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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
10201STD130 ASICPossibilités de paquetSamsung Electronic
10202STD130 ASICIntroductionSamsung Electronic
10203STD130 ASICTable des matières De LivreSamsung Electronic
10204STD130 ASICCharge standard équivalente pour des couchesSamsung Electronic
10205STD130 ASICVue d'ensemble d'cIp d'cI/o& I/oSamsung Electronic
10206STD131 ASICCellules d'cI/oSamsung Electronic
10207STD131 ASICMémoires À haute densitéSamsung Electronic
10208STD131 ASICMélanges PrimitifsSamsung Electronic
10209STD131 ASICTable des matières De LivreSamsung Electronic
10210STD131 ASICGlossaire des limites analoguesSamsung Electronic
10211STD131 ASICBrochure STD130Samsung Electronic
10212STD131 ASICCharge standard équivalente pour des couchesSamsung Electronic
10213STD131 ASICVue d'ensemble d'cIp d'cI/o& I/oSamsung Electronic
10214STD131 ASICPLL 2073XSamsung Electronic
10215STD131 ASICBasses Mémoires De PuissanceSamsung Electronic
10216STD131 ASICFlip/Flops PrimitifSamsung Electronic
10217STD131 ASICCellules Primitives De LogiqueSamsung Electronic
10218STD131 ASICVue d'ensemble PrimitiveSamsung Electronic
10219STD131 ASICCellules d'cIp d'cI/oSamsung Electronic
10220STD131 ASICCaractéristiquesSamsung Electronic
10221STD131 ASICSortance maximumSamsung Electronic
10222STD131 ASICIntroductionSamsung Electronic
10223STD131 ASICPossibilités de paquetSamsung Electronic
10224STD131 ASICVerrous PrimitifsSamsung Electronic
10225STD150 ASICGlossaire des limites analoguesSamsung Electronic
10226STD150 ASICTimmingsSamsung Electronic
10227STD150 ASICPLL2108X (janv. 17, 2002)Samsung Electronic
10228STD150 ASICMémoires À haute densitéSamsung Electronic
10229STD150 ASICPossibilités De PaquetSamsung Electronic
10230STD150 ASICCellules d'cIp d'cI/oSamsung Electronic
10231STD150 ASICCellule D'Entrée-sortieSamsung Electronic
10232STD150 ASICFanouts MaximumSamsung Electronic
10233STD150 ASICInverseur 1,0 De la Brochure STD150Samsung Electronic
10234STD150 ASICCellules d'cI/oSamsung Electronic
10235STD150 ASICMélanges PrimitifsSamsung Electronic
10236STD150 ASICVerrous PrimitifsSamsung Electronic
10237STD150 ASICIntroduction(Jan. 22, 2002)Samsung Electronic
10238STD150 ASICVue d'ensemble PrimitiveSamsung Electronic
10239STD150 ASICCellules Primitives De LogiqueSamsung Electronic
10240STD150 ASICFlip/Flops PrimitifSamsung Electronic
10241STD150 ASICCharacteristics(Jan. 22, 2002)Samsung Electronic
10242STD80Introduction De Bibliothèque De Cellules Standard De 0,5 Microns STD80Samsung Electronic
10243STD80Table des matières De Bibliothèque De Cellules Standard De 0,5 Microns STD80Samsung Electronic
10244STD80Caractéristiques De Bibliothèque De Cellules Standard De 0,5 Microns STD80Samsung Electronic
10245STDH150 ASICCellules d'cI/oSamsung Electronic
10246STDH150 ASICCellules d'cIp d'cI/oSamsung Electronic
10247STDH150 ASICCellules Primitives De LogiqueSamsung Electronic
10248STDH150 ASICVue d'ensemble PrimitiveSamsung Electronic
10249STDH150 ASICMélanges PrimitifsSamsung Electronic
10250STDH150 ASICCellules D'Entrée-sortieSamsung Electronic
10251STDH150 ASICCaractéristiquesSamsung Electronic
10252STDH150 ASICIntroductionSamsung Electronic
10253STDH150 ASICBrochure STDH150Samsung Electronic
10254STDH150 ASICPossibilités De PaquetSamsung Electronic
10255STDH150 ASICExtrémité de livreSamsung Electronic
10256STDH150 ASICFanouts MaximumSamsung Electronic
10257STDH150 ASICVerrous PrimitifsSamsung Electronic
10258STDH150 ASICMémoires À haute densitéSamsung Electronic



10259STDH150 ASICFlip/Flops PrimitifSamsung Electronic
10260STDH90Table des matières De Bibliothèque De 0,35 Microns STDH90Samsung Electronic
10261STDH90Introduction De Bibliothèque De 0,35 Microns STDH90Samsung Electronic
10262STDL130 ASICCharge standard équivalente pour des couchesSamsung Electronic
10263STDL130 ASICPossibilités de paquetSamsung Electronic
10264STDL130 ASICVerrous PrimitifsSamsung Electronic
10265STDL130 ASICVersion 1,0 (1'st édition - le 9 janv., 2001)Samsung Electronic
10266STDL130 ASICGlossaire des limites analoguesSamsung Electronic
10267STDL130 ASICCellules Primitives De LogiqueSamsung Electronic
10268STDL130 ASICMélanges PrimitifsSamsung Electronic
10269STDL130 ASICMémoires À haute densitéSamsung Electronic
10270STDL130 ASICCaractéristiquesSamsung Electronic
10271STDL130 ASICSortance maximumSamsung Electronic
10272STDL130 ASICFlip/Flops PrimitifSamsung Electronic
10273STDL130 ASICIntroductionSamsung Electronic
10274STDL130 ASICVue d'ensemble PrimitiveSamsung Electronic
10275STDL80Bibliothèque De Cellules Standard De 0,5 Microns STDL80 JTAGSamsung Electronic
10276STDM110 ASICTable des matières De LivreSamsung Electronic
10277STDM110 ASICPLL 2013XSamsung Electronic
10278STDM110 ASICCaractéristiquesSamsung Electronic
10279STDM110 ASICIntroductionSamsung Electronic
10280STRS6309Seulement CIRCUIT INTEGRESamsung Electronic
10281TB8235UTILISATEURS DE MICROCONTRÔLEURS DE CMOS DE 8 BITS MANUELSSamsung Electronic
10282TB8238UTILISATEURS DE MICROCONTRÔLEURS DE CMOS DE 8 BITS MANUELSSamsung Electronic
10283TB9228UTILISATEURS DE MICROCONTRÔLEURS DE CMOS DE 8 BITS MANUELSSamsung Electronic
10284TIP10060 V, 8 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
10285TIP10180 V, 8 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
10286TIP102100 V, 8 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
10287TIP105PNP (GAIN COURANT ÉLEVÉ MINUTE DE C.cSamsung Electronic
10288TIP106V -80, -8 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic
10289TIP107-100 V, -8 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic
10290TIP11060 V, 2 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
10291TIP11180 V, 2 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
10292TIP112100 V, 2 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
10293TIP115V -60, -2 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic
10294TIP116V -80, -2 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic
10295TIP117-100 V, -2 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic
10296TIP120NPN (APPLICATIONS LINÉAIRES DE COMMUTATION DE PUISSANCE MOYENNE)Samsung Electronic
10297TIP12180 V, 5 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
10298TIP122100 V, 5 A, silicium épitaxiale transistor NPN DarlingtonSamsung Electronic
10299TIP125-60 V, -5 A, épitaxiée de silicium transistor PNP DarlingtonSamsung Electronic
10300TIP126PNP (APPLICATIONS LINÉAIRES DE COMMUTATION DE PUISSANCE MOYENNE)Samsung Electronic

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