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| MJB18004D2T4-D Manufaturado perto: | 
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 | Transistor de poder bipolar do ganho de alta velocidade, elevado NPN com o diodo integrado do Coletor-Emissor e rede eficiente interna D2PAK de Antisaturation para os TRANSISTOR de PODER de superfície da montagem 5 AMPÈRES 1000 VOLTS | Pdf da folha de dados do download MJB18004D2T4-D datasheet do ON Semiconductor |
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| MJ901 | Vista MJB18004D2T4-D a nosso catálogo | MJB32B |