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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
5701KM4164B-1264K X 1 ESPOLÓN DINÁMICO Del PEDACITO CON MODO De la PÁGINASamsung Electronic
5702KM4164B-1564K X 1 ESPOLÓN DINÁMICO Del PEDACITO CON MODO De la PÁGINASamsung Electronic
5703KM416C1000BESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
5704KM416C1000BJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5705KM416C1000BJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5706KM416C1000BJ-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5707KM416C1000BJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5708KM416C1000BJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5709KM416C1000BJL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5710KM416C1000BT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5711KM416C1000BT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5712KM416C1000BT-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5713KM416C1000BTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5714KM416C1000BTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5715KM416C1000BTL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5716KM416C1000CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
5717KM416C1000CJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5718KM416C1000CJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5719KM416C1000CJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5720KM416C1000CJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5721KM416C1000CT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5722KM416C1000CT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5723KM416C1000CTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5724KM416C1000CTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5725KM416C1004BJ-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5726KM416C1004BJ-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5727KM416C1004BJ-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5728KM416C1004BJ-75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5729KM416C1004BJ-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5730KM416C1004BJ-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5731KM416C1004BJ-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5732KM416C1004BJ-L75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5733KM416C1004BT-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5734KM416C1004BT-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5735KM416C1004BT-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5736KM416C1004BT-75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5737KM416C1004BT-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5738KM416C1004BT-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5739KM416C1004BT-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5740KM416C1004BT-L75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5741KM416C1004CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
5742KM416C1004CJ-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
5743KM416C1004CJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
5744KM416C1004CJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 64msSamsung Electronic
5745KM416C1004CJ-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5746KM416C1004CJ-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5747KM416C1004CJ-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5748KM416C1004CJL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
5749KM416C1004CJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
5750KM416C1004CJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
5751KM416C1004CT-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5752KM416C1004CT-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5753KM416C1004CT-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5754KM416C1004CT-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5755KM416C1004CT-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5756KM416C1004CT-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5757KM416C1004CTL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic



5758KM416C1004CTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
5759KM416C1004CTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
5760KM416C1200BESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
5761KM416C1200BJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5762KM416C1200BJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5763KM416C1200BJ-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5764KM416C1200BJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5765KM416C1200BJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5766KM416C1200BJL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5767KM416C1200BT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5768KM416C1200BT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5769KM416C1200BT-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5770KM416C1200BTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5771KM416C1200BTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5772KM416C1200BTL-71M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 70nsSamsung Electronic
5773KM416C1200CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
5774KM416C1200CJ-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5775KM416C1200CJ-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5776KM416C1200CJL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5777KM416C1200CJL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5778KM416C1200CT-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5779KM416C1200CT-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5780KM416C1200CTL-51M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
5781KM416C1200CTL-61M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
5782KM416C1204BJ-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5783KM416C1204BJ-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5784KM416C1204BJ-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5785KM416C1204BJ-75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5786KM416C1204BJ-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5787KM416C1204BJ-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5788KM416C1204BJ-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5789KM416C1204BJ-L75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5790KM416C1204BT-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5791KM416C1204BT-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5792KM416C1204BT-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5793KM416C1204BT-75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5794KM416C1204BT-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5795KM416C1204BT-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5796KM416C1204BT-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5797KM416C1204BT-L75V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 70nsSamsung Electronic
5798KM416C1204CESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
5799KM416C1204CJ-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
5800KM416C1204CJ-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic

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