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MJB18004D2T4-D Fabricado cerca: |
Transistor de energía bipolar del aumento de alta velocidad, alto NPN con el diodo integrado del collector-Emitter y red eficiente incorporada D2PAK de Antisaturation para los TRANSISTORES de ENERGÍA superficiales del montaje 5 AMPERIOS 10 | Transferencia Directa MJB18004D2T4-D datasheet de ON Semiconductor |
PDF 229 kb |
MJ901 | Vista MJB18004D2T4-D a nuestro catálogo | MJB32B |