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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
351PTB2017555 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 1,9-2,0 GigahertzEricsson Microelectronics
352PTB201765 Vatios, Transistor De Energía De 1,78-1,92 Gigahertz RfEricsson Microelectronics
353PTB20177150 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 925-960 MegacicloEricsson Microelectronics
354PTB201790,4 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 1,8-2,0 GigahertzEricsson Microelectronics
355PTB201802,5 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 1,8-2,0 GigahertzEricsson Microelectronics
356PTB201874 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 1,8-2,0 GigahertzEricsson Microelectronics
357PTB201884 Vatios De P-Sinc., Transistor De Energía Linear de la Frecuencia ultraelevada TV De 470-860 MegacicloEricsson Microelectronics
358PTB201891 Vatio, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 900-960 MegacicloEricsson Microelectronics
359PTB20190175 Vatios, Transistor De Energía De la Televisión De 470-806 Megaciclo DigitalEricsson Microelectronics
360PTB2019112 Vatios, Transistor De Energía De 1,78-1,92 Gigahertz RfEricsson Microelectronics
361PTB2019360 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 1,8-1,9 GigahertzEricsson Microelectronics
362PTB20195150 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 860-900 MegacicloEricsson Microelectronics
363PTB2020030 vatios, 380-500 MHz RF transistor de potenciaEricsson Microelectronics
364PTB20202125 vatios, 1465-1513 MHz celular transistor de potencia / DAB RFEricsson Microelectronics
365PTB202041,0 Vatios, Transistor De Energía De 380-500 Megaciclo RfEricsson Microelectronics
366PTB202061,0 Vatios, Transistor De Energía De 470-860 Megaciclo RfEricsson Microelectronics
367PTB202166 Vatios, Transistor De Energía De 1,8-2,0 Gigahertz RfEricsson Microelectronics
368PTB2021970 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 925-960 MegacicloEricsson Microelectronics
369PTB2022015 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 915-960 MegacicloEricsson Microelectronics
370PTB202286,5 Vatios, Transistor De Energía De 1,62-1,66 Gigahertz RfEricsson Microelectronics
371PTB2023045 Vatios, 1,8-2,0 Transistor De Energía Del Gigahertz PCN/PCSEricsson Microelectronics
372PTB2023570 Vatios, 2,1-2,2 Transistor De Energía Wideband Del Gigahertz CDMAEricsson Microelectronics
373PTB20237150 Vatios, Transistor De Energía DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA De 470-860 Megaciclo TVEricsson Microelectronics
374PTB2023912 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 1465-1513 MegacicloEricsson Microelectronics
375PTB2024535 Vatios, 2,1-2,2 Transistor De Energía Wide-Band Del Gigahertz CDMAEricsson Microelectronics
376PTB202480,7 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 1465-1513 MegacicloEricsson Microelectronics



377PTB202492,5 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 1465-1513 MegacicloEricsson Microelectronics
378PTB202586 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 915-960 MegacicloEricsson Microelectronics
379PTB2026410 Vatios, Transistor De Energía Celular del Rf De la Radio De 1,8-1,9 GigahertzEricsson Microelectronics
380PTF1000735 Vatios, 1,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
381PTF1000985 Vatios, 1,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
382PTF1001550 Vatios, Transistor De Efecto De Campo De 300-960 Megaciclo GOLDMOSEricsson Microelectronics
383PTF1001970 Vatios, Transistor De Efecto De Campo De 860-960 Megaciclo GOLDMOSEricsson Microelectronics
384PTF10020125 Vatios, Transistor De Efecto De Campo De 860-960 Megaciclo GOLDMOSEricsson Microelectronics
385PTF1002130 Vatios, 1,4-1,6 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
386PTF1003150 Vatios, 1,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
387PTF1003685 Vatios, Transistor De Efecto De Campo De 860-960 Megaciclo GOLDMOSEricsson Microelectronics
388PTF1004312 Vatios, 1,9-2,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
389PTF1004530 Vatios, 1,60-1,65 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
390PTF1004830 Vatios, 2,1-2,2 Gigahertz, Transistor De Efecto De Campo De W-cdma GOLDMOSEricsson Microelectronics
391PTF1005235 Vatios, 1,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
392PTF1005312 Vatios, 2,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
393PTF1006530 Vatios, 1,93-1,99 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
394PTF10100165 Vatios, Transistor De Efecto De Campo De 860-900 Megaciclo LDMOSEricsson Microelectronics
395PTF101075 Vatios, 2,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
396PTF101116 Vatios, 1,5 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
397PTF1011260 Vatios, 1,8-2,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
398PTF1011912 Vatios, 2,1-2,2 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
399PTF10120120 Vatios, 1,8-2,0 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics
400PTF1012250 Vatios de WCDMA, 2,1-2,2 Transistor De Efecto De Campo Del Gigahertz GOLDMOSEricsson Microelectronics

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