48V2100BK-6RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
6499KM48V2100BK-7RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
6500KM48V2100BKL-5RAM dinâmica 2M x 8bit CMOS com o modo de página rápida, 3.3V, 50nsSamsung Electronic

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