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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
801K4F640811B-TC-508M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
802K4F640811B-TC-608M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
803K4F640812DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
804K4F640812D-JC_L8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 4K refrescar ciclo.Samsung Electronic
805K4F640812D-TC_L8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 4K refrescar ciclo.Samsung Electronic
806K4F641612BESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
807K4F641612B-LESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
808K4F641612B-TCESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
809K4F641612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
810K4F641612B-TC50ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
811K4F641612B-TC604M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
812K4F641612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, energía bajaSamsung Electronic
813K4F641612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potenciaSamsung Electronic
814K4F641612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, energía bajaSamsung Electronic
815K4F641612CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
816K4F641612C-LESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
817K4F641612C-TCESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
818K4F641612C-TC454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
819K4F641612C-TC504M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
820K4F641612C-TC604M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
821K4F641612C-TL454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, energía bajaSamsung Electronic
822K4F641612C-TL50ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
823K4F641612C-TL604M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, energía bajaSamsung Electronic
824K4F660411D, K4F640411DESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
825K4F660412DESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
826K4F660412D, K4F640412DESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
827K4F660412D, K4F640412DESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
828K4F660412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo.Samsung Electronic
829K4F660412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo.Samsung Electronic
830K4F660412E, K4F640412EESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
831K4F660412E, K4F640412EESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
832K4F660811BESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
833K4F660811B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
834K4F660811B-JC-508M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
835K4F660811B-JC-608M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
836K4F660811B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
837K4F660811B-TC-508M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
838K4F660811B-TC-608M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
839K4F660811D, K4F640811DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
840K4F660812DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
841K4F660812D, K4F640812DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
842K4F660812D, K4F640812DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
843K4F660812D-JC_L8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo.Samsung Electronic
844K4F660812D-TC_L8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo.Samsung Electronic
845K4F660812E, K4F640812EESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
846K4F660812E, K4F640812EESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
847K4F661611D, K4F641611DESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
848K4F661612BESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
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850K4F661612B-TCESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
851K4F661612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
852K4F661612B-TC504M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
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855K4F661612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potenciaSamsung Electronic



856K4F661612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, energía bajaSamsung Electronic
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869K4F661612E, K4F641612EESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
870K4G323222A512K x 32Bit x hoja de 2 de los bancos datos gráfica síncrona del ESPOLÓNSamsung Electronic
871K4G323222A-PC/L4532Mbit SGRAMSamsung Electronic
872K4G323222A-PC/L5032Mbit SGRAMSamsung Electronic
873K4G323222A-PC/L6032Mbit SGRAMSamsung Electronic
874K4G323222A-PC/L7032Mbit SGRAMSamsung Electronic
875K4G323222A-PC/L7C32Mbit SGRAMSamsung Electronic
876K4G323222A-QC/L4532Mbit SGRAMSamsung Electronic
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879K4G323222A-QC/L7032Mbit SGRAMSamsung Electronic
880K4G323222A-QC/L7C32Mbit SGRAMSamsung Electronic
881K4H1G0438A-TCA0128CMb DDR SDRAMSamsung Electronic
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