| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 3101 | K6R1008V1D-KI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3102 | K6R1008V1D-KI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3103 | K6R1008V1D-TC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3104 | K6R1008V1D-TC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3105 | K6R1008V1D-TI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3106 | K6R1008V1D-TI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3107 | K6R1008V1D-UC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3108 | K6R1008V1D-UC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3109 | K6R1008V1D-UI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3110 | K6R1008V1D-UI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3111 | K6R1016C1 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3112 | K6R1016C1C | 64Kx16 Bocado Cmos De alta velocidade RAM(5.0V De estática Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3113 | K6R1016C1C-C10 | 64Kx16 Bocado Cmos De alta velocidade RAM(5.0V De estática Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3114 | K6R1016C1C-C12 | 64Kx16 Bocado Cmos De alta velocidade RAM(5.0V De estática Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3115 | K6R1016C1C-C15 | 64Kx16 Bocado Cmos De alta velocidade RAM(5.0V De estática Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3116 | K6R1016C1C-I10 | 64Kx16 Bocado Cmos De alta velocidade RAM(5.0V De estática Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3117 | K6R1016C1C-I12 | 64Kx16 Bocado Cmos De alta velocidade RAM(5.0V De estática Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3118 | K6R1016C1C-I15 | 64Kx16 Bocado Cmos De alta velocidade RAM(5.0V De estática Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3119 | K6R1016C1D | 64Kx16 Bocado Cmos De alta velocidade RAM(5.0V De estática Que Opera-se). Folha De Dados | Samsung Electronic |
| 3120 | K6R1016C1D-EC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3121 | K6R1016C1D-EI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3122 | K6R1016C1D-JC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3123 | K6R1016C1D-JI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3124 | K6R1016C1D-KC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3125 | K6R1016C1D-KI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3126 | K6R1016C1D-TC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3127 | K6R1016C1D-TI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3128 | K6R1016C1D-UC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3129 | K6R1016C1D-UI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3130 | K6R1016V1C | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3131 | K6R1016V1C-C10 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3132 | K6R1016V1C-C12 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3133 | K6R1016V1C-C15 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3134 | K6R1016V1C-C20 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3135 | K6R1016V1C-I10 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3136 | K6R1016V1C-I12 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3137 | K6R1016V1C-I15 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3138 | K6R1016V1C-I20 | operar-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado 64Kx16) operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3139 | K6R1016V1D | 128K x folha de 8 dados operando-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado) | Samsung Electronic |
| 3140 | K6R1016V1D-EC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3141 | K6R1016V1D-EC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3142 | K6R1016V1D-EI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3143 | K6R1016V1D-EI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3144 | K6R1016V1D-JC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3145 | K6R1016V1D-JC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3146 | K6R1016V1D-JI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3147 | K6R1016V1D-JI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3148 | K6R1016V1D-KC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3149 | K6R1016V1D-KC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3150 | K6R1016V1D-KI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3151 | K6R1016V1D-KI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3152 | K6R1016V1D-TC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3153 | K6R1016V1D-TC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3154 | K6R1016V1D-TI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3155 | K6R1016V1D-TI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3156 | K6R1016V1D-UC08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3157 | K6R1016V1D-UC10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3158 | K6R1016V1D-UI08 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3159 | K6R1016V1D-UI10 | bocado 256Kx4 (com OE) CMOS de alta velocidade RAM(5.0Vde estática que opera-se). | Samsung Electronic |
| 3160 | K6R3024V1D | 128K x 24 folhas de dados operando-se de estática de alta velocidade do CMOS RAM(3.3V do bocado) | Samsung Electronic |
| 3161 | K6R3024V1D-HC09 | 128K x 24 bocados CMOS de alta velocidade RAM(3.3V de estática que operam-se) | Samsung Electronic |
| 3162 | K6R3024V1D-HC10 | 128K x 24 bocados CMOS de alta velocidade RAM(3.3V de estática que operam-se) | Samsung Electronic |
| 3163 | K6R3024V1D-HC12 | 128K x 24 bocados CMOS de alta velocidade RAM(3.3V de estática que operam-se) | Samsung Electronic |
| 3164 | K6R3024V1D-HI09 | 128K x 24 bocados CMOS de alta velocidade RAM(3.3V de estática que operam-se) | Samsung Electronic |
| 3165 | K6R3024V1D-HI10 | 128K x 24 bocados CMOS de alta velocidade RAM(3.3V de estática que operam-se) | Samsung Electronic |
| 3166 | K6R3024V1D-HI12 | 128K x 24 bocados CMOS de alta velocidade RAM(3.3V de estática que operam-se) | Samsung Electronic |
| 3167 | K6R4004C1C-C | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3168 | K6R4004C1C-C10 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3169 | K6R4004C1C-C12 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3170 | K6R4004C1C-C15 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3171 | K6R4004C1C-C20 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3172 | K6R4004C1C-E | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3173 | K6R4004C1C-E10 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3174 | K6R4004C1C-E12 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3175 | K6R4004C1C-E15 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3176 | K6R4004C1C-E20 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3177 | K6R4004C1C-I | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3178 | K6R4004C1C-I10 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3179 | K6R4004C1C-I12 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3180 | K6R4004C1C-I15 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3181 | K6R4004C1C-I20 | Estática De alta velocidade RAM(5V Do Bocado 1Mx4 Que Opera-se). | Samsung Electronic |
| 3182 | K6R4004C1D | Estática De alta velocidade RAM(3.3V Do Bocado 1Mx4 QueOpera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais | Samsung Electronic |
| 3183 | K6R4004C1D-JC | Estática De alta velocidade RAM(3.3V Do Bocado 1Mx4 QueOpera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais | Samsung Electronic |
| 3184 | K6R4004C1D-JC(I)10 | 1Mx4 Bit alta velocidade estática RAM (5.0V Operacional). Operado em Comerciais e Industriais faixas de temperatura. | Samsung Electronic |
| 3185 | K6R4004C1D-JC10 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3186 | K6R4004C1D-JI10 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3187 | K6R4004C1D-KC10 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3188 | K6R4004C1D-KI10 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3189 | K6R4004V1D | Estática De alta velocidade RAM(3.3V Do Bocado 1Mx4 QueOpera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais | Samsung Electronic |
| 3190 | K6R4004V1D-JC(I)08_10 | 1Mx4 Bit alta velocidade estática RAM (5.0V Operacional). Operado em Comerciais e Industriais faixas de temperatura. | Samsung Electronic |
| 3191 | K6R4004V1D-JC08 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3192 | K6R4004V1D-JC10 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3193 | K6R4004V1D-JI08 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3194 | K6R4004V1D-JI10 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3195 | K6R4004V1D-JKCI | Estática De alta velocidade RAM(3.3V Do Bocado 1Mx4 QueOpera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais | Samsung Electronic |
| 3196 | K6R4004V1D-KC08 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3197 | K6R4004V1D-KC10 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3198 | K6R4004V1D-KI08 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3199 | K6R4004V1D-KI10 | Estática De alta velocidade RAM(5.0V Do Bocado 256Kx16 Que Opera-se). Operado em escalas de temperatura comerciais e industriais. | Samsung Electronic |
| 3200 | K6R4008C1C | estática de alta velocidade CMOS SRAM de 512K x de 8bit | Samsung Electronic |
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