| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 501 | K4D263238F-QC50 | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionais | Samsung Electronic |
| 502 | K4D263238G-GC | 128MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 503 | K4D263238G-GC2A | 128MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 504 | K4D263238G-GC33 | 128MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 505 | K4D263238G-VC | 128MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 506 | K4D263238M | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra a RAM synchronous da taxa de dados com a folha bidirecional do estroboscópio dos dados e de dados do DLL | Samsung Electronic |
| 507 | K4D263238M-QC45 | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra a RAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionais | Samsung Electronic |
| 508 | K4D263238M-QC50 | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra a RAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionais | Samsung Electronic |
| 509 | K4D263238M-QC55 | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra a RAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionais | Samsung Electronic |
| 510 | K4D263238M-QC60 | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra a RAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionais | Samsung Electronic |
| 511 | K4D26323AA-GL | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra a RAM synchronous da taxa de dados com a folha bidirecional do estroboscópio dos dados e de dados do DLL | Samsung Electronic |
| 512 | K4D26323RA | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra a RAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionais | Samsung Electronic |
| 513 | K4D26323RA-GC | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra a RAM synchronous da taxa de dados com a folha bidirecional do estroboscópio dos dados e de dados do DLL | Samsung Electronic |
| 514 | K4D26323RA-GC2A | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra a RAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionais | Samsung Electronic |
| 515 | K4D26323RA-GC33 | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra a RAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionais | Samsung Electronic |
| 516 | K4D26323RA-GC36 | o 1M x 32Bit x 4 bancos dobra a RAM synchronous da taxa de dados com o estroboscópio dos dados e o DLL bidirecionais | Samsung Electronic |
| 517 | K4D28163HD | 2M x 16Bit x 4 bancos dobram a RAM synchronous da taxa de dados com a folha bidirecional do estroboscópio dos dados e de dados do DLL | Samsung Electronic |
| 518 | K4D28163HD-TC36 | 128MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 519 | K4D28163HD-TC40 | 128MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 520 | K4D28163HD-TC50 | 128MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 521 | K4D28163HD-TC60 | 128MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 522 | K4D551638D | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 523 | K4D551638D-TC | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 524 | K4D551638D-TC2A | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 525 | K4D551638D-TC33 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 526 | K4D551638D-TC36 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 527 | K4D551638D-TC40 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 528 | K4D551638D-TC45 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 529 | K4D551638D-TC50 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 530 | K4D551638F-TC | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 531 | K4D551638F-TC33 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 532 | K4D551638F-TC36 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 533 | K4D551638F-TC40 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 534 | K4D551638F-TC50 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 535 | K4D551638F-TC60 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 536 | K4D553235F-GC | 256M GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 537 | K4D553235F-GC25 | 256M GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 538 | K4D553235F-GC2A | 256M GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 539 | K4D553235F-GC33 | 256M GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 540 | K4D553238F | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 541 | K4D553238F-GC | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 542 | K4D553238F-GC2A | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 543 | K4D553238F-GC33 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 544 | K4D553238F-GC36 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 545 | K4D553238F-JC | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 546 | K4D553238F-JC2A | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 547 | K4D553238F-JC33 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 548 | K4D553238F-JC36 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 549 | K4D553238F-JC40 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 550 | K4D553238F-JC50 | 256MBIT GDDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 551 | K4D623237 | 512K x 32Bit x 4 bancos dobram a folha de dados synchronous do DRAM da taxa de dados | Samsung Electronic |
| 552 | K4D623238B-G(Q)C | 512K x 32Bit x 4 bancos dobram dados estendidos da RAM da taxa de dados wi synchronous para fora da folha de dados | Samsung Electronic |
| 553 | K4D623238B-GC | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 554 | K4D623238B-GC/L33 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 555 | K4D623238B-GC/L40 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 556 | K4D623238B-GC/L45 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 557 | K4D623238B-GC/L50 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 558 | K4D623238B-GC/L55 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 559 | K4D623238B-GC/L60 | 64MBIT DDR SDRAM | Samsung Electronic |
| 560 | K4D64163HF | o 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dados | Samsung Electronic |
| 561 | K4D64163HF-TC33 | o 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dados | Samsung Electronic |
| 562 | K4D64163HF-TC36 | o 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dados | Samsung Electronic |
| 563 | K4D64163HF-TC40 | o 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dados | Samsung Electronic |
| 564 | K4D64163HF-TC50 | o 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dados | Samsung Electronic |
| 565 | K4D64163HF-TC60 | o 1M x 16Bit x 4 bancos dobra o DRAM synchronous da taxa de dados | Samsung Electronic |
| 566 | K4E151611 | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 567 | K4E151611D | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 568 | K4E151611D-J | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 569 | K4E151611D-T | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 570 | K4E151612D | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 571 | K4E151612D-J | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 572 | K4E151612D-T | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 1K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 573 | K4E16(7)0411(2)D | RAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dados | Samsung Electronic |
| 574 | K4E16(7)0811(2)D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com dados prolongados para fora da folha de dados | Samsung Electronic |
| 575 | K4E160411D | RAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 576 | K4E160411D-B | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 577 | K4E160411D-F | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 578 | K4E160412D | RAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 579 | K4E160412D-B | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 580 | K4E160412D-F | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 581 | K4E160811D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 582 | K4E160811D-B | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 583 | K4E160811D-F | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 584 | K4E160812D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 585 | K4E160812D-B | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 586 | K4E160812D-F | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 2K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 587 | K4E170411D | RAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 588 | K4E170411D-B | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 589 | K4E170411D-F | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 590 | K4E170412D | RAM dinâmica de 4M x 4Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 591 | K4E170412D-B | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 592 | K4E170412D-F | 4M x 4 bits de RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 593 | K4E170811D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 594 | K4E170811D-B | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 595 | K4E170811D-F | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 596 | K4E170812D | RAM dinâmica de 2M x 8Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 597 | K4E170812D-B | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 598 | K4E170812D-F | 2M x 8 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 3.3V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
| 599 | K4E171611D | RAM dinâmica do 1M x 16Bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 600 | K4E171611D-J | 1m x 16 bit RAM dinâmica CMOS com dados estendidos para fora. 5V Tensão de alimentação, 4K ciclo de atualização. | Samsung Electronic |
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