|   Erste Seite   |   Alle Hersteller   |   Durch Funktion   |   Inhaltsverzeichnis   |  

Teilnummer, Bezeichnung oder Hersteller enthalten:    
Schneller Sprung zu:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datenblaetter Gefunden :: 10329 English Version for this page Version française pour cette page Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
6001KM416V1004BJ-L73.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70nsSamsung Electronic
6002KM416V1004BT-53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6003KM416V1004BT-63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6004KM416V1004BT-73.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70nsSamsung Electronic
6005KM416V1004BT-L53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6006KM416V1004BT-L63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6007KM416V1004BT-L73.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70nsSamsung Electronic
6008KM416V1004C1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten herausSamsung Electronic
6009KM416V1004CJ-451m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 45ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 64msSamsung Electronic
6010KM416V1004CJ-53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic



6011KM416V1004CJ-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 64msSamsung Electronic
6012KM416V1004CJ-63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6013KM416V1004CJ-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 64msSamsung Electronic
6014KM416V1004CJ-L53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6015KM416V1004CJ-L63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6016KM416V1004CJL-451m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 45ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6017KM416V1004CJL-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6018KM416V1004CJL-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6019KM416V1004CT-451m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 45ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 64msSamsung Electronic
6020KM416V1004CT-53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6021KM416V1004CT-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 64msSamsung Electronic
6022KM416V1004CT-63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6023KM416V1004CT-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 64msSamsung Electronic
6024KM416V1004CT-L53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6025KM416V1004CT-L63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6026KM416V1004CTL-451m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 45ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6027KM416V1004CTL-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6028KM416V1004CTL-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6029KM416V1200B1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
6030KM416V1200BJ-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6031KM416V1200BJ-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6032KM416V1200BJ-71m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
6033KM416V1200BJL-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6034KM416V1200BJL-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6035KM416V1200BJL-71m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
6036KM416V1200BT-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6037KM416V1200BT-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6038KM416V1200BT-71m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
6039KM416V1200BTL-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6040KM416V1200BTL-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6041KM416V1200BTL-71m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 70nsSamsung Electronic
6042KM416V1200C1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
6043KM416V1200CJ-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6044KM416V1200CJ-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6045KM416V1200CJL-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6046KM416V1200CJL-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6047KM416V1200CT-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6048KM416V1200CT-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6049KM416V1200CTL-51m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 50nsSamsung Electronic
6050KM416V1200CTL-61m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 3,3V, 60nsSamsung Electronic
6051KM416V1204BJ1M x 16BIT CMOS DYNAMIT RAM MIT AUSGEDEHNTEN DATEN HERAUSSamsung Electronic
6052KM416V1204BJ-53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6053KM416V1204BJ-63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6054KM416V1204BJ-73.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70nsSamsung Electronic
6055KM416V1204BJ-L53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6056KM416V1204BJ-L63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6057KM416V1204BJ-L73.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70nsSamsung Electronic
6058KM416V1204BT-53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6059KM416V1204BT-63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6060KM416V1204BT-73.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70nsSamsung Electronic
6061KM416V1204BT-L53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6062KM416V1204BT-L63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6063KM416V1204BT-L73.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 70nsSamsung Electronic
6064KM416V1204C1M x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten herausSamsung Electronic
6065KM416V1204CJ-451m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 45ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 16msSamsung Electronic
6066KM416V1204CJ-53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6067KM416V1204CJ-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 16msSamsung Electronic
6068KM416V1204CJ-63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6069KM416V1204CJ-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 16msSamsung Electronic
6070KM416V1204CJ-L53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6071KM416V1204CJ-L63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6072KM416V1204CJL-451m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 45ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6073KM416V1204CJL-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6074KM416V1204CJL-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6075KM416V1204CT-451m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 45ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 16msSamsung Electronic
6076KM416V1204CT-53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6077KM416V1204CT-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 16msSamsung Electronic
6078KM416V1204CT-63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6079KM416V1204CT-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 3,3 V, Aktualität = 16msSamsung Electronic
6080KM416V1204CT-L53.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 50nsSamsung Electronic
6081KM416V1204CT-L63.3V, 1m x 16-Bit CMOS DRAM mit erweiterten Daten aus, 60nsSamsung Electronic
6082KM416V1204CTL-451m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 45ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6083KM416V1204CTL-501m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 50ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6084KM416V1204CTL-601m x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, 60ns, VCC = 3,3 V, Self-RefreshSamsung Electronic
6085KM416V254D256K x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit ausgedehnten Daten herausSamsung Electronic
6086KM416V254DJ-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 50ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
6087KM416V254DJ-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 60ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
6088KM416V254DJ-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 70 ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
6089KM416V254DJL-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 50ns, Self-RefreshSamsung Electronic
6090KM416V254DJL-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 60ns, Self-RefreshSamsung Electronic
6091KM416V254DJL-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 70 ns, Self-RefreshSamsung Electronic
6092KM416V254DT-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 50ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
6093KM416V254DT-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 60ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
6094KM416V254DT-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 70 ns, 8ms AktualitätSamsung Electronic
6095KM416V254DTL-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 50ns, Self-RefreshSamsung Electronic
6096KM416V254DTL-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 60ns, Self-RefreshSamsung Electronic
6097KM416V254DTL-7256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus, VCC = 3,3 V, 70 ns, Self-RefreshSamsung Electronic
6098KM416V256D256K x 16Bit CMOS dynamisches RAM mit schnellem Seite ModusSamsung Electronic
6099KM416V256DJ-5256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 50ns, 3.3VSamsung Electronic
6100KM416V256DJ-6256K x 16Bit CMOS dynamischen RAM mit schnellen Seitenmodus, 60ns, 3.3VSamsung Electronic



Seite: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 | 44 | 45 | 46 | 47 | 48 | 49 | 50 | 51 | 52 | 53 | 54 | 55 | 56 | 57 | 58 | 59 | 60 | 61 | 62 | 63 | 64 | 65 | 66 | 67 | 68 | 69 | 70 | 71 | 72 | 73 | 74 | 75 | 76 | 77 | 78 | 79 | 80 | 81 | 82 | 83 | 84 | 85 | 86 | 87 | 88 | 89 | 90 | 91 | 92 | 93 | 94 | 95 | 96 | 97 | 98 | 99 | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 |



© 2023    www.datasheetcatalog.net/de/samsungelectronic/1/