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Datenblaetter Gefunden :: 10329

Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
10201	STD130 ASIC	Paketfähigkeiten	Samsung Electronic
10202	STD130 ASIC	Einleitung	Samsung Electronic
10203	STD130 ASIC	Buch-Inhalt	Samsung Electronic
10204	STD130 ASIC	Gleichwertige Standardlast für Schichten	Samsung Electronic
10205	STD130 ASIC	I/O& I/O IP Überblick	Samsung Electronic
10206	STD131 ASIC	I/O Zellen	Samsung Electronic
10207	STD131 ASIC	Hohe Dichte-Gedächtnisse	Samsung Electronic
10208	STD131 ASIC	Ursprüngliche Gemische	Samsung Electronic
10209	STD131 ASIC	Buch-Inhalt	Samsung Electronic
10210	STD131 ASIC	Glossar der analogen Bezeichnungen	Samsung Electronic

10211	STD131 ASIC	Broschüre STD130	Samsung Electronic
10212	STD131 ASIC	Gleichwertige Standardlast für Schichten	Samsung Electronic
10213	STD131 ASIC	I/O& I/O IP Überblick	Samsung Electronic
10214	STD131 ASIC	PLL 2073X	Samsung Electronic
10215	STD131 ASIC	Niedrige Energie Gedächtnisse	Samsung Electronic
10216	STD131 ASIC	Ursprüngliches Flip/Flops	Samsung Electronic
10217	STD131 ASIC	Ursprüngliche Logik-Zellen	Samsung Electronic
10218	STD131 ASIC	Ursprünglicher Überblick	Samsung Electronic
10219	STD131 ASIC	I/O IP Zellen	Samsung Electronic
10220	STD131 ASIC	Eigenschaften	Samsung Electronic
10221	STD131 ASIC	Maximaler Fanout	Samsung Electronic
10222	STD131 ASIC	Einleitung	Samsung Electronic
10223	STD131 ASIC	Paketfähigkeiten	Samsung Electronic
10224	STD131 ASIC	Ursprüngliche Verriegelungen	Samsung Electronic
10225	STD150 ASIC	Glossar der analogen Bezeichnungen	Samsung Electronic
10226	STD150 ASIC	Timmings	Samsung Electronic
10227	STD150 ASIC	PLL2108X (Jan. 17, 2002)	Samsung Electronic
10228	STD150 ASIC	Hohe Dichte-Gedächtnisse	Samsung Electronic
10229	STD150 ASIC	Paket-Fähigkeiten	Samsung Electronic
10230	STD150 ASIC	I/O IP Zellen	Samsung Electronic
10231	STD150 ASIC	Input/Output Zelle	Samsung Electronic
10232	STD150 ASIC	Maximales Fanouts	Samsung Electronic
10233	STD150 ASIC	STD150 Broschüre Umdr.. 1.0	Samsung Electronic
10234	STD150 ASIC	I/O Zellen	Samsung Electronic
10235	STD150 ASIC	Ursprüngliche Gemische	Samsung Electronic
10236	STD150 ASIC	Ursprüngliche Verriegelungen	Samsung Electronic
10237	STD150 ASIC	Introduction(Jan. 22. 2002)	Samsung Electronic
10238	STD150 ASIC	Ursprünglicher Überblick	Samsung Electronic
10239	STD150 ASIC	Ursprüngliche Logik-Zellen	Samsung Electronic
10240	STD150 ASIC	Ursprüngliches Flip/Flops	Samsung Electronic
10241	STD150 ASIC	Characteristics(Jan. 22. 2002)	Samsung Electronic
10242	STD80	Zellenbibliothek-Einleitung 0.5 Mikron-STD80	Samsung Electronic
10243	STD80	Zellenbibliothek-Inhalt 0.5 Mikron-STD80	Samsung Electronic
10244	STD80	Zellenbibliothek-Eigenschaften 0.5 Mikron-STD80	Samsung Electronic
10245	STDH150 ASIC	I/O Zellen	Samsung Electronic
10246	STDH150 ASIC	I/O IP Zellen	Samsung Electronic
10247	STDH150 ASIC	Ursprüngliche Logik-Zellen	Samsung Electronic
10248	STDH150 ASIC	Ursprünglicher Überblick	Samsung Electronic
10249	STDH150 ASIC	Ursprüngliche Gemische	Samsung Electronic
10250	STDH150 ASIC	Input/Output Zellen	Samsung Electronic
10251	STDH150 ASIC	Eigenschaften	Samsung Electronic
10252	STDH150 ASIC	Einleitung	Samsung Electronic
10253	STDH150 ASIC	Broschüre STDH150	Samsung Electronic
10254	STDH150 ASIC	Paket-Fähigkeiten	Samsung Electronic
10255	STDH150 ASIC	Buchende	Samsung Electronic
10256	STDH150 ASIC	Maximales Fanouts	Samsung Electronic
10257	STDH150 ASIC	Ursprüngliche Verriegelungen	Samsung Electronic
10258	STDH150 ASIC	Hohe Dichte-Gedächtnisse	Samsung Electronic
10259	STDH150 ASIC	Ursprüngliches Flip/Flops	Samsung Electronic
10260	STDH90	Bibliothek-Inhalt 0.35 Mikron-STDH90	Samsung Electronic
10261	STDH90	Bibliothek-Einleitung 0.35 Mikron-STDH90	Samsung Electronic
10262	STDL130 ASIC	Gleichwertige Standardlast für Schichten	Samsung Electronic
10263	STDL130 ASIC	Paketfähigkeiten	Samsung Electronic
10264	STDL130 ASIC	Ursprüngliche Verriegelungen	Samsung Electronic
10265	STDL130 ASIC	Version 1.0 (1'. Ausgabe - Jan. 9., 2001)	Samsung Electronic
10266	STDL130 ASIC	Glossar der analogen Bezeichnungen	Samsung Electronic
10267	STDL130 ASIC	Ursprüngliche Logik-Zellen	Samsung Electronic
10268	STDL130 ASIC	Ursprüngliche Gemische	Samsung Electronic
10269	STDL130 ASIC	Hohe Dichte-Gedächtnisse	Samsung Electronic
10270	STDL130 ASIC	Eigenschaften	Samsung Electronic
10271	STDL130 ASIC	Maximaler Fanout	Samsung Electronic
10272	STDL130 ASIC	Ursprüngliches Flip/Flops	Samsung Electronic
10273	STDL130 ASIC	Einleitung	Samsung Electronic
10274	STDL130 ASIC	Ursprünglicher Überblick	Samsung Electronic
10275	STDL80	Zellenbibliothek JTAG 0.5 Mikron-STDL80	Samsung Electronic
10276	STDM110 ASIC	Buch-Inhalt	Samsung Electronic
10277	STDM110 ASIC	PLL 2013X	Samsung Electronic
10278	STDM110 ASIC	Eigenschaften	Samsung Electronic
10279	STDM110 ASIC	Einleitung	Samsung Electronic
10280	STRS6309	Nur STROMKREIS INTEGRE	Samsung Electronic
10281	TB8235	8-BIT CMOS MIKROCONTROLLER-BENUTZERHANDBUCH	Samsung Electronic
10282	TB8238	8-BIT CMOS MIKROCONTROLLER-BENUTZERHANDBUCH	Samsung Electronic
10283	TB9228	8-BIT CMOS MIKROCONTROLLER-BENUTZERHANDBUCH	Samsung Electronic
10284	TIP100	60 V, 8 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10285	TIP101	80 V, 8 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10286	TIP102	100 V, 8 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10287	TIP105	PNP (HOHE GLEICHSTROMVERSTÄRKUNG MINUTE	Samsung Electronic
10288	TIP106	-80 V, -8 A, PNP Siliziumepitaxieschicht Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10289	TIP107	-100 V, -8 A, PNP Siliziumepitaxieschicht Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10290	TIP110	60 V, 2 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10291	TIP111	80 V, 2 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10292	TIP112	100 V, 2 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10293	TIP115	-60 V, -2 A, PNP Siliziumepitaxieschicht Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10294	TIP116	-80 V, -2 A, PNP Siliziumepitaxieschicht Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10295	TIP117	-100 V, -2 A, PNP Siliziumepitaxieschicht Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10296	TIP120	NPN (MITTLERE ENERGIE LINEARE SCHALTUNG ANWENDUNGEN)	Samsung Electronic
10297	TIP121	80 V, 5 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10298	TIP122	100 V, 5 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10299	TIP125	-60 V, -5 A, PNP Siliziumepitaxieschicht Darlington-Transistor	Samsung Electronic
10300	TIP126	PNP (MITTLERE ENERGIE LINEARE SCHALTUNG ANWENDUNGEN)	Samsung Electronic

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