| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 6101 | KM416V256DJ-7 | 256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 70ns, 3.3V | Samsung Electronic |
| 6102 | KM416V256DLJ-5 | 256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com modo rápido de página, 50ns, 3.3V, capacidade de auto-refresh | Samsung Electronic |
| 6103 | KM416V256DLJ-6 | 256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com modo rápido de página, 60ns, 3.3V, capacidade de auto-refresh | Samsung Electronic |
| 6104 | KM416V256DLJ-7 | 256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com modo rápido de página, 70ns, 3.3V, capacidade de auto-refresh | Samsung Electronic |
| 6105 | KM416V256DLT-5 | 256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com modo rápido de página, 50ns, 3.3V, capacidade de auto-refresh | Samsung Electronic |
| 6106 | KM416V256DLT-6 | 256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com modo rápido de página, 60ns, 3.3V, capacidade de auto-refresh | Samsung Electronic |
| 6107 | KM416V256DLT-7 | 256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com modo rápido de página, 70ns, 3.3V, capacidade de auto-refresh | Samsung Electronic |
| 6108 | KM416V256DT-5 | 256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 50ns, 3.3V | Samsung Electronic |
| 6109 | KM416V256DT-6 | 256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 60ns, 3.3V | Samsung Electronic |
| 6110 | KM416V256DT-7 | 256K x RAM dinâmica 16Bit CMOS com o modo de página rápida, 70ns, 3.3V | Samsung Electronic |
| 6111 | KM416V4000B | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 6112 | KM416V4000BS-45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 6113 | KM416V4000BS-5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 6114 | KM416V4000BS-6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 6115 | KM416V4000BS-L45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6116 | KM416V4000BS-L5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6117 | KM416V4000BS-L6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6118 | KM416V4000C | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 6119 | KM416V4000CS-45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 6120 | KM416V4000CS-5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 6121 | KM416V4000CS-6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 6122 | KM416V4000CS-L45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6123 | KM416V4000CS-L5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6124 | KM416V4000CS-L6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6125 | KM416V4004B | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 6126 | KM416V4004BS-45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 6127 | KM416V4004BS-5 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 6128 | KM416V4004BS-6 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 6129 | KM416V4004BSL-45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6130 | KM416V4004BSL-5 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6131 | KM416V4004BSL-6 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6132 | KM416V4004C | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 6133 | KM416V4004CS-45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 6134 | KM416V4004CS-50 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 6135 | KM416V4004CS-60 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 6136 | KM416V4004CS-L45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6137 | KM416V4004CS-L50 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6138 | KM416V4004CS-L60 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6139 | KM416V4100B | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 6140 | KM416V4100BS-45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 6141 | KM416V4100BS-5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 6142 | KM416V4100BS-6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 6143 | KM416V4100BS-L45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6144 | KM416V4100BS-L5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6145 | KM416V4100BS-L6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6146 | KM416V4100C | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 6147 | KM416V4100CS-45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 6148 | KM416V4100CS-5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 6149 | KM416V4100CS-6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 6150 | KM416V4100CS-L45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6151 | KM416V4100CS-L5 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6152 | KM416V4100CS-L6 | 4M x 16bit CMOS RAM dinâmica com modo de página rápida, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6153 | KM416V4104B | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 6154 | KM416V4104BS-45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns | Samsung Electronic |
| 6155 | KM416V4104BS-5 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 6156 | KM416V4104BS-6 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 6157 | KM416V4104BSL-45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6158 | KM416V4104BSL-5 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6159 | KM416V4104BSL-6 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6160 | KM416V4104C | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 6161 | KM416V4104CS-45 | RAM dinâmica de 4M x 16bit CMOS com dados prolongados para fora | Samsung Electronic |
| 6162 | KM416V4104CS-50 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
| 6163 | KM416V4104CS-60 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
| 6164 | KM416V4104CS-L45 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 45ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6165 | KM416V4104CS-L50 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 50ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6166 | KM416V4104CS-L60 | RAM dinâmica 4M x 16bit CMOS com dados estendidos para fora, fonte de alimentação 3.3V, 60ns, baixo consumo de energia | Samsung Electronic |
| 6167 | KM418RD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6168 | KM418RD16AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6169 | KM418RD16AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6170 | KM418RD16C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6171 | KM418RD16D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6172 | KM418RD2AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6173 | KM418RD2AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6174 | KM418RD2C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6175 | KM418RD2D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6176 | KM418RD32AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6177 | KM418RD32AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6178 | KM418RD32C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6179 | KM418RD32D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6180 | KM418RD4AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6181 | KM418RD4AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6182 | KM418RD4C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6183 | KM418RD4D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6184 | KM418RD8AC | 128/144Mbit RDRAM | Samsung Electronic |
| 6185 | KM418RD8AC(D)-RG60 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6186 | KM418RD8AC(D)-RK70 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6187 | KM418RD8AC(D)-RK80 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6188 | KM418RD8AC-RG60 | 256K x 18 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 53,3 ns, velocidade: 600 Mbps (300 MHz). | Samsung Electronic |
| 6189 | KM418RD8AC-RK70 | 256K x 18 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, velocidade: 711 Mbps (356 MHz). | Samsung Electronic |
| 6190 | KM418RD8AC-RK80 | 256K x 18 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, velocidade: 800 Mbps (400 MHz). | Samsung Electronic |
| 6191 | KM418RD8AD | 128/144Mbit RDRAM | Samsung Electronic |
| 6192 | KM418RD8AD-RG60 | 256K x 18 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 53,3 ns, velocidade: 600 Mbps (300 MHz). | Samsung Electronic |
| 6193 | KM418RD8AD-RK70 | 256K x 18 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, velocidade: 711 Mbps (356 MHz). | Samsung Electronic |
| 6194 | KM418RD8AD-RK80 | 256K x 18 x 32s bancos dependentes RDRAM direta. Tempo de acesso: 45 ns, velocidade: 800 Mbps (400 MHz). | Samsung Electronic |
| 6195 | KM418RD8C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6196 | KM418RD8D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 os bancos dependentes do bocado x de 2*16 dirigem RDRAMTM | Samsung Electronic |
| 6197 | KM41C4000D | RAM dinâmica do CMOS do 1Bit de 4M x com modalidade rápida da página | Samsung Electronic |
| 6198 | KM41C4000DJ-5 | 4M x RAM dinâmica 1bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 16ms atualizar, 50ns | Samsung Electronic |
| 6199 | KM41C4000DJ-6 | 4M x RAM dinâmica 1bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 16ms atualizar, 60ns | Samsung Electronic |
| 6200 | KM41C4000DJ-7 | 4M x RAM dinâmica 1bit CMOS com o modo de página rápida, 5V, 16ms atualizar, 70ns | Samsung Electronic |
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