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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
6201KM41C4000DLJ-54m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 50nsSamsung Electronic
6202KM41C4000DLJ-64m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 60nsSamsung Electronic
6203KM41C4000DLJ-74m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 70nsSamsung Electronic
6204KM41C4000DLT-54m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 50nsSamsung Electronic
6205KM41C4000DLT-64m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 60nsSamsung Electronic
6206KM41C4000DLT-74m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 128ms rafraîchissement, 70nsSamsung Electronic
6207KM41C4000DT-54m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 16ms de rafraîchissement, 50nsSamsung Electronic
6208KM41C4000DT-64m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 16ms de rafraîchissement, 60nsSamsung Electronic
6209KM41C4000DT-74m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 5V, 16ms de rafraîchissement, 70nsSamsung Electronic
6210KM41V4000DRAM dynamique du 1Bit CMOS de 4M x avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6211KM41V4000DJ-64m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 16ms rafraîchissement, 60nsSamsung Electronic
6212KM41V4000DJ-74m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 16ms rafraîchissement, 70nsSamsung Electronic
6213KM41V4000DLJ-64m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 128ms rafraîchissement, 60nsSamsung Electronic
6214KM41V4000DLJ-74m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 128ms rafraîchissement, 70nsSamsung Electronic
6215KM41V4000DLT-64m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 128ms rafraîchissement, 60nsSamsung Electronic
6216KM41V4000DLT-74m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 128ms rafraîchissement, 70nsSamsung Electronic
6217KM41V4000DT-64m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 16ms rafraîchissement, 60nsSamsung Electronic
6218KM41V4000DT-74m x RAM dynamique 1Bit CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 16ms rafraîchissement, 70nsSamsung Electronic
6219KM4216C256256K X RAM De VIDÉO De 16 BITS CMOSSamsung Electronic
6220KM4216V256256K X RAM De VIDÉO De 16 BITS CMOSSamsung Electronic
6221KM424C6464K X RAM de VIDÉO De 4 Bits CMOSSamsung Electronic
6222KM424C64-1064K X RAM de VIDÉO De 4 Bits CMOSSamsung Electronic
6223KM424C64-1264K X RAM de VIDÉO De 4 Bits CMOSSamsung Electronic
6224KM424C64Z64K X RAM de VIDÉO De 4 Bits CMOSSamsung Electronic
6225KM428C256256K X RAM de vidéo de 8 bits CMOSSamsung Electronic
6226KM432S2030C2M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6227KM432S2030CT-F102M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6228KM432S2030CT-F62M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6229KM432S2030CT-F72M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6230KM432S2030CT-F82M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6231KM432S2030CT-G102M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6232KM432S2030CT-G62M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6233KM432S2030CT-G72M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6234KM432S2030CT-G82M x 32 SDRAM 512K x 32bit X DRACHME synchrone LVTTL de 4 banquesSamsung Electronic
6235KM44C1000DRAM dynamique du 1M X 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6236KM44C1000DJ-5RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6237KM44C1000DJ-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6238KM44C1000DJ-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6239KM44C1000DJL-5RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6240KM44C1000DJL-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6241KM44C1000DJL-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6242KM44C1000DT-5RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6243KM44C1000DT-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6244KM44C1000DT-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6245KM44C1000DTL-5RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6246KM44C1000DTL-6RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6247KM44C1000DTL-7RAM dynamique 1M x 4 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
6248KM44C256B-10100 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6249KM44C256B-770ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6250KM44C256B-880 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6251KM44C256C-660ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6252KM44C256C-770ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6253KM44C256C-880 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6254KM44C256CL-660ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6255KM44C256CL-770ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6256KM44C256CL-880 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6257KM44C256CSL-660ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic



6258KM44C256CSL-770ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6259KM44C256CSL-880 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6260KM44C256D-660ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 385mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6261KM44C256D-760ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 358mW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6262KM44C256D-860ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 330MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la pageSamsung Electronic
6263KM44C4000CRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6264KM44C4000CK-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6265KM44C4000CK-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6266KM44C4000CKL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6267KM44C4000CKL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6268KM44C4000CS-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6269KM44C4000CS-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6270KM44C4000CSL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6271KM44C4000CSL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6272KM44C4003CDRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6273KM44C4003CK-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6274KM44C4003CK-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6275KM44C4003CKL-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6276KM44C4003CKL-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6277KM44C4003CS-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6278KM44C4003CS-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6279KM44C4003CSL-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6280KM44C4003CSL-64m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6281KM44C4005CDRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
6282KM44C4005CK-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6283KM44C4005CK-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6284KM44C4005CKL-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6285KM44C4005CKL-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6286KM44C4005CS-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6287KM44C4005CS-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6288KM44C4005CSL-54M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
6289KM44C4005CSL-64M CMOS x 4 bits quad CAS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
6290KM44C4100CRAM dynamique de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6291KM44C4100CK-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6292KM44C4100CK-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6293KM44C4100CKL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6294KM44C4100CKL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6295KM44C4100CS-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6296KM44C4100CS-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6297KM44C4100CSL-54m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
6298KM44C4100CSL-64m x RAM dynamique 4BIT CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
6299KM44C4103CDRACHME de CAS de quadruple de 4M x 4Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
6300KM44C4103CK-54m x 4 bits CMOS quad CAS DRAM mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic

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