Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
6201 | KM41C4000DLJ-5 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 50ns | Samsung Electronic |
6202 | KM41C4000DLJ-6 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 60ns | Samsung Electronic |
6203 | KM41C4000DLJ-7 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 70ns | Samsung Electronic |
6204 | KM41C4000DLT-5 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 50ns | Samsung Electronic |
6205 | KM41C4000DLT-6 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 60ns | Samsung Electronic |
6206 | KM41C4000DLT-7 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 70ns | Samsung Electronic |
6207 | KM41C4000DT-5 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 16ms de rafraîchissement, 50ns | Samsung Electronic |
6208 | KM41C4000DT-6 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 16ms de rafraîchissement, 60ns | Samsung Electronic |
6209 | KM41C4000DT-7 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 16ms de rafraîchissement, 70ns | Samsung Electronic |
6210 | KM41V4000D | RAM dynamique du 1Bit CMOS de 4M x avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
6211 | KM41V4000DJ-6 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 16ms rafraîchissement, 60ns | Samsung Electronic |
6212 | KM41V4000DJ-7 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 16ms rafraîchissement, 70ns | Samsung Electronic |
6213 | KM41V4000DLJ-6 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 128ms rafraîchissement, 60ns | Samsung Electronic |
6214 | KM41V4000DLJ-7 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 128ms rafraîchissement, 70ns | Samsung Electronic |
6215 | KM41V4000DLT-6 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 128ms rafraîchissement, 60ns | Samsung Electronic |
6216 | KM41V4000DLT-7 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 128ms rafraîchissement, 70ns | Samsung Electronic |
6217 | KM41V4000DT-6 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 16ms rafraîchissement, 60ns | Samsung Electronic |
6218 | KM41V4000DT-7 | 4m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 16ms rafraîchissement, 70ns | Samsung Electronic |
6219 | KM4216C256 | 256K X RAM De VIDÉO De 16 BITS CMOS | Samsung Electronic |
6220 | KM4216V256 | 256K X RAM De VIDÉO De 16 BITS CMOS | Samsung Electronic |
6221 | KM424C64 | 64K X RAM de VIDÉO De 4 Bits CMOS | Samsung Electronic |
6222 | KM424C64-10 | 64K X RAM de VIDÉO De 4 Bits CMOS | Samsung Electronic |
6223 | KM424C64-12 | 64K X RAM de VIDÉO De 4 Bits CMOS | Samsung Electronic |
6224 | KM424C64Z | 64K X RAM de VIDÉO De 4 Bits CMOS | Samsung Electronic |
6225 | KM428C256 | 256K X RAM de vidéo de 8 bits CMOS | Samsung Electronic |
6226 | KM432S2030C | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
6227 | KM432S2030CT-F10 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
6228 | KM432S2030CT-F6 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
6229 | KM432S2030CT-F7 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
6230 | KM432S2030CT-F8 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
6231 | KM432S2030CT-G10 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
6232 | KM432S2030CT-G6 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
6233 | KM432S2030CT-G7 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
6234 | KM432S2030CT-G8 | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banques | Samsung Electronic |
6235 | KM44C1000D | RAM dynamique du 1M X 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
6236 | KM44C1000DJ-5 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6237 | KM44C1000DJ-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6238 | KM44C1000DJ-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
6239 | KM44C1000DJL-5 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6240 | KM44C1000DJL-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6241 | KM44C1000DJL-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
6242 | KM44C1000DT-5 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6243 | KM44C1000DT-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6244 | KM44C1000DT-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
6245 | KM44C1000DTL-5 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6246 | KM44C1000DTL-6 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6247 | KM44C1000DTL-7 | RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70ns | Samsung Electronic |
6248 | KM44C256B-10 | 100 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6249 | KM44C256B-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6250 | KM44C256B-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6251 | KM44C256C-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6252 | KM44C256C-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6253 | KM44C256C-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6254 | KM44C256CL-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6255 | KM44C256CL-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6256 | KM44C256CL-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6257 | KM44C256CSL-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6258 | KM44C256CSL-7 | 70ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6259 | KM44C256CSL-8 | 80 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6260 | KM44C256D-6 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6261 | KM44C256D-7 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 358mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6262 | KM44C256D-8 | 60ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 330MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page | Samsung Electronic |
6263 | KM44C4000C | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
6264 | KM44C4000CK-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6265 | KM44C4000CK-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6266 | KM44C4000CKL-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6267 | KM44C4000CKL-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6268 | KM44C4000CS-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6269 | KM44C4000CS-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6270 | KM44C4000CSL-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6271 | KM44C4000CSL-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6272 | KM44C4003C | DRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
6273 | KM44C4003CK-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6274 | KM44C4003CK-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6275 | KM44C4003CKL-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6276 | KM44C4003CKL-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6277 | KM44C4003CS-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6278 | KM44C4003CS-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6279 | KM44C4003CSL-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6280 | KM44C4003CSL-6 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6281 | KM44C4005C | DRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
6282 | KM44C4005CK-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6283 | KM44C4005CK-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6284 | KM44C4005CKL-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6285 | KM44C4005CKL-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6286 | KM44C4005CS-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6287 | KM44C4005CS-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6288 | KM44C4005CSL-5 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
6289 | KM44C4005CSL-6 | 4M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
6290 | KM44C4100C | RAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
6291 | KM44C4100CK-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6292 | KM44C4100CK-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6293 | KM44C4100CKL-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6294 | KM44C4100CKL-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6295 | KM44C4100CS-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6296 | KM44C4100CS-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6297 | KM44C4100CSL-5 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
6298 | KM44C4100CSL-6 | 4m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
6299 | KM44C4103C | DRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
6300 | KM44C4103CK-5 | 4m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
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