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Datenblaetter Gefunden :: 10329

Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
501	K4D263238F-QC50	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchronen DRAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz und DLL	Samsung Electronic
502	K4D263238G-GC	128MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
503	K4D263238G-GC2A	128MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
504	K4D263238G-GC33	128MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
505	K4D263238G-VC	128MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
506	K4D263238M	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz-und DLL Leistungsblatt	Samsung Electronic
507	K4D263238M-QC45	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz und DLL	Samsung Electronic
508	K4D263238M-QC50	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz und DLL	Samsung Electronic
509	K4D263238M-QC55	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz und DLL	Samsung Electronic
510	K4D263238M-QC60	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz und DLL	Samsung Electronic

511	K4D26323AA-GL	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz-und DLL Leistungsblatt	Samsung Electronic
512	K4D26323RA	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz und DLL	Samsung Electronic
513	K4D26323RA-GC	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz-und DLL Leistungsblatt	Samsung Electronic
514	K4D26323RA-GC2A	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz und DLL	Samsung Electronic
515	K4D26323RA-GC33	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz und DLL	Samsung Electronic
516	K4D26323RA-GC36	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz und DLL	Samsung Electronic
517	K4D28163HD	2M x 16Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz-und DLL Leistungsblatt	Samsung Electronic
518	K4D28163HD-TC36	128MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
519	K4D28163HD-TC40	128MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
520	K4D28163HD-TC50	128MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
521	K4D28163HD-TC60	128MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
522	K4D551638D	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
523	K4D551638D-TC	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
524	K4D551638D-TC2A	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
525	K4D551638D-TC33	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
526	K4D551638D-TC36	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
527	K4D551638D-TC40	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
528	K4D551638D-TC45	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
529	K4D551638D-TC50	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
530	K4D551638F-TC	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
531	K4D551638F-TC33	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
532	K4D551638F-TC36	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
533	K4D551638F-TC40	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
534	K4D551638F-TC50	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
535	K4D551638F-TC60	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
536	K4D553235F-GC	256M GDDR SDRAM	Samsung Electronic
537	K4D553235F-GC25	256M GDDR SDRAM	Samsung Electronic
538	K4D553235F-GC2A	256M GDDR SDRAM	Samsung Electronic
539	K4D553235F-GC33	256M GDDR SDRAM	Samsung Electronic
540	K4D553238F	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
541	K4D553238F-GC	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
542	K4D553238F-GC2A	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
543	K4D553238F-GC33	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
544	K4D553238F-GC36	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
545	K4D553238F-JC	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
546	K4D553238F-JC2A	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
547	K4D553238F-JC33	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
548	K4D553238F-JC36	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
549	K4D553238F-JC40	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
550	K4D553238F-JC50	256MBIT GDDR SDRAM	Samsung Electronic
551	K4D623237	512K x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones DRAM Leistungsblatt	Samsung Electronic
552	K4D623238B-G(Q)C	512K x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchrones RAM wi verlängerte Daten aus Leistungsblatt	Samsung Electronic
553	K4D623238B-GC	64MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
554	K4D623238B-GC/L33	64MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
555	K4D623238B-GC/L40	64MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
556	K4D623238B-GC/L45	64MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
557	K4D623238B-GC/L50	64MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
558	K4D623238B-GC/L55	64MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
559	K4D623238B-GC/L60	64MBIT DDR SDRAM	Samsung Electronic
560	K4D64163HF	1M x 16Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchronen DRAM	Samsung Electronic
561	K4D64163HF-TC33	1M x 16Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchronen DRAM	Samsung Electronic
562	K4D64163HF-TC36	1M x 16Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchronen DRAM	Samsung Electronic
563	K4D64163HF-TC40	1M x 16Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchronen DRAM	Samsung Electronic
564	K4D64163HF-TC50	1M x 16Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchronen DRAM	Samsung Electronic
565	K4D64163HF-TC60	1M x 16Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchronen DRAM	Samsung Electronic
566	K4E151611	1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
567	K4E151611D	1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
568	K4E151611D-J	1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 1K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
569	K4E151611D-T	1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 1K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
570	K4E151612D	1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
571	K4E151612D-J	1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 1K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
572	K4E151612D-T	1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 1K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
573	K4E16(7)0411(2)D	4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt	Samsung Electronic
574	K4E16(7)0811(2)D	2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten aus Leistungsblatt	Samsung Electronic
575	K4E160411D	4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
576	K4E160411D-B	4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus.	Samsung Electronic
577	K4E160411D-F	4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus.	Samsung Electronic
578	K4E160412D	4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
579	K4E160412D-B	4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus.	Samsung Electronic
580	K4E160412D-F	4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus.	Samsung Electronic
581	K4E160811D	2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
582	K4E160811D-B	2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus.	Samsung Electronic
583	K4E160811D-F	2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 2K Refresh-Zyklus.	Samsung Electronic
584	K4E160812D	2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
585	K4E160812D-B	2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus.	Samsung Electronic
586	K4E160812D-F	2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 2K Refresh-Zyklus.	Samsung Electronic
587	K4E170411D	4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
588	K4E170411D-B	4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
589	K4E170411D-F	4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
590	K4E170412D	4M x 4Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
591	K4E170412D-B	4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
592	K4E170412D-F	4M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
593	K4E170811D	2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
594	K4E170811D-B	2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
595	K4E170811D-F	2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
596	K4E170812D	2M x 8Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
597	K4E170812D-B	2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
598	K4E170812D-F	2M x 8-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 3,3V, 4K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic
599	K4E171611D	1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten heraus	Samsung Electronic
600	K4E171611D-J	1m x 16-Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. Versorgungsspannung 5V, 4K-Aktualisierungszyklus.	Samsung Electronic

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